光轉換結構及顯示裝置制造方法及圖紙

本申請提供一種光轉換結構和顯示裝置，光轉換結構包括依次設置的基底層、中間層和光轉換層，基底層具有第一折射率；中間層具有第二折射率；光轉換層具有第三折射率，光轉換層包括第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元，第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元光轉換發出的光顏色不同；第二折射率大于第一折射率，第二折射率大于第三折射率。本申請采用第二折射率大于第一折射率設計，使得中間層與光轉化層形成光反射界面，并利用光發生全內反射時，進入光轉化層的倏逝波可以激發光轉化層輻射熒光，提高了光轉化層的光轉化效率。

Light conversion structure and display device

【技術實現步驟摘要】
光轉換結構及顯示裝置
本申請涉及一種顯示
，特別涉及一種光轉換結構及顯示裝置。
技術介紹
目前，量子點(QD,quantumdots)顯示技術發展迅速，已經出現了如將量子點應用于背光、彩膜基板和有機發光二極管顯示面板等顯示產品，其核心技術是量子點光轉換技術。量子點顯示正是利用光轉換后的發射光譜寬度較窄而獲得高色域效果。由于量子點本身光轉換效率較低，在器件中需要將量子點膜層設置得較厚(微米級)來提高光轉換率，同時吸收多余的藍光。
技術實現思路
本申請實施例提供一種光轉換結構及顯示裝置，以解決現有的顯示產品中，在滿足高色域顯示效果的前提下，量子點膜層的厚度較厚的技術問題。本申請實施例提供一種光轉換結構，用于發光或/和顯示，所述光轉換結構包括：基底層，所述基底層為入光側，所述基底層具有第一折射率；中間層，所述中間層設置在所述基底層上，所述中間層具有第二折射率；以及光轉換層，所述光轉換層為出光側，所述光轉換層設置在所述中間層上，所述光轉換層具有第三折射率，所述光轉換層包括第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元，所述第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元光轉換發出的光顏色不同；所述第二折射率大于所述第一折射率，所述第二折射率大于所述第三折射率。在本申請實施例的所述光轉換結構中，所述第一折射率小于或等于所述第三折射率。在本申請實施例的所述光轉換結構中，所述光轉換層的材料為量子點、熒光粉或鈣鈦礦中的一種。在本申請實施例的所述光轉換結構中，所述光轉換層的厚度介于190納米至240納米之間。在本申請實施例的所述光轉換結構中，所述光轉換層的厚度為200納米。在本申請實施例的所述光轉換結構中，所述第一光轉換單元發紅光，所述第二光轉換單元發綠光，所述第三光轉換單元發藍光。本申請還涉及一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括背光模組和液晶盒，所述液晶盒設置在所述背光模組的出光側，所述背光模組包括光源和設置在光源出光側的光轉換結構，所述光源發射藍光；所述光轉換結構包括：基底層，所述基底層具有第一折射率；中間層，所述中間層設置在所述基底層上，所述中間層具有第二折射率；以及光轉換層，所述光轉換層為出光側，所述光轉換層設置在所述中間層上，所述光轉換層具有第三折射率，所述光轉換層包括第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元，所述第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元光轉換發出的光顏色不同；所述第二折射率大于所述第一折射率，所述第二折射率大于所述第三折射率。在本申請實施例的所述顯示裝置中，所述第一折射率小于或等于所述第三折射率。在本申請實施例的所述顯示裝置中，所述光轉換層的材料為量子點、熒光粉或鈣鈦礦中的一種。在本申請實施例的所述顯示裝置中，所述第一光轉換單元為紅色光轉換單元，所述第二光轉換單元為綠色光轉換單元，第三光轉換單元為藍色光轉換單元。在本申請實施例的所述顯示裝置中，所述液晶盒包括陣列基板、彩膜基板和液晶層，所述液晶層設置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間；所述彩膜基板包括基底和設置在所述基底上的電極層。在本申請實施例的所述顯示裝置中，所述光轉換層的厚度介于190納米至240納米之間。本申請的光轉換結構以基底層作為入光側，以光轉換層作為出光側，且采用第二折射率大于第一折射率設計，使得中間層與光轉化層形成光反射界面，并利用光發生全內反射時，光進入光轉化層的倏逝波可以激發光轉化層輻射熒光。因此通過倏逝波的作用提高了光轉化層的光轉化效率。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面對實施例中所需要使用的附圖作簡單的介紹。下面描述中的附圖僅為本申請的部分實施例，對于本領域普通技術人員而言，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲取其他的附圖。圖1為本申請實施例的光轉換結構的結構示意圖；圖2為本申請實施例的顯示裝置的結構示意圖；圖3為本申請實施例的顯示裝置的液晶盒的結構示意圖。具體實施方式請參照附圖中的圖式，其中相同的組件符號代表相同的組件。以下的說明是基于所例示的本申請具體實施例，其不應被視為限制本申請未在此詳述的其它具體實施例。請參照圖1，圖1為本申請實施例的光轉換結構的結構示意圖。本申請實施例的光轉換結構100用于發光或/和顯示。本實施例在應用于顯示領域時，光轉換結構100接收的光線最好為光譜寬度較窄的光線，比如藍色光。當光線輻射至本實施例的光轉換結構100時，光轉換結構100可發射出光譜寬度較窄的光線而獲得高色域效果。其中，本實施例的光轉換結構100可以應用于背光模組、彩膜基板、液晶顯示面板、有機發光二極管顯示面板和LED顯示面板等。本實施例的光轉換結構100包括依次設置的基底層11、中間層12和光轉換層13。基底層11為入光側。基底層11具有第一折射率n1。中間層12設置在基底層11上。中間層12具有第二折射率n2。在一些實施例中，光轉換結構100的入光側也可以在其兩側，即以光轉換結構100的側邊作為入光側，比如以中間層12的一側為入光側。光轉換層13為出光側。光轉換層13設置在中間層12上。光轉換層13具有第三折射率n3。光轉換層13包括第一光轉換單元131、第二光轉換單元132和第三光轉換單元133。第一光轉換單元131、第二光轉換單元132和第三光轉換單元133光轉換發出的光顏色不同。第二折射率n2大于第一折射率n1。第二折射率n2大于第三折射率n3。在本實施例的光轉換結構100中，將第二折射率n2設置為大于第一折射率n1，當光線的入射角大于全內反射臨界角時，光線在中間層12和光轉換層13的界面發生全內反射。但事實上，光線輻射至光轉換層13且在反射之前，其光能量會進入光轉換層13一定的深度，而進入光轉換層13內傳播的光波為倏逝波。此時倏逝波會激發光轉換層13，促使光轉換層13輻射熒光。比如第一光轉換單元為紅色材料形成，則發出紅色光。可選的，光轉換層13的材料為量子點、熒光粉或鈣鈦礦中的一種。在本實施例的光轉換層13中，光轉換層13的材料為量子點。而倏逝波在量子點膜層(光轉換層13)的深入范圍大約在200納米。因此量子點膜層(光轉換層13)的厚度可設置為介于190納米至240納米之間。優選的，光轉換層13的厚度為200納米。因此相較于現有技術的用于顯示領域的量子點膜層，本實施例的光轉換結構100將第二折射率n2設置為大于第一折射率n1，降低了量子點膜層所需的厚度。另外，在本實施例的光轉換結構100中，當與光轉換層13光轉換作用后剩余的光會按照反射定律回到中間層12中，而由于將第二折射率n2設置為大于第三折射率n3，因此反射回的光線在中間層12和基底層11的界面發生全內反射，將光線再次導向光轉換層13，對光轉換層13進行二次激發，提高了光的利用率。進一步的，第一折射率n1小于或等于第三本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種光轉換結構，用于發光或/和顯示，其特征在于，所述光轉換結構包括：/n基底層，所述基底層具有第一折射率；/n中間層，所述中間層設置在所述基底層上，所述中間層具有第二折射率；以及/n光轉換層，所述光轉換層為出光側，所述光轉換層設置在所述中間層上，所述光轉換層具有第三折射率，所述光轉換層包括第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元，所述第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元光轉換發出的光顏色不同；/n所述第二折射率大于所述第一折射率，所述第二折射率大于所述第三折射率。/n

