工藝腔制造技術

公開了工藝腔以及包括該工藝腔的襯底處理裝置。工藝腔包括第一殼體和在第一殼體上的第二殼體。第一殼體包括第一外壁、面對第一外壁的第一分隔壁以及連接第一外壁和第一分隔壁的第一側壁。第二殼體包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之間的第二分隔壁以及連接第二外壁和第二分隔壁的第二側壁。第一外壁和第二外壁中的每個具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

Process cavity

A process chamber and a substrate treatment device including the process chamber are disclosed. The process chamber comprises a first shell and a second shell on the first shell. The first housing comprises a first outer wall, a first partition facing the first outer wall and a first side wall connecting the first outer wall and the first partition. The second housing comprises a second outer wall, a second partition between the second outer wall and the first partition, and a second side wall connecting the second outer wall and the second partition. Each of the first and second outer walls has a thickness greater than that of the first and second partitions.

【技術實現步驟摘要】
工藝腔
本專利技術構思涉及一種工藝腔以及包括該工藝腔的襯底處理裝置。
技術介紹
半導體制造工藝可以包括沉積工藝、蝕刻工藝、清潔工藝等。清潔工藝可以去除殘留在襯底上的污染物。清潔工藝可以包括供應化學物質以去除襯底上的污染物的化學工藝、供應清潔溶液以去除襯底上的化學物質的沖洗工藝、以及干燥襯底上的殘留清潔溶液的干燥工藝。化學工藝、沖洗工藝和干燥工藝可以順序地進行。在干燥工藝中，工藝腔被供應有超臨界流體以干燥殘留在襯底上的清潔溶液。當執行干燥工藝時，工藝腔會具有由超臨界流體引起的高的內部壓強。因此，近來已經對能夠承受高壓強的工藝腔的結構進行了許多研究。
技術實現思路
本專利技術構思的一些實施方式提供能夠承受高壓強并同時具有多個隔室空間(compartmentspace)的緊湊尺寸的工藝腔以及包括該工藝腔的襯底處理裝置。本專利技術構思的一些實施方式提供一種工藝腔以及包括該工藝腔的襯底處理裝置，其中處理效率被提高。本專利技術構思的目的不限于上述的目的，并且沒有在以上提及的其它目的將從以下描述而被本領域技術人員清楚地理解。根據本專利技術構思的示例實施方式，一種工藝腔可以包括：第一殼體；以及在第一殼體上的第二殼體。第一殼體可以包括：第一外壁；面對第一外壁的第一分隔壁；以及連接第一外壁和第一分隔壁的第一側壁。第二殼體可以包括：第二外壁；在第二外壁和第一分隔壁之間的第二分隔壁；以及連接第二外壁和第二分隔壁的第二側壁。第一外壁和第二外壁中的每個可以具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。根據本專利技術構思的示例實施方式，一種工藝腔可以包括：具有內部空間的殼體；以及至少一個分隔壁，在殼體中并將所述內部空間分成多個隔室空間。殼體可以包括：在所述至少一個分隔壁下面的第一外壁；在所述至少一個分隔壁之上的第二外壁；以及在第一外壁和第二外壁之間且連接到所述至少一個分隔壁的側壁。第一外壁和第二外壁中的每個可以具有比所述至少一個分隔壁的厚度大的厚度。根據本專利技術構思的示例實施方式，一種工藝腔可以包括：具有彼此分隔的多個隔室空間的殼體；在殼體下面的第一支撐壁；以及在殼體之上的第二支撐壁。殼體可以包括：與第一支撐壁接觸的下壁；上壁，在下壁和第二支撐壁之間并與第二支撐壁接觸；將下壁和上壁彼此連接的側壁；以及在下壁和上壁之間且連接到側壁的分隔壁。分隔壁可以具有小于第一支撐壁的厚度和下壁的厚度之和且小于第二支撐壁的厚度和上壁的厚度之和的厚度。根據本專利技術構思的示例實施方式，一種襯底處理裝置可以包括：工藝腔，包括具有第一內部空間的第一殼體和具有第二內部空間的第二殼體，第二殼體堆疊在第一殼體上；第一襯底支撐構件，在第一內部空間中并配置為支撐襯底；第二襯底支撐構件，在第二內部空間中并配置為支撐襯底；流體供應部，配置為將流體供應到第一內部空間和第二內部空間中；以及流體排出部，配置為從第一內部空間和第二內部空間排出流體。