集成電路的布局結構與版本控制電路制造技術

本發明專利技術是有關于一種集成電路的布局結構與版本控制電路，該布局結構包含一信號供應單元與至少一傳輸單元。信號供應單元用以提供一第一信號及一第二信號，傳輸單元具有多個金屬層，該些金屬層相互連接，該些金屬層的其中之一接收并傳輸第一信號或第二信號。當電路發生改版并更動到多個子電路及此信號傳輸值時，視其間所可共同采用的最少金屬層。其中，在變更該傳輸單元傳輸該第一信號為該第二信號時，該些金屬層中斷傳輸該第一信號，而接收并輸出該第二信號。如此，本發明專利技術可有效減少使用光罩數，進而達到降低成本的目的。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術有關于一種布局結構與版本控制電路，其尤指一種集成電路(IC)的布局結構與版本控制電路。
技術介紹
一般來說，在集成電路完成研發及設計階段后，通過晶圓廠實際將所設計的集成電路制作在芯片上。但是，在現今功能日益復雜的芯片制造過程中，極少數產品是第一次制造成功，且之后也完全不用再更動任何電路。大部分電路在試產過程中需要一再改版，為了節省研發費用，在重新制作時可分類為「整層修改(all layer change)」或「金屬層修改(metal change)」，前者是從芯片基板到最上層金屬層的光罩都做設計變更，后者則是只針對上層金屬層的光罩作設計變更。更甚者，會依所變更設計的金屬層數而產生不同的成本費用。故對成本控制而言，其目的便是如何在改版中使用最少金屬層數的設計變更。此 夕卜，在改版過程中，除了要修正電路的錯誤部分的外，尚需要在芯片內部記錄每次改版完的版本(版號)。然而，更改版號也需要修改芯片內部線路布局。在數字電路作繞線布局時往往有其規則，例如奇數層走縱向，偶數層走橫向。故一條線的變更設計遇到轉角時，就必須更動三層的光罩。最后「更改版號」所需要更動的光罩數可能還高于修正主要錯誤所需要的光罩數。因此，如何針對上述問題而提出一種新穎集成電路的布局結構與版本控制電路，其可避免在變更布局結構時，使用過多的光罩數而增加成本，使可解決上述的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的之一，在于提供一種集成電路的布局結構與版本控制電路，其通過變更一傳輸單元的原先多個金屬層的其中之一傳輸第一信號為第二信號或第二信號為第一信號，以減少使用光罩數，進而達到降低成本的目的。本專利技術的目的之一，在于提供一種集成電路的布局結構與版本控制電路，其應用于記錄集成電路的版本編號，以減少因更改版本編號而增加使用光罩數量，進而達到降低成本的目的。本專利技術的目的之一，在于提供一種集成電路的布局結構與版本控制電路，其應用于集成電路的布局結構的除錯，以避免大幅度修改而增加使用光罩數量，進而達到降低成本的目的。本專利技術的集成電路的布局結構包含一信號供應單元與至少一傳輸單元。信號供應單元用以提供一第一信號及一第二信號，傳輸單元具有多個金屬層，這些金屬層相互連接，這些金屬層的其中之一接收并傳輸第一信號或第二信號，其中，變更傳輸單元傳輸第一信號為第二信號時，這些金屬層中斷傳輸第一信號，而接收并輸出第二信號。當電路發生改版并更動到多個子電路及此信號傳輸值時，視其間所可共同采用的最少金屬層。如此，本專利技術可有效減少使用光罩數，進而達到降低成本的目的。附圖說明圖I為本專利技術的一較佳實施例的結構示意圖；圖2A為本專利技術的一較佳實施例的動作示意圖；圖2B為本專利技術的另一較佳實施例的動作示意圖；圖3為本專利技術的另一較佳實施例的動作示意圖；圖4A為本專利技術的一較佳實施例的方塊圖；圖4B為本專利技術的另一較佳實施例的方塊圖；以及圖4C為本專利技術的另一較佳實施例的方塊圖。·圖號簡單說明本專利技術10 信號供應單元 100 第一供應層102 第二供應層12 轉換單元20 傳輸單元22 金屬層220 第一金屬層2200 第一金屬塊2202第二金屬塊222 第二金屬層224 連接線具體實施例方式請參閱圖1，為本專利技術的一實施例的結構示意圖。如圖所示，本專利技術的集成電路的布局結構包含一信號供應單元10與至少一傳輸單元20。信號供應單元10用以提供一第一信號或一第二信號，即信號供應單元10可接收外部電路輸出的第一信號或第二信號，而提供第一信號或第二信號，或是信號供應單元10可自行產生第一信號或第二信號，而提供第一信號或第二信號，其中，該第一信號與該第二信號的電平電平不相同，例如若第一信號為一高(低)電平信號，則第二信號為一低(高)電平信號。于此實施例中，信號供應單元10還包含一轉換單元12。轉換單元12接收第一信號，并轉換第一信號為第二信號。一實施例，轉換單元12為一反相器，當然也可由其它邏輯組件(AND、OR GATE)組合而成。另一實施例，本專利技術中提及須有該信號供應單元10用以提供一高電平信號以及一低電平信號。