一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃制造技術

本實用新型專利技術公開了一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃，包括：底板；以及支撐板，垂直設置在所述底板兩側；支撐架，垂直所述底板和支撐板，橫向平行排列固定在所述底板和支撐板上；排氣孔，均勻設置在所述底板上，所述排氣孔排列的方向與所述支撐架垂直；還包括通氣管道，其平行設置在所述底板下方，所述通氣管道的出氣口與所述排氣孔對應，所述通氣管道的入氣口通向外部，與所述支撐板垂直；所述支撐架包括交叉設置的支撐條。本實用新型專利技術所述的提籃，增大了酸液與硅片的接觸面積，加快反應速度，提高反應的均勻性，無需人工攪拌，提高了反應效率，也減少了人力，可以一次處理多塊硅片，提高處理效率。

A basket is suitable for large diameter silicon surface treatment

The utility model discloses a basket suitable for large diameter silicon surface treatment, including: the bottom plate; and the support plate, the bottom plate is vertically arranged on both sides; the vertical support frame, a bottom plate and a supporting plate arranged in parallel, laterally fixed on the bottom plate and the support plate; vent holes evenly arranged on on the base, the exhaust hole arranged in the direction vertical with the supporting frame; also includes a ventilation pipe which is arranged in parallel at the bottom of the bottom plate, the outlet of the vent pipe and the air exhaust hole corresponding to the ventilation pipe inlet to the outside, and the supporting board are vertical; the supporting frame comprises a cross brace bar set. The basket provided by the utility model can increase the contact area of acid and silicon, accelerate the reaction speed, improve the uniformity of the reaction, without manual stirring, improve the reaction efficiency, but also reduce the human, can be a multi piece of silicon, improve processing efficiency.

