堆迭式半導(dǎo)體封裝件制造技術(shù)

一種堆迭式半導(dǎo)體封裝件包括第一半導(dǎo)體封裝件、第二半導(dǎo)體封裝件、第一橫向散熱件、第二橫向散熱件及直立散熱件。第一半導(dǎo)體封裝件具有外側(cè)面及上表面。第二半導(dǎo)體封裝件堆迭于第一半導(dǎo)體封裝件的上表面上且具有上表面及外側(cè)面。第一橫向散熱件設(shè)于第一半導(dǎo)體封裝件的上表面與第二半導(dǎo)體封裝件之間。第二橫向散熱件設(shè)于第二半導(dǎo)體封裝件的上表面上。直立散熱件連接于第一橫向散熱件且沿著第一半導(dǎo)體封裝件的外側(cè)面及第二半導(dǎo)體封裝件的外側(cè)面延伸。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)是有關(guān)于一種堆迭式半導(dǎo)體封裝件，且特別是有關(guān)于一種可提升散熱效率的堆迭式半導(dǎo)體封裝件。
技術(shù)介紹
傳統(tǒng)堆迭式半導(dǎo)體封裝件(Package on Package, PoP)將多個(gè)彼此堆迭的半導(dǎo)體封裝件設(shè)置于電路板上，一般而言，由于最底部的半導(dǎo)體封裝件直接設(shè)于電路板上，故其熱量可通過電路板傳導(dǎo)出去，然而，底部半導(dǎo)體封裝件以上的半導(dǎo)體封裝件與電路板的距離就較遠(yuǎn)，散熱較差，導(dǎo)致堆迭式半導(dǎo)體封裝件的整體散熱效率不佳。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)有關(guān)于一種，堆迭式半導(dǎo)體封裝件，其可提升堆迭式半導(dǎo)體封裝件整體的散熱效率。根據(jù)本專利技術(shù)，提出一種堆迭式半導(dǎo)體封裝件。堆迭式半導(dǎo)體封裝件包括一第一半導(dǎo)體封裝件、一第二半導(dǎo)體封裝件、一第一橫向散熱件、一第二橫向散熱件及一直立散熱件。第一半導(dǎo)體封裝件具有一外側(cè)面及一上表面。第二半導(dǎo)體封裝件堆迭于第一半導(dǎo)體封裝件的上表面上，且具有一上表面及一外側(cè)面。第一橫向散熱件設(shè)于第一半導(dǎo)體封裝件的上表面與第二半導(dǎo)體封裝件之間。第二橫向散熱件設(shè)于第二半導(dǎo)體封裝件的上表面上。直立散熱件連接于第一橫向散熱件且沿著第一半導(dǎo)體封裝件的外側(cè)面及第二半導(dǎo)體封裝件的外側(cè)面延伸。為讓本專利技術(shù)的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下附圖說明圖IA繪示依照本專利技術(shù)一實(shí)施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖IB繪示圖IA的第一橫向散熱件、第二橫向散熱件及直立散熱件的俯視圖。圖2繪示依照本專利技術(shù)另一實(shí)施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖3繪示依照本專利技術(shù)另一實(shí)施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖4繪示依照本專利技術(shù)另一實(shí)施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖5繪示依照本專利技術(shù)另一實(shí)施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。主要元件符號(hào)說明10:電路扳11 :散熱元件20:散熱系統(tǒng)100、200、300、400、500 :堆迭式半導(dǎo)體封裝件110:第一半導(dǎo)體封裝件110s、120s :外側(cè)面111、121:基板111b:下表面110u、lllu、120u :上表面112、122:芯片113、123:封裝體115:第二電性接點(diǎn)120 :第二半導(dǎo)體封裝件 124:電性接點(diǎn)130 :直立散熱件131 :第一子散熱件132 :第二子散熱件140:第一橫向散熱件141 :貫孔150:第二橫向散熱件160 :第一熱介面材料170 :第二熱介面材料Wl :長(zhǎng)度W2:間距具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示依照本專利技術(shù)一實(shí)施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。堆迭式半導(dǎo)體封裝件100設(shè)于且電性連接于電路板10，且包括第一半導(dǎo)體封裝件110、第二半導(dǎo)體封裝件120、至少一電性接點(diǎn)124、直立散熱件130、第一橫向散熱件140及第二橫向散熱件 150。第一半導(dǎo)體封裝件110具有外側(cè)面IIOs及上表面IlOu且包括基板111、芯片112、封裝體113及至少一第二電性接點(diǎn)115。芯片112設(shè)于且電性連接于基板111的上表面Illu0封裝體113包覆芯片112。第二電性接點(diǎn)115設(shè)于基板111的下表面111b。第一半導(dǎo)體封裝件110通過第二電性接點(diǎn)115設(shè)于且電性連接于電路板10。第二半導(dǎo)體封裝件120堆迭于第一半導(dǎo)體封裝件110上。第二半導(dǎo)體封裝件120具有上表面120u及外側(cè)面120s，且包括基板121、芯片122及封裝體123。芯片122設(shè)于且電性連接于基板121的上表面，而封裝體123包覆芯片122。電性接點(diǎn)124呈葫蘆狀的焊球，其為第一半導(dǎo)體封裝件110的電性接點(diǎn)與第二半導(dǎo)體封裝件120的電性接點(diǎn)在回焊工藝(reflow)后融合而成。