【技術特征摘要】
1.一種光轉換結構，用于發光或/和顯示，其特征在于，所述光轉換結構包括：
基底層，所述基底層具有第一折射率；
中間層，所述中間層設置在所述基底層上，所述中間層具有第二折射率；以及
光轉換層，所述光轉換層為出光側，所述光轉換層設置在所述中間層上，所述光轉換層具有第三折射率，所述光轉換層包括第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元，所述第一光轉換單元、第二光轉換單元和第三光轉換單元光轉換發出的光顏色不同；
所述第二折射率大于所述第一折射率，所述第二折射率大于所述第三折射率。


2.根據權利要求1所述的光轉換結構，其特征在于，所述第一折射率小于或等于所述第三折射率。


3.根據權利要求1所述的光轉換結構，其特征在于，所述光轉換層的材料為量子點、熒光粉或鈣鈦礦中的一種。


4.根據權利要求1所述的光轉換結構，其特征在于，所述光轉換層的厚度介于190納米至240納米之間。


5.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括背光模組和液晶盒，所述液晶盒設置在所述背光模組的出光側，所述背光模組包括光源和設置在光源出光側的光轉換結構，所述光源發射藍光；所述光轉換結構包括：
基底層，所述基底層具有第一折射率；<...

【專利技術屬性】
技術研發人員：霍英東，
申請(專利權)人：深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44