一種半導體封裝結構及封裝方法技術

本發明專利技術公開了一種半導體封裝結構及半導體封裝方法。半導體封裝結構包括金屬座和固定于所述金屬座上的芯片，所述芯片的表面覆蓋有絕緣保護膜，所述芯片的表面還設置有金屬凸起，所述金屬凸起與所述芯片電連接且穿出所述絕緣保護膜。芯片通過凸設的金屬凸起作為電極，用于與外界電連接，不需要額外設置引腳，也不需要引線框架等，芯片直接覆蓋絕緣保護膜，既能保護芯片，又不需要通過環氧樹脂等材料進行封裝，封裝體積極大減小，厚度減薄。

Semiconductor packaging structure and packaging method

The invention discloses a semiconductor packaging structure and a semiconductor packaging method. A semiconductor package structure comprises a metal base and fixed to the base metal on the surface of the chip, the chip is covered with an insulating protective film, the surface of the chip is provided with a metal bump, the metal projection and the chip is electrically connected and passes through the insulating protective film. A metal bump chip through protruding as electrode for connecting with an external power, does not need additional pins, also need not lead frame chip, directly cover insulating protective film can protect the chip, and does not need to be packaged by epoxy resin and other materials, package actively reduced, decreasing the thickness of.

【技術實現步驟摘要】
一種半導體封裝結構及封裝方法
本專利技術涉及半導體
，尤其涉及一種半導體封裝結構及封裝方法。
技術介紹
目前的半導體封裝一般是將芯片固定在金屬座(比如基島后，芯片上的電連接區域通過金屬線和基島旁邊的引線框架的引腳連接，再將芯片和基島、引線框架等一起通過環氧樹脂等材料封裝固定。此種封裝結構最終會將芯片、基島、金屬線的全部結構，以及引線框架的大部分結構封裝在內，只留下外部的一些引腳，厚度一般都比較厚，不利于向集成度更高的方向發展。
技術實現思路
本專利技術的第一目的在于提出一種厚度很薄的半導體封裝結構，減少封裝結構的體積。為達此目的，本專利技術采用以下技術方案：一種半導體封裝結構，包括金屬座和固定于所述金屬座上的芯片，所述芯片的表面覆蓋有絕緣保護膜，所述芯片的表面還設置有金屬凸起，所述金屬凸起與所述芯片電連接且穿出所述絕緣保護膜。其中，所述半導體封裝結構為二極管封裝結構或三極管封裝結構，所述金屬座上也設置有金屬凸起，且所述金屬座上的所述金屬凸起與所述芯片上的所述金屬凸起的頂端持平。其中，所述金屬座上的所述金屬凸起由濺鍍或3D打印形成。其中，所述絕緣保護膜從所述芯片的表面延伸并覆蓋所述金屬座的表面。其中，所述絕緣保護膜通過涂覆非固體材料后固化的方式形成，或所述絕緣保護膜由固體軟膜直接貼覆形成。其中，當所述絕緣保護膜通過涂覆非固體材料后固化的方式形成時，涂覆的材料為綠漆或液態環氧樹脂。其中，所述絕緣保護膜由綠漆涂覆形成時，所述綠漆在所述金屬凸起對應的位置遮蔽后曝光固化，再將遮蔽區域蝕刻形成孔。其中，所述芯片上的所述金屬凸起由錫膏印刷形成或設置錫球形成。其中，在所述芯片上覆蓋所述絕緣保護膜后，在所述金屬凸起對應的位置激光打孔。本專利技術的第二目的在于提出一種厚度很薄的半導體封裝方法，減少封裝結合的體積。一種半導體的封裝方法，包括以下步驟：S1：將芯片固定于金屬座上；S2：在所述芯片和所述金屬座的表面覆蓋絕緣保護膜；S3：在所述絕緣保護膜的預定區域打孔；S4：在孔內的芯片上設置金屬凸起。有益效果：本專利技術提供了一種半導體封裝結構及半導體封裝方法。半導體封裝結構包括金屬座和固定于所述金屬座上的芯片，所述芯片的表面覆蓋有絕緣保護膜，所述芯片的表面還設置有金屬凸起，所述金屬凸起與所述芯片電連接且穿出所述絕緣保護膜。芯片通過凸設的金屬凸起作為電極，用于與外界電連接，不需要額外設置引腳，也不需要引線框架等，芯片直接覆蓋絕緣保護膜，既能保護芯片，又不需要通過環氧樹脂等材料進行封裝，封裝體積極大減小，厚度減薄。附圖說明圖1是本專利技術提供的一種半導體封裝結構的結構示意圖。圖2是本專利技術提供的另一種半導體封裝結構的結構示意圖。其中：1-金屬座，2-芯片，3-絕緣保護膜，4-金屬凸起。具體實施方式為使本專利技術解決的技術問題、采用的技術方案和達到的技術效果更加清楚，下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本專利技術的技術方案。本專利技術體提供了一種半導體封裝結構，如圖1所示，包括金屬座1和固定于金屬座1上的芯片2，芯片2的表面覆蓋有絕緣保護膜3，芯片2的表面還設置有金屬凸起4，金屬凸起4與芯片2電連接且穿出絕緣保護膜3。