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本發(fā)明涉及用于場發(fā)射材料的一維納米材料，特指一種原位氧化提高硅納米線陣列場發(fā)射性能的方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是采用無電化學(xué)腐蝕法制備Si納米線陣列，然后采用原位部分氧化法將Si納米線陣列轉(zhuǎn)化為SiOx包覆的Si納米線芯殼結(jié)構(gòu)陣列，由于SiOx...該專利屬于常州大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過常州大學(xué)授權(quán)不得商用。