第一殼體可以包括：第一外壁；面對第一外壁的第一分隔壁；以及連接第一外壁和第一分隔壁的第一側壁。第二殼體可以包括：第二外壁；在第二外壁和第一分隔壁之間的第二分隔壁；以及連接第二外壁和第二分隔壁的第二側壁。第一分隔壁和第二分隔壁中的每個可以具有比第一外壁的厚度和第二外壁的厚度小的厚度。其它示例實施方式的細節被包括在說明書和附圖中。附圖說明圖1示出簡化的透視圖，其示出根據本專利技術構思的示例實施方式的襯底處理裝置。圖2示出方框圖，其部分地示出圖1的襯底處理裝置。圖3示出簡化的分解透視圖，其部分地示出一些部件可以與圖1的襯底處理裝置在結構上分離。圖4示出簡化的縱向截面圖，其示出圖1的襯底處理裝置。圖5示出放大圖，其示出圖4的部分A。圖6示出放大圖，其示出圖4的部分B。圖7示出簡化的截面圖，其示出圖1的工藝腔。圖8A至圖8C示出簡化的縱向截面圖，其示出在圖1的襯底處理裝置中執行的襯底干燥工藝。圖9示出簡化的截面圖，其示出向圖8B的第一殼體的流體供應。圖10示出簡化的縱向截面圖，其示出施加在工藝腔上的力，該工藝腔的圖1的隔室空間處于高壓強狀態。圖11示出簡化的縱向截面圖，其示出根據本專利技術構思的示例實施方式的襯底處理裝置的示例。圖12示出簡化的截面圖，其示出圖11的工藝腔的示例。圖13示出簡化的透視圖，其示出圖11的工藝腔、門單元和固定構件。圖14至圖19示出簡化的截面圖，其示出圖11的工藝腔中的流體連通。圖20示出簡化的縱向截面圖，其示出根據本專利技術構思的示例實施方式的襯底處理裝置的示例。圖21示出示意圖，其示出包括根據本專利技術構思的示例實施方式的襯底處理裝置的半導體制造設備。具體實施方式這里將參照附圖詳細討論本專利技術構思及其示例實施方式。圖1示出簡化的透視圖，其示出根據本專利技術構思的示例實施方式的襯底處理裝置。圖2示出方框圖，其部分地示出圖1的襯底處理裝置。圖3示出簡化的分解透視圖，其部分地示出一些部件可以與圖1的襯底處理裝置在結構上分離。參照圖1至圖3，根據本專利技術構思的示例實施方式的襯底處理裝置1可以使用超臨界流體來執行襯底處理工藝，諸如干燥工藝、清潔工藝和蝕刻工藝。在一實施方式中，襯底處理裝置1可以執行干燥工藝，其中采用超臨界流體來干燥襯底。超臨界流體可以通過溶解殘留在襯底上的有機溶劑來干燥襯底。在下文將描述其中襯底處理裝置1執行襯底干燥工藝的示例。襯底處理裝置1可以包括工藝腔10、流體供應部或流體供應系統20以及流體排出部或流體排放系統30。襯底處理裝置1還可以包括門或門單元40、固定構件60、襯底支撐件50和控制器70。工藝腔10可以提供其中執行襯底干燥工藝的多個隔室空間。多個隔室空間可以彼此分隔。工藝腔10可以包括穿過其的多個入口160。例如，入口160可以包括第一至第三入口161、163和165。每個入口160可以對應地連接到隔室空間中的一個。在此配置中，襯底(見圖4的W)可以通過入口160被定位或接收到每個隔室空間中。工藝腔10可以包括殼體組件100和防護組件200。殼體組件100可以包括第一殼體101、第二殼體102和至少一個第三殼體103。第一殼體101、第三殼體103以及第二殼體102可以沿著第一方向D1順序地堆疊。第一方向D1可以是豎直的或平行于上下方向。工藝腔10將在下面參照圖4至圖7進一步詳細討論。流體供應部20可以連接到工藝腔10。例如，流體供應部20可以通過供應管線25連接到第一殼體101、第二殼體102和第三殼體103。在一實施方式中，供應管線25可以連接到將在下面討論的供應孔或通道170和下供應孔或通道(見圖4的175)。流體供應部20可以將流體供應到隔室空間(見圖4的S1、S2和S3)。流體可以處于超臨界狀態。術語“超臨界狀態”可以表示材料達到其溫度和壓強等于或大于臨界點的臨界狀態，因此在氣相和液相之間沒有區別。處于超臨界狀態的材料可以具有與液體的分子密度相似的分子密度并具有與氣體的粘度類似的粘度。由于其極高的擴散性、滲透性和溶解性，超臨界材料可以具有化學反應的優點。此外，由于超臨界材料可以具有非常低的表面張力而不足以在精細結構上施加界面張力，所以超臨界材料可以防止圖案倒塌并具有優異的干燥效率，從而可用于干燥半導體器件。超臨界流體可以包括二氧化碳(CO2)、水(H2O)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、乙烯(C2H本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種工藝腔，包括：第一殼體；和第二殼體，在所述第一殼體上，其中所述第一殼體包括：第一外壁；第一分隔壁，面對所述第一外壁；和第一側壁，連接所述第一外壁和所述第一分隔壁，其中所述第二殼體包括：第二外壁；第二分隔壁，在所述第二外壁和所述第一分隔壁之間；和第二側壁，連接所述第二外壁和所述第二分隔壁，其中所述第一外壁和所述第二外壁中的每個具有比所述第一分隔壁的厚度和所述第二分隔壁的厚度大的厚度。

