基于量子點液晶分子的顯示面板及其制作方法技術

本發明專利技術涉及一種基于量子點液晶分子的顯示面板，其特征在于，包括自下而上設置的導光板uLED、橫向偏振片、液晶盒下基板、量子點液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述導光板uLED內設置有背光源LED；所述液晶盒內部布置有尋址電極陣列，并在行列尋址電極交錯處布有錯位電極；所述量子點液晶分子通過黑色光刻膠陣列隔開；通過錯位電極的方式調節液晶面板的開閉模式，通過控制背光源是否激發量子點液晶從而實現液晶面板即顯示像素的功能。本發明專利技術去除了傳統液晶顯示面板的彩膜層，大大提高了光利用效率，隔絕了各像素光之間的串擾，簡化了液晶顯示面板的結構。

【技術實現步驟摘要】
基于量子點液晶分子的顯示面板及其制作方法
本專利技術涉及LCD、納米線材料、量子點顯示領域，具體涉及一種基于量子點液晶分子的顯示面板及其制作方法。
技術介紹
在平板顯示
中，液晶顯示技術由于其產品功耗小、壽命長等優點，占據了平板顯示產品的主流，對于現有產線，各尺寸液晶面板都極其完善、成熟，因此液晶顯示面板成本也較小，然而，現有產線的LCD顏色特性仍然是其短板，很難突破NTSC100%的指標，彩膜層與液晶盒的組合使背光出光的光利用率一降再降；對于賽事、電競領域，低響應速度的LCD面板仍會出現拖影的情況，在大屏顯示中，液晶的可視角度也存在需改進之處。為了解決以上問題，提升uLED產業效率，簡化結構，開發、設計新型的uLED成為迫切的要求。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種基于量子點液晶分子的顯示面板及其制作方法。為實現上述目的，本專利技術采用如下技術方案：一種基于量子點液晶分子的顯示面板，其包括自下而上設置的導光板uLED、橫向偏振片、液晶盒下基板、量子點液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述導光板uLED內設置有背光源LED；所述液晶盒內部布置有尋址電極陣列，并在行列尋址電極交錯處布有錯位電極；所述量子點液晶分子通過黑色光刻膠陣列隔開；通過錯位電極的方式調節液晶面板的開閉模式，通過控制背光源是否激發量子點液晶從而實現液晶面板即顯示像素的功能。進一步的，所述錯位電極為為錯位梳狀分布的條形/凸起多面體。進一步的，所述液晶盒為經過光刻工藝的井田黑色光刻膠陣列分割的液晶盒，每個單元作為發光子像素，根據激發光源的不同，填充不同基色的量子點液晶分子，黑色光刻膠陣列起隔絕子像素光串擾作用。進一步的，所述量子點液晶分子為納米線包覆的液晶分子，液晶分子為垂直取向的棒狀液晶。一種基于量子點液晶分子的顯示面板的制作方法，包括以下步驟：步驟S1:將液晶盒底板涂敷電極材料，通過刻蝕手法獲得梳狀錯位分布電極與行列尋址電極，并以此為下基板旋涂黑色光刻膠，顯影后獲得規則分布的Bank陣列，利用相同的方法獲得僅需布置電極的上基板；步驟S2:生長各基色納米線材料并包覆于向列型液晶分子，加入垂直取向劑后分別注入子像素bank內，將液晶盒上對位覆蓋于下基板上抽真空后進行膠封，獲得液晶盒；步驟S3:通過組裝，自下而上依次安置導光板uLED、水平偏振片、液晶盒、垂直偏振片即獲得基于量子點液晶分子的顯示面板。進一步的，所述納米線材料生產方法如下：（1）對襯底進行清洗和處理，將樣品依次在去離子水、乙醇和去離子水中進行超聲清洗，除去表面殘留的污染物并用氮氣吹干；（2）將襯底放入物理氣相沉積裝置反應腔內，并開始納米線緩沖層的蒸鍍；（3）將覆有緩沖層薄膜的襯底放入多片式HVPE生長系統中，開始低溫生長納米線，后降溫取出樣品，即獲得納米線材料。進一步的，所述量子點液晶分子制備方式如下：（1）量取無水乙醇、向列型液晶分子與MPTMS試劑，按比例置于弱酸/弱堿的溶液條件下，以轉速5000r/min攪拌24h，使液晶分子主體表面硫醇官能化；（2）使用與包覆環境相反的弱堿/弱酸性試劑清洗，并通過萃取分離獲得表面硫醇官能化的向列型液晶分子溶液，循環三次；（3）將萃取獲得的高純度液晶分子溶液根據激發光源分為二或三份，并分別加入不同基色的量子點納米線，磁力攪拌2至5h完成納米線的包覆；（4）在量子點液晶分子溶液中滴加取向劑，使包覆后的液晶分子長軸方向取向為垂直于液晶盒基板水平表面。本專利技術與現有技術相比具有以下有益效果：1、本專利技術去除了傳統液晶顯示面板的彩膜層，大大提高了光利用效率，隔絕了各像素光之間的串擾，簡化了液晶顯示面板的結構；2、本專利技術錯位排布的電極及其形狀將液晶劃分為多疇液晶，擴展了量子點液晶面板的可視角度，量子點的光激發也極大地提高了液晶顯示的色域。附圖說明圖1為本專利技術中實施例1的一種基于量子點液晶分子的顯示面板點亮狀態下的結構圖。圖2為本專利技術中實施例1的一種基于量子點液晶分子的顯示面板未點亮狀態下的結構圖。圖3為本專利技術中實施例1的一種基于量子點液晶分子的顯示面板內用于液晶分子包覆的納米線生長圖。圖4為本專利技術中實施例1的一種基于量子點液晶分子的顯示面板內量子點液晶分子圖。圖5為本專利技術中實施例1的一種基于量子點液晶分子的顯示面板液晶盒上基板結構圖。圖6為本專利技術中實施例1的一種基于量子點液晶分子的顯示面板突三面體電極結構的出光示意圖。圖7為本專利技術中實施例2的一種基于量子點液晶分子的顯示面板條狀電極結構的出光示意圖圖8為本專利技術一實施例中制作流程圖；圖中，1-背光源LED，101-藍光LED，102-白光LED，2-導光板，3-橫向偏振片，4-液晶盒下基板，5-尋址電極陣列，601-錯位凸三面體電極，602-錯位條型電極，7-量子點液晶分子，701-硅基板，702-生長緩沖層，703-量子點納米線，704-液晶分子，8-黑色光刻膠陣列，9-液晶盒上基板，10-垂直向偏振片。具體實施方式下面結合附圖及實施例對本專利技術做進一步說明。請參照圖1，本專利技術提供一種基于量子點液晶分子的顯示面板，其包括自下而上設置的導光板uLED、橫向偏振片、液晶盒下基板、量子點液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述導光板uLED內設置有背光源LED；所述液晶盒內部布置有尋址電極陣列，并在行列尋址電極交錯處布有錯位電極；所述量子點液晶分子通過黑色光刻膠陣列隔開；通過錯位電極的方式調節液晶面板的開閉模式，通過控制背光源是否激發量子點液晶從而實現液晶面板即顯示像素的功能。在本實施例中，所述錯位電極為為錯位梳狀分布的條形/凸起多面體。條形電極制備為：利用透明玻璃作為器件的基底，在透明玻璃上沉積整片ITO,并在ITO上涂覆一層光刻膠,采用光刻定義條狀ITO，然后刻蝕；凸多面體電極制備為：在基板上沉積整片較厚的電極膜層，采用激光刻蝕削去多余膜層，使電極成為凸多面體。所述電極材料包括但不限于石墨烯、PEDOT：PSS、氧化銦錫、金屬銀、鉑或金。在本實施例中，所述液晶盒為經過光刻工藝的井田黑色光刻膠陣列分割的液晶盒，每個單元作為發光子像素，根據激發光源的不同，填充不同基色的量子點液晶分子，黑色光刻膠陣列起隔絕子像素光串擾作用。所述黑色光刻膠，其透光率≤5%，材料為膠質石墨擴散液、樹脂型膠水或金屬類材料，金屬類材料由SiO和Cr、W、Fe、Ni等組成，但不限于此，根據產線所需分辨率和像素排列制作掩模板，通過顯影去除多余膠體，使得液晶盒底板上規則分布Bank用于填充液晶分子，Bank深度為2-7um。一種基于量子點液晶分子的顯示面板的制作方法，包括以下步驟：步驟S1:將液晶盒底板涂敷電極材料，通過刻蝕手法獲得梳狀錯位分布電極與行列尋址電極，并以此為下基板旋涂黑色光刻膠，顯影后獲得規則分布的Bank陣列，利用相同本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種基于量子點液晶分子的顯示面板，其特征在于，包括自下而上設置的導光板uLED、橫向偏振片、液晶盒下基板、量子點液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述導光板uLED內設置有背光源LED；所述液晶盒內部布置有尋址電極陣列，并在行列尋址電極交錯處布有錯位電極；所述量子點液晶分子通過黑色光刻膠陣列隔開。/n