電性接點(diǎn)124可由熱傳導(dǎo)性佳的材料制成，如銅或其合金，使第一半導(dǎo)體封裝件110及/或第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可通過電性接點(diǎn)124對(duì)流或傳導(dǎo)至第一橫向散熱件140及/或直立散熱件130。直立散熱件130連接于第一橫向散熱件140。直立散熱件130沿著第一半導(dǎo)體封裝件Iio的外側(cè)面IlOs及第二半導(dǎo)體封裝件120的外側(cè)面120s延伸，可提供垂直方向的熱傳導(dǎo)路徑。本例中，直立散熱件130與第一半導(dǎo)體封裝件110的外側(cè)面IlOs及第二半導(dǎo)體封裝件120的外側(cè)面120s之間具有空隙，例如其間隔著空氣，使第一半導(dǎo)體封裝件110及第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可對(duì)流至直立散熱件130，然后通過直立散熱件130對(duì)流至外界。另一例中，直立散熱件130可直接接觸或緊配于第一半導(dǎo)體封裝件110的外側(cè)面IlOs及第二半導(dǎo)體封裝件120的外側(cè)面120s，使第一半導(dǎo)體封裝件110及第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可傳導(dǎo)至直立散熱件130，然后通過直立散熱件130對(duì)流至外界。直立散熱件130例如是片狀散熱件，其面積大于堆迭后的第一半導(dǎo)體封裝件110與第二半導(dǎo)體封裝件120的外側(cè)面積，而覆蓋堆迭后的第一半導(dǎo)體封裝件110與第二半導(dǎo)體封裝件120的整個(gè)側(cè)面，如此可提升散熱效率。本例中，直立散熱件130與電路板10相隔一距離，即未與電路板連接；然另一例中，直立散熱件130可直接連接于電路板10的散熱元件11，使第一半導(dǎo)體封裝件110及第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可通過直立散熱件130傳導(dǎo)至電路板10的散熱元件11。直立散熱件130可靠近或直接連接一散熱系統(tǒng)20，第一半導(dǎo)體封裝件110及第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可通過直立散熱件130傳導(dǎo)或?qū)α髦辽嵯到y(tǒng)20，使熱量快速離 開堆迭式半導(dǎo)體封裝件100，此處的散熱系統(tǒng)20例如是風(fēng)扇或熱管(heat pipe)，其可設(shè)于電路板10上、堆迭式半導(dǎo)體封裝件100的上表面上或其它合適元件上。另一例中，可省略散熱系統(tǒng)20，在此設(shè)計(jì)下，直立散熱件130可連接于電路板10的散熱元件11，以通過散熱元件11進(jìn)行散熱；然直立散熱件130亦可不連接于電路板10的散熱元件11及散熱系統(tǒng)20，通過自然對(duì)流方式仍可將堆迭式半導(dǎo)體封裝件100的熱量對(duì)流至外界。第一橫向散熱件140設(shè)于第一半導(dǎo)體封裝件110的上表面IlOu與第二半導(dǎo)體封裝件120之間，可提供一水平方向的熱傳導(dǎo)路徑。第一半導(dǎo)體封裝件110及第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可通過第一橫向散熱件140傳導(dǎo)至直立散熱件130，然后通過直立散熱件130對(duì)流至外界。第一橫向散熱件140與直立散熱件130可采用一體成形工藝(如沖壓或折彎工藝)形成，或分別形成后再以永久性(焊接、黏接)或暫時(shí)性(如螺接、鉚接)結(jié)合方式結(jié)口 ο堆迭式半導(dǎo)體封裝件100更包括第一熱介面材料(thermal interface material,TIM) 160,其黏合第一橫向散熱件140與第一半導(dǎo)體封裝件110的上表面IlOu,以固定第一橫向散熱件140。第一熱介面材料160較佳但非限定地具有高熱傳導(dǎo)系數(shù)，例如是石墨烯(graphene)、導(dǎo)熱膠(thermal grease)或錫膏(solder paste)。另一例中，亦可省略第一熱介面材料160。第一橫向散熱件140的俯視外觀將于后續(xù)圖IB中說明。第二橫向散熱件150設(shè)于第二半導(dǎo)體封裝件120的上表面120u上，可提供一水平方向的熱傳導(dǎo)路徑。堆迭式半導(dǎo)體封裝件100更包括第二熱介面材料170，其黏合第二橫向散熱件150與第二半導(dǎo)體封裝件120的上表面120u。第二熱介面材料170較佳但非限定地具有高熱傳導(dǎo)系數(shù)。另一例中，亦可省略第二熱介面材本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種堆迭式半導(dǎo)體封裝件，包括：一第一半導(dǎo)體封裝件，具有一外側(cè)面及一上表面；一第二半導(dǎo)體封裝件，堆迭于該第一半導(dǎo)體封裝件的該上表面上，且具有一上表面及一外側(cè)面；一第一橫向散熱件，設(shè)于該第一半導(dǎo)體封裝件的該上表面與該第二半導(dǎo)體封裝件之間；一第二橫向散熱件，設(shè)于該第二半導(dǎo)體封裝件的該上表面上；以及一直立散熱件，連接于該第一橫向散熱件且沿著該第一半導(dǎo)體封裝件的該外側(cè)面及該第二半導(dǎo)體封裝件的該外側(cè)面延伸。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙興華，翁肇甫，唐和明，葉勇誼，張惠珊，賴逸少，謝慧英，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：