通過直接在芯片2的表面設置金屬凸起4，直接通過金屬凸起4作為電極和外界連接，不需要額外設置引線框架和金屬線，也不需要再通過環氧樹脂等材料將引線框架和金屬線等封裝固定，直接通過在芯片2的表面覆蓋絕緣保護膜3的方式，不論是長度、寬度和高度上均能極大減少封裝的尺寸，減薄封裝的體積和重量。一般而言，絕緣保護膜3從芯片2的表面延伸并覆蓋金屬座1的表面，將金屬座1和芯片2均覆蓋保護，形成整體的半導體封裝結構。芯片上金屬凸起4的高度可以比較低，凸出絕緣保護膜3一定距離即可，因此，可以由錫膏印刷形成，也可以是設置錫球的方式形成，不會引起錫球塌陷，工藝比較簡單，當然，金屬凸起4也可以是其他的方式形成。如圖1所示的半導體封裝結構一般適用于集成電路(IC)的封裝，其金屬凸起4全部設置在芯片2上，不需要在金屬座1上設計金屬凸起4。而對于某些半導體器件，比如二極管或者三極管等，芯片3的上表面和下表面均需要連接電極，因此，其封裝結構如圖2所示，在金屬座1上也設置有金屬凸起4，以通過金屬座1和芯片2下方的區域連接形成相應的電極，并且，此種結構中，金屬座1上的金屬凸起4與芯片2上的金屬凸起4的頂端持平，以使得此封裝結構可以直接貼附在其他部件，如PCB板上，而不需要擔心電極的高度差的問題。由于金屬座1上的金屬凸起4需要與芯片2上的金屬凸起4的頂端持平，金屬座1上的金屬凸起4往往有一定的高度，最好由濺鍍或3D打印形成，當然，也可以使用其他的方式形成。但是一般不太使用錫球或者涂覆錫膏的方式，因為錫本身會塌陷，無法支撐較高的高度。本專利技術中，在芯片2上覆蓋絕緣保護膜3后，可以在金屬凸起4對應的位置打孔，以利于后續生成金屬凸起4。具體而言，可以是在絕緣保護膜3上通過激光打孔的方式形成孔，可以比較好的控制打孔的位置和深度等，也可以采用其他方式形成孔。對于絕緣保護膜3而言，可以是通過涂覆非固體材料后固化的方式形成，只要能形成一層絕緣保護膜3即可。涂覆的材料可以是綠漆或液態環氧樹脂等常用材料，工藝比較成熟。對于液態環氧樹脂固化形成的絕緣保護膜3，可以通過激光打孔的方式形成孔，而對于綠漆等感光材料而言，可以在金屬凸起4對應的位置遮蔽后曝光固化，再將遮蔽區域蝕刻形成孔。絕緣保護膜3也可以由固體軟膜直接貼覆形成，比如PI膜等，只要是具有一定絕緣性的軟膜即可，貼附的工藝也比較簡單。本專利技術還提供了一種半導體的封裝方法，包括以下步驟：S1：將芯片2固定于金屬座1上；S2：在芯片2和金屬座1的表面覆蓋絕緣保護膜3；S3：在絕緣保護膜3的預定區域打孔；S4：在孔內的芯片2上設置金屬凸起4。通過直接在芯片2的表面設置金屬凸起4，直接通過金屬凸起4作為電極和外界連接，不需要額外設置引線框架和金屬線，也不需要再通過環氧樹脂等材料將引線框架和金屬線等封裝固定，直接通過在芯片2的表面覆蓋絕緣保護膜3的方式，不論是長度、寬度和高度上均能極大減少封裝的尺寸，減薄封裝的體積和重量。具體而言，在S3步驟中，打孔可以是通過激光打孔的方式形成，對于通過涂覆感光類的非固體材料后固化的方式形成絕緣保護膜3時，可以在金屬凸起4對應的位置遮蔽后曝光固化，再將遮蔽區域蝕刻形成孔。本方法的其他對絕緣保護膜3、金屬凸起4等結構的限制或描述，與上述的半導體封裝結構的限制或描述相似，此處不再贅述。以上內容僅為本專利技術的較佳實施例，對于本領域的普通技術人員，依據本專利技術的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，本說明書內容不應理解為對本專利技術的限制。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體封裝結構，其特征在于，包括金屬座(1)和固定于所述金屬座(1)上的芯片(2)，所述芯片(2)的表面覆蓋有絕緣保護膜(3)，所述芯片(2)的表面還設置有金屬凸起(4)，所述金屬凸起(4)與所述芯片(2)電連接且穿出所述絕緣保護膜(3)。

【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括金屬座(1)和固定于所述金屬座(1)上的芯片(2)，所述芯片(2)的表面覆蓋有絕緣保護膜(3)，所述芯片(2)的表面還設置有金屬凸起(4)，所述金屬凸起(4)與所述芯片(2)電連接且穿出所述絕緣保護膜(3)。2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構為二極管封裝結構或三極管封裝結構，所述金屬座(1)上也設置有金屬凸起(4)，且所述金屬座(1)上的所述金屬凸起(4)與所述芯片(2)上的所述金屬凸起(4)的頂端持平。3.如權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬座(1)上的所述金屬凸起(4)由濺鍍或3D打印形成。4.如權利要求1-3任一項所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣保護膜(3)從所述芯片(2)的表面延伸并覆蓋所述金屬座(1)的表面。5.如權利要求1-3任一項所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣保護膜(3)通過涂覆非固體材料后固化的方式形成，或所述絕緣保護膜...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐振杰，曹周，
申請(專利權)人：杰群電子科技東莞有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44