【技術特征摘要】
1.一種基于量子點液晶分子的顯示面板，其特征在于，包括自下而上設置的導光板uLED、橫向偏振片、液晶盒下基板、量子點液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述導光板uLED內設置有背光源LED；所述液晶盒內部布置有尋址電極陣列，并在行列尋址電極交錯處布有錯位電極；所述量子點液晶分子通過黑色光刻膠陣列隔開。


2.根據權利要求1所述的基于量子點液晶分子的顯示面板，其特征在于：所述錯位電極為為錯位梳狀分布的條形/凸起多面體。


3.根據權利要求1所述的基于量子點液晶分子的顯示面板，其特征在于：所述液晶盒為經過光刻工藝的井田黑色光刻膠陣列分割的液晶盒，每個單元作為發光子像素，根據激發光源的不同，填充不同基色的量子點液晶分子，黑色光刻膠陣列起隔絕子像素光串擾作用。


4.根據權利要求1所述的基于量子點液晶分子的顯示面板，其特征在于：所述量子點液晶分子為納米線包覆的液晶分子，液晶分子為垂直取向的棒狀液晶。


5.一種基于量子點液晶分子的顯示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1:將液晶盒底板涂敷電極材料，通過刻蝕手法獲得梳狀錯位分布電極與行列尋址電極，并以此為下基板旋涂黑色光刻膠，顯影后獲得規則分布的Bank陣列，利用相同的方法獲得僅需布置電極的上基板；
步驟S2:生長各基色納米線材料并包覆于向列型液晶分子，加入垂直取向劑后分別注入子像素bank內，將液晶盒上...

【專利技術屬性】
技術研發人員：葉蕓，江宗釗，郭太良，林鑒垚，郭舉，陳恩果，
申請(專利權)人：福州大學，
類型：發明
國別省市：福建;35