集成電路結構及其形成方法技術

技術編號：15302452 閱讀：241 留言：0更新日期：2017-05-13 13:45

本發明專利技術公開了在其中具有背側硅通孔(B/S?TSV)的集成電路結構及其形成方法。該方法包括的步驟為：接收包括襯底的晶圓，該襯底具有前側和背側，所述前側具有在其上的導體；從襯底的背側形成背側硅通孔(B/S?TSV)以穿透襯底；并且用導電材料填充背側硅通孔(B/S?TSV)以形成與導體的電連接。因此，背側硅通孔穿透襯底的背側并且形成至襯底的前側上的導體的電連接。

Integrated circuit structure and forming method thereof

The present invention discloses in which has a back side through silicon vias (B/S TSV) integrated circuit structure and forming method thereof. The method comprises the steps of: receiving the wafer comprises a substrate, the substrate having a front and a back side, the side with the conductor; from the back side of the substrate to form the dorsal silicon vias (B/S TSV) to penetrate the substrate; and fill the back side of silicon vias with conductive material (B/S TSV) to form a connection with the electrical conductor. Thus, the back silicon vias penetrate the back of the substrate and form an electrical connection to the conductor on the front side of the substrate.

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【技術實現步驟摘要】

本專利技術的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路結構及其形成方法。
技術介紹
隨著對半導體制造微型化的需求增大，封裝技術已經從二維(2D)發展到三維(3D)晶圓級封裝，以進一步改進集成電路器件中的電路的密度和性能。在3D晶圓級封裝中，多個晶圓堆疊。通常使用硅通孔(TSV)將晶圓連接至另一晶圓。然而，形成TSV的常規方法會將缺陷引入晶圓，因此需要將其解決。
技術實現思路
根據本專利技術的一個方面，提供了一種形成集成電路結構的方法，所述方法包括：接收襯底，所述襯底具有前側和背側，所述前側包括位于其上的導體；從所述襯底的背側形成通孔；以及用導電材料填充所述通孔以電連接至所述導體。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本專利技術的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。圖1示出了根據實施例的通過1-掩模工藝和2-掩模工藝的背側硅通孔的制造工藝的流程圖。圖2示出了根據實施例的其中具有接合界面的接合晶圓的結構的截面圖。圖3A至圖3F示出了根據實施例的處于1-掩模工藝的不同階段的集成電路器件的結構的各個截面圖。圖4A至圖4B示出了根據實施例的處于2-掩模工藝的不同階段的集成電路器件的結構的截面圖。圖5示出了根據實施例的集成電路器件的結構的截面圖。圖6示出了根據實施例的集成電路器件的結構的截面圖。具體實施方式以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本專利技術。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本專利...
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