高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板，具有粘貼面和自粘貼面向外暴露的焊盤(pán)；裸片模組，包括若干層疊設(shè)置的裸片、形成在每層裸片上以連接上下層裸片或者連接裸片和焊盤(pán)的若干油墨走線，裸片包括下表面貼附在粘貼面上的基層裸片，每個(gè)裸片具有相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面、以及自上表面向外暴露的電極焊墊，上層的裸片沿裸片的厚度方向的正投影將與其相鄰的下層的裸片的電極焊墊遮蔽。本實(shí)用新型專利技術(shù)采用油墨走線進(jìn)行連接、并且使上層的裸片沿裸片的厚度方向的正投影將與其相鄰的下層的裸片的電極焊墊遮蔽，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有尺寸小、厚度薄、高密度和多引腳的優(yōu)點(diǎn)。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其是ー種高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
隨著電子產(chǎn)品的輕薄化、小型化、多功能化及高容量的發(fā)展，要求封裝體厚度更薄、尺寸更小、引腳更多、密度更高，因此對(duì)封裝結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)提出了挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已不適合高密度及多引腳的封裝體的發(fā)展，目前最典型的封裝エ藝是用打線鍵合來(lái)作為線路連接方式，存在以下問(wèn)題1.芯片的電極焊墊只能在芯片四周矩陣排列，限制了電極焊墊的數(shù)量；2.多層芯片層疊時(shí)，上層芯片的電極焊墊距離邊緣要保證一定的距離，下面的芯片距離上面的芯片邊緣也要保證一定的距離防止打線時(shí)瓷嘴碰到上面的芯片，増加了 封裝體的尺寸；3.打線エ藝的線弧比較高，封裝體的整體厚度相對(duì)較厚；4.電極焊墊底層需要特殊的設(shè)計(jì)，須能夠承受打線エ藝施加的力；5.打線エ藝比較復(fù)雜，影響的因素比較多。有鑒于此，有必要對(duì)現(xiàn)有的高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)予以改進(jìn)以解決上述問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提供ー種高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其尺寸小、厚度薄、高密度、多引腳。為實(shí)現(xiàn)前述目的，本技術(shù)采用如下技術(shù)方案ー種高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，具有粘貼面和自粘貼面向外暴露的焊盤(pán)；裸片模組，包括若干層疊設(shè)置的裸片、形成在每層裸片上以連接上下層裸片或者連接裸片和焊盤(pán)的若干油墨走線，所述裸片包括下表面貼附在粘貼面上的基層裸片，所述每個(gè)裸片具有相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面、以及自上表面向外暴露的電極焊墊，所述上層的裸片沿所述裸片的厚度方向的正投影將與其相鄰的下層的裸片的電極焊墊遮蔽。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述每個(gè)裸片具有連接上表面和下表面的側(cè)表面，所述油墨走線自所述電極焊墊引出并在側(cè)表面外側(cè)向下延伸形成，所述側(cè)表面相較粘貼面呈大于90度且小于180度的角度延伸。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述油墨走線通過(guò)噴墨或者印刷成型在所述裸片的側(cè)表面上。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述裸片模組還包括設(shè)置在側(cè)表面和油墨走線之間的絕緣介質(zhì)層，所述油墨走線貼附在所述絕緣介質(zhì)層上，所述絕緣介質(zhì)層具有相較粘貼面呈大于90度且小于180度的角度延伸的外表面。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述絕緣介質(zhì)層通過(guò)噴墨或者印刷成型在所述側(cè)表面上，所述油墨走線通過(guò)噴墨或者印刷成型在絕緣介質(zhì)層的外表面上。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述油墨走線具有連接電極焊墊的首端、以及連接焊盤(pán)或者下層油墨走線的尾端，沿裸片的水平方向所述上層油墨走線尾端位干與其連接的下層油墨走線首端的外側(cè)。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述裸片模組還包括設(shè)置在基層裸片和焊盤(pán)之間以及設(shè)置在上下相鄰的兩個(gè)裸片之間的粘結(jié)層。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述裸片模組內(nèi)的裸片呈錐型層疊設(shè)置。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述裸片模組內(nèi)的裸片為不規(guī)則層疊設(shè)置。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述每層裸片包括若干個(gè)并列設(shè)置的子裸片，所述子裸片之間設(shè)有相互連接的粘結(jié)層。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述油墨走線為金屬或合金油墨、或者導(dǎo)電無(wú)機(jī)物或?qū)щ娪袡C(jī)油墨。作為本技術(shù)的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述形成在每層裸片上的油墨走線為層疊設(shè)置的多層，該多層油墨走線中的上層油墨走線與位于下層且相鄰設(shè)置的油墨走線之間設(shè)置有絕緣介質(zhì)層。