【技術特征摘要】
2017.06.19 KR 10-2017-00774261.一種工藝腔，包括：第一殼體；和第二殼體，在所述第一殼體上，其中所述第一殼體包括：第一外壁；第一分隔壁，面對所述第一外壁；和第一側壁，連接所述第一外壁和所述第一分隔壁，其中所述第二殼體包括：第二外壁；第二分隔壁，在所述第二外壁和所述第一分隔壁之間；和第二側壁，連接所述第二外壁和所述第二分隔壁，其中所述第一外壁和所述第二外壁中的每個具有比所述第一分隔壁的厚度和所述第二分隔壁的厚度大的厚度。2.根據權利要求1所述的工藝腔，其中所述第一殼體還包括：穿過所述第一殼體的至少一個第一供應通道；和穿過所述第一殼體的至少一個第一排出通道，所述第二殼體還包括：穿過所述第二殼體的至少一個第二供應通道；和穿過所述第二殼體的至少一個第二排出通道。3.根據權利要求2所述的工藝腔，其中所述第一分隔壁包括：面對所述第一外壁的第一壁表面；和面對所述第二分隔壁的第二壁表面，其中所述第二分隔壁包括：面對所述第二壁表面的第三壁表面；和面對所述第二外壁的第四壁表面，其中所述至少一個第一排出通道穿過所述第一外壁，其中所述至少一個第一供應通道包括：第一供應流動路徑，從所述第一壁表面朝向所述第二壁表面延伸；和第二供應流動路徑，從所述第一供應流動路徑朝向所述第一側壁延伸，其中所述至少一個第二供應通道穿過所述第二外壁，并且其中所述至少一個第二排出通道包括：第一排出流動路徑，從所述第四壁表面朝向所述第三壁表面延伸；和第二排出流動路徑，從所述第一排出流動路徑朝向所述第二側壁延伸。4.根據權利要求3所述的工藝腔，其中所述第一供應流動路徑、所述第一排出流動路徑、所述至少一個第二供應通道和所述至少一個第一排出通道彼此豎直地對準。5.根據權利要求2所述的工藝腔，其中所述至少一個第一供應通道包括沿著所述第一側壁的周邊提供的多個第一供應通道，所述至少一個第一排出通道包括沿著所述第一側壁的周邊提供的多個第一排出通道，所述至少一個第二供應通道包括沿著所述第二側壁的周邊提供的多個第二供應通道，所述至少一個第二排出通道包括沿著所述第二側壁的周邊提供的多個第二排出通道。6.根據權利要求5所述的工藝腔，其中所述多個第一排出通道中的一個面對所述多個第一供應通道中的一個，所述多個第二排出通道中的一個面對所述多個第二供應通道中的一個。7.根據權利要求6所述的工藝腔，還包括：第一防護構件，配置為關閉限定在所述第一側壁中的第一入口并包括穿過所述第一防護構件的第一子供應通道；和第二防護構件，配置為關閉限定在所述第二側壁中的第二入口并包括穿過所述第二防護構件的第二子供應通道，其中所述第一子供應通道面對所述多個第一排出通道中的另一個，并且其中所述第二子供應通道面對所述多個第二排出通道中的另一個。8.根據權利要求1所述的工藝腔，還包括在所述第一殼體與所述第二殼體之間的至少一個第三殼體，其中所述至少一個第三殼體包括：第三分隔壁；第四分隔壁，在所述第三分隔壁和所述第二殼體之間；和第三側壁，連接所述第三分隔壁和所述第四分隔壁，其中所述第三分隔壁和所述第四分隔壁中的每個具有比所述第一外壁的厚度和所述第二外壁的厚度小的厚度。9.根據權利要求8所述的工藝腔，其中所述第一分隔壁、所述第二分隔壁、所述第三分隔壁和所述第四分隔壁具有相同的厚度。10.根據權利要求8所述的工藝腔，其中所述至少一個第三殼體還包括：至少一個第三供應通道，穿過所述至少一個第三殼體；和至少一個第三排出通道，穿過所述至少一個第三殼體。11.根據權利要求10所述的工藝腔，其中所述第三分隔壁包括：面對所述第一殼體的第五壁表面；和面對所述第四分隔壁的第六壁表面，其中所述至少一個第三排出通道包括：第三排出流動路徑，從所述第五壁表面朝向所述第六壁表面延伸；和第四排出流動路徑，從所述第三排出流動路徑朝向所述第三側壁延伸，其中所述第四分隔壁包括：面對所述第三分隔壁的第七壁表面；和面對所述第二殼體的第八壁表面，其中所述至少一個第三供應通道包括：第三供應流動路徑，從所述第七壁表面朝向所述第八壁表面延伸；和第四供應流動路徑，從所述第三供應流動路徑朝向所述第三側壁延伸。12.根據權利要求10所述的工藝腔，其中所述至少一個第三供應通道包括沿著所述第三側壁的周邊提供的多個第三供...

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙庸真，金伶厚，鄭志薰，金榮俊，吳政玟，李根澤，李曉山，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國,KR