然而，在實際應用上，該集成電路(IC)內的每一金屬層均有一電源線(VDD)以及接地線(GND)的布線，所以，本專利技術的「信號供應單元10」可以由每一金屬層的電源線(VDD)以及接地線(GND)的布線所組成。本專利技術的傳輸單元(transfer cell) 20的組件示意圖是具有三個輸入端以及一個輸出端，該三個輸入端分別為高電平輸入端、前級信號輸入端、以及低電平輸入端，而輸出端是用以輸出來自該高電平、該前級信號以及該低電平輸入端的信號，如同圖4A或是圖4B中的組件標號20所示。傳輸單元20具有多個(至少二層以上)金屬層22，該些金屬層22是相互連接的。一般而言，該集成電路有N層金屬層，則該傳輸單元20也具有N層的金屬層22。當然，兩者無須相同，例如這些金屬層22的每一金屬層的一端電連接上一金屬層，而金屬層的另一端電連接下一金屬層，如此，該些金屬層22的其中之一金屬層接收第一信號或第二信號時，即可通過該些金屬層22相互連接而在其中之一的金屬層傳送第一信號或第二信號；當欲變更傳輸單元20所欲傳送的信號時，該傳輸單元20須產生“中斷”以及“連接”的動作(例如該些金屬層22中斷傳輸第一信號，而“連接”以接收并輸出第二信號)，即集成電路的布局結構需要修改。本專利技術的布局結構的傳輸單兀20包含一第一傳輸路徑220與一第二傳輸路徑222。該第一傳輸路徑220有具有N層金屬層相互連接,并該第一傳輸路徑220的N層金屬層(均可視為輸入端點)的其中之一用以接收第一信號或第二信號，在第圖I的實施例中，該第一傳輸路徑220的多個金屬層是相互串聯連接的。其有多種連接方式，其一可為該第一傳輸路徑220的每一金屬層的一端與上一層金屬層電連接,而每一金屬層的另一端與下一層金屬層電連接，如圖I所示的連接關系。該第一傳輸路徑220的最上層的金屬層電連接信號供應單元10，以接收第二信號，即接收低電平信號。該第二傳輸路徑222的多個金屬層是相互連接的，其有多種連接方式，例如同圖 I所示的連接關系。該第二傳輸路徑222通過連接線224耦接該第一傳輸路徑220，以傳輸來自該第一傳輸路徑220的信號。請一并參閱圖I與圖2A，為本專利技術的一實施例的動作(“中斷”以及“連接”)示意圖。由圖I與圖2A可發現,傳輸單兀20的第一傳輸路徑220的一第一金屬塊2200與一第二金屬塊2202之間產生了“中斷”效果，而在傳輸單元20的第二傳輸路徑222與信號供應單元10的第四層金屬層M4相連接以產生了「連接」效果。在圖2A的實施例中，若集成電路的布局結構于第一次改版,且其它電路布局修改只使用到第四層金屬層M4時，且由于該第一傳輸路徑220的多個金屬層是相互串聯連接的，如此，本專利技術可將該第一傳輸路徑220的第四層金屬層M4中間打斷(即在第一金屬塊2200與第二金屬塊2202的間的金屬連接線打斷)，使該傳輸單元20中斷傳輸第二信號，同時，本專利技術還將第二傳輸路徑222置于第四層金屬層M4電連接信號供應單元10，以傳輸第一信號。如此，由于集成電路的布局結構在第一次改版時，其它處的電路布局以及僅使用到第四層金屬層M4，因此，本專利技術的傳輸單元20可直接在第四層金屬層M4進行變更，故，集本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種集成電路的布局結構，其包含：一信號供應單元，提供一第一信號及一第二信號；以及至少一傳輸單元，具有多個金屬層，這些所述金屬層相互連接，這些所述金屬層的其中之一接收并傳輸所述第一信號；其中，當所述傳輸單元所傳送的信號變更為所述第二信號時，這些所述金屬層的至少其一中斷傳輸所述第一信號，而接收并輸出所述第二信號。

【技術特征摘要】
1.一種集成電路的布局結構，其包含 一信號供應單元，提供一第一信號及一第二信號；以及 至少一傳輸單元，具有多個金屬層，這些所述金屬層相互連接，這些所述金屬層的其中之一接收并傳輸所述第一信號； 其中，當所述傳輸單元所傳送的信號變更為所述第二信號時，這些所述金屬層的至少其一中斷傳輸所述第一信號，而接收并輸出所述第二信號。2.根據權利要求I所述的集成電路的布局結構，其中這些所述金屬層包含 多個第一金屬層，其相互連接，這些所述第一金屬層的其中之一用以接收并傳輸所述第一信號或所述第二信號；以及 多個第二金屬層，耦接這些所述第一金屬層，以傳輸所述第一信號或所述第二信號；其中，當所述傳輸單元所傳送的信號變更為所述第二信號時，這些所述第一金屬層中斷傳輸所述第一信號，這些所述第二金屬層的其中之一接收并傳輸所述第二信號。3.根據權利要求2所述的集成電路的布局結構，其中這些所述第一金屬層彼此相互串聯，而這些所述第二金屬層彼此相互串聯。4.根據權利要求3所述的集成電路的布局結構，其中還包括一連接層，串接這些所述第一金屬層與這些所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：邱永明，
申請(專利權)人：瑞昱半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：