本技術(shù)采用油墨走線進(jìn)行連接、并且使上層的裸片沿裸片的厚度方向的正投影將與其相鄰的下層的裸片的電極焊墊遮蔽，即裸片上的電極焊墊可自裸片上表面的任意位置向外暴露，由此可使得本技術(shù)高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有尺寸小、厚度薄、高密度和多引腳的優(yōu)點(diǎn)。附圖說(shuō)明圖I為本技術(shù)實(shí)施例一中高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2為圖I中高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中的裸片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖I中高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4至圖10為圖I中高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法的實(shí)施步驟示意圖。圖11為本技術(shù)實(shí)施例ニ中高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。具體實(shí)施方式請(qǐng)參見(jiàn)圖I至3，本技術(shù)實(shí)施例一中的高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括基板I和設(shè)置在基板I上的裸片模組。裸片模組包括若干層疊設(shè)置的裸片21和形成在每層裸片21上的以連接上下層裸片21或者連接裸片21和焊盤(pán)14的若干油墨走線22，每片裸片21的結(jié)構(gòu)相同，每片裸片21的電極焊墊216可任意設(shè)置在每片裸片21的上表面213上并且上層的裸片21沿裸片21的厚度方向的正投影將與其相鄰的下層裸片21的電極焊墊216遮蔽。下面結(jié)合本實(shí)施例，對(duì)高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的各部分進(jìn)行具體描述基板I具有相對(duì)設(shè)置的第一表面11和第二表面12、連接第一表面11和第二表面12的第三表面13、以及自第一表面11向外暴露的焊盤(pán)14。上述第一表面11為粘貼面。在本實(shí)施例中，裸片21包括呈錐形層疊設(shè)置的兩片，可分為基層裸片211和頂層裸片212。基層裸片211和頂層裸片212結(jié)構(gòu)相同，尺寸不同，基層裸片211的尺寸大于頂層裸片212。基層裸片211和頂層裸片212均具有相對(duì)設(shè)置的上表面213和下表面214、連接上表面213和下表面214的側(cè)表面215、以及自上表面213向外暴露的電極焊墊216。基層裸片211的下表面214粘貼在基板I的粘貼面11上。頂層裸片212的下表面214粘結(jié)在基層裸片211的上表面213上。基層裸片211和頂層裸片212的側(cè)表面215相較粘貼面11均呈大于90度且小于180度的角度延伸。頂層裸片212沿裸片21的厚度方向的正投影將基層裸片211的電極焊墊216遮蔽。在基層裸片211的下表面214與粘貼面11之間設(shè)置有粘結(jié)層23，頂層裸片212的下表面214與基層裸片211的上表面215之間也同樣設(shè)置有粘結(jié)層23。通過(guò)粘結(jié)層23將基層裸片211和粘貼面11、頂層裸片212和基層裸片211分別固定。粘結(jié)層23可由聚酰亞胺或苯丙環(huán)丁烯或環(huán)氧樹(shù)脂形成。當(dāng)然，也可以不采用粘結(jié)層23，而采用其他方式將基層裸片211和粘貼面14、頂層裸片212和基層裸片211分別固定。油墨走線22用以連接上下相鄰的裸片21或者用以連接裸片21和基板I。由于本實(shí)施例中僅包括有層疊設(shè)置的基層裸片211和頂層裸片212，故將基層裸片211和頂層裸片212上分別設(shè)置的油墨走線22分別稱為基層油墨走線221和頂層油墨走線222。基層油墨走線221用以連接基層裸片211的電極焊墊216和基層I上的焊盤(pán)14。基層油墨走 線221具有連接基層油墨走線211電極焊墊216的首端223、以及連接基板I焊盤(pán)14的尾端224。頂層油墨走線222用以連接頂層裸片212電極焊墊216和基層油墨走線。頂層油墨走線222具有連接頂層裸片212的電極焊墊216的首端223、以及連接基層油墨走線221的尾端224。沿裸片21的水平方向，頂層油墨走線222的尾端224位于基層油墨走線221首端223的外側(cè)。在此，由于基層油墨走線221連接至焊盤(pán)14，頂層油墨走線222又連接至基層油墨走線221，所以，基層油墨走線221和頂層油墨走線222均與焊盤(pán)14電性連接。除此之外，上述頂層油墨走線222也可以直接連接至焊盤(pán)14 (未圖示)。上述基層油墨走線221和頂層油墨走線222均為金屬或合金油墨、或者導(dǎo)電無(wú)機(jī)物或?qū)щ娪袡C(jī)油墨。在本實(shí)施例中，基層油墨走線221和頂層油墨走線222均為單層設(shè)置。誠(chéng)然，形成在每層裸片上的油墨走線也可為層疊本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種高密度半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，具有粘貼面和自粘貼面向外暴露的焊盤(pán)；裸片模組，包括若干層疊設(shè)置的裸片、形成在每層裸片上以連接上下層裸片或者連接裸片和焊盤(pán)的若干油墨走線，所述裸片包括下表面貼附在粘貼面上的基層裸片，所述每個(gè)裸片具有相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面、以及自上表面向外暴露的電極焊墊，所述上層的裸片沿所述裸片的厚度方向的正投影將與其相鄰的下層的裸片的電極焊墊遮蔽。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曹凱，王利明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：智瑞達(dá)科技蘇州有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：