一種原位氧化提高硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射性能的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及用于場(chǎng)發(fā)射材料的一維納米材料，特指一種原位氧化提高硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射性能的方法。本發(fā)明專利技術(shù)的技術(shù)方案是采用無(wú)電化學(xué)腐蝕法制備Si納米線陣列，然后采用原位部分氧化法將Si納米線陣列轉(zhuǎn)化為SiOx包覆的Si納米線芯殼結(jié)構(gòu)陣列，由于SiOx具有較低的電子親和勢(shì)(0.6-0.8eV)，所以可有效增強(qiáng)Si納米線陣列的場(chǎng)發(fā)射性能，而且SiOx還可作為Si納米線陣列的保護(hù)層，提高Si納米線陣列的場(chǎng)發(fā)射穩(wěn)定性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種原位氧化提高硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射性能的方法，包括如下步驟：1）選用單晶硅片，分別用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗，去除表面雜質(zhì)；2）用HF和？AgNO3按比例配制腐蝕液，并裝入聚四氟乙烯瓶?jī)?nèi)，將硅片浸沒(méi)在腐蝕液中，然后將聚四氟乙烯瓶放入烘箱內(nèi)恒溫加熱；3）腐蝕結(jié)束后將硅片取出，用去離子水清洗，用HNO3浸泡硅片，用于去除硅片表面包覆的？Ag，在硅片表面得到？Si納米線陣列；4）將硅片放入陶瓷舟內(nèi)，然后將陶瓷舟放入水平管式爐中心溫區(qū)處，通入氧氣，并升溫加熱，Si納米線陣列表面形成一層氧化層，Si納米線陣列轉(zhuǎn)化為SiOx包覆的Si納米線芯殼結(jié)構(gòu)陣列。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊亞軍，劉憲云，蔣美萍，謝建生，吉高峰，曹先勝，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：常州大學(xué)，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：