【技術實現步驟摘要】
一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃
本技術涉及硅片表面處理
，更具體的是，本技術涉及一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃。
技術介紹
硅單晶中的各種缺陷對器件的性能有很大影響，它會造成擴散界面不平整，使晶體管中出現管道，引起p-n結反向漏電增大等。晶體缺陷有很多種，位錯也是其中一種，位錯是在晶體生長過程中原子排列錯誤造成的。對硅棒位錯的檢測主要是利用擇優腐蝕，針對大尺寸單晶，無法進行硅棒表面進行擇優腐蝕，只能對硅片表面進行處理。如何盡量保證硅片完整，在不影響觀測的前提下，對硅片盡量完整的分割是亟待解決的問題。
技術實現思路
本技術設計開發了一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃，能夠對大尺寸硅片表面進行處理，保證硅片的完整性，也不影響觀測。本技術提供的技術方案為：一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃，包括：底板；以及支撐板，垂直設置在所述底板兩側；支撐架，垂直所述底板和支撐板，橫向平行排列固定在所述底板和支撐板上；排氣孔，均勻設置在所述底板上，所述排氣孔排列的方向與所述支撐架垂直。優選的是，還包括通氣管道，其平行設置在所述底板下方，所述通氣管道的出氣口與所述排氣孔對應，所述通氣管道的入氣口通向外部，與所述支撐板垂直。優選的是，所述支撐架包括交叉設置的支撐條。優選的是，所述支撐架為網格狀結構。優選的是，所述支撐板上設置有提手。優選的是，所述通氣管道內通入氣體為惰性氣體。優選的是，所述支撐架之間的間距為10～50mm。優選的是，所述支撐板的高度為200～300mm。優選的是，還包括酸箱，其尺寸與所述提籃的尺寸相對應。本技術所述的有益效果為：本技術所述的適用于大直徑硅片表面處理的提籃，所述支撐架采用交叉設置的支撐條或者為網格狀結構，增大了酸液與硅片的接觸面積，所述底板上設置有排氣孔，其下方對應設置有通氣管道，通過向通氣管道內通入惰性氣體，使酸液內產生大量的氣泡，使其進行攪動，加快反應速度，提高反應的均勻性，無需人工攪拌，提高了反應效率，也減少了人力，所述支撐架為多個，橫向平行排列固定在所述底板和支撐板上，可以一次處理多塊硅片，提高處理效率。附圖說明圖1為本技術所述適用于大直徑硅片表面處理的提籃的結構示意圖。圖2為本技術所述酸箱的結構示意圖。圖3為本技術所述硅片的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本技術做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。本技術可以有許多不同的形式實施，而不應該理解為限于再次闡述的實施例，相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的。在附圖中，為了清晰起見，會夸大結構和區域的尺寸和相對尺寸。如圖1-3所示，本技術提供一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃100，包括：底板110；以及支撐板120A、120B，垂直設置在所述底板110兩側；支撐架130，垂直所述底板110和支撐板120，橫向平行排列固定在所述底板110和支撐板120上；排氣孔140，均勻設置在所述底板上，所述排氣孔排列的方向與所述支撐架垂直。還包括通氣管道150，其平行設置在所述底板110下方，所述通氣管道150的出氣口與所述排氣孔140對應，所述通氣管道150的入氣口151通向外部，與所述支撐板120A垂直。所述支撐架130包括交叉設置的支撐條131，可以讓更多的溶液接觸硅片表面。當然，所述支撐架130并不限于上述結構，也可以為網狀結構，硅片同樣能與更多的溶液接觸。其他能滿足上述目的結構均可。所述支撐板120A、120B上設置有提手160，方便操作者對其進行提取和放置。還包括酸箱170，其尺寸與所述提籃的尺寸相對應。所述通氣管道150內通入氣體為惰性氣體，通過通氣管道150輸入惰性氣體，使得酸箱170中的溶液內部產生大量的氣泡，使酸箱內的溶液進行攪動，加快反應速度，提高反應的均勻性，無需人工攪拌，提高了反應效率，也減少了人力。所述支撐架之間的間距為10～50mm，所述支撐板的高度為200～300mm。適用于17英寸以上的硅片，能夠對大尺寸硅片表面進行處理。應當理解的是，本技術所述的適用于大直徑硅片表面處理的提籃100并不限于上述尺寸，只要能滿足生產需要即可。硅片表面處理操作過程中，將硅片200分割成四片，橫向平行放置在相鄰兩個支撐架130之間，將處理硅片表面的酸液倒入酸箱170中，手提提手170將所述適用于大直徑硅片表面處理的提籃放入酸箱170中，外部通過通氣管道150的入氣口通入惰性氣體，使得酸箱170中的溶液內部產生大量的氣泡，使酸箱內的溶液進行攪動，增大酸液與硅片200的接觸面積，加快反應速度，提高反應的均勻性，無需人工攪拌，提高了反應效率，也減少了人力。所述適用于大直徑硅片表面處理的提籃的各個結構的材料均為聚四氟乙烯，其具有抗酸抗堿、抗各種有機溶劑的特點，幾乎不溶于所有的溶劑。同時，聚四氟乙烯(PTFE)具有耐高溫的特點，提高所述適用于大直徑硅片表面處理的提籃100的使用壽命。本技術所述的適用于大直徑硅片表面處理的提籃100，所述支撐架130采用交叉設置的支撐條或者為網格狀結構，增大了酸液與硅片的接觸面積，所述底板110上設置有排氣孔140，其下方對應設置有通氣管道150，通過向通氣管道150內通入惰性氣體，使酸液內產生大量的氣泡，使其進行攪動，加快反應速度，提高反應的均勻性，無需人工攪拌，提高了反應效率，也減少了人力，所述支撐架130為多個，橫向平行排列固定在所述底板110和支撐板120上，可以一次處理多塊硅片，提高處理效率。所述提籃100的各個結構的材料均為聚四氟乙烯，其具有耐高溫、抗酸抗堿、抗各種有機溶劑的優點，使得提籃100的使用壽命更長。盡管本技術的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本技術的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本技術并不限于特定的細節和這里示出與描述的圖例。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃，其特征在于，包括：底板；以及支撐板，垂直設置在所述底板兩側；支撐架，垂直所述底板和支撐板，橫向平行排列固定在所述底板和支撐板上；排氣孔，均勻設置在所述底板上，所述排氣孔排列的方向與所述支撐架垂直。

【技術特征摘要】
1.一種適用于大直徑硅片表面處理的提籃，其特征在于，包括：底板；以及支撐板，垂直設置在所述底板兩側；支撐架，垂直所述底板和支撐板，橫向平行排列固定在所述底板和支撐板上；排氣孔，均勻設置在所述底板上，所述排氣孔排列的方向與所述支撐架垂直。2.如權利要求1所述的適用于大直徑硅片表面處理的提籃，其特征在于，還包括通氣管道，其平行設置在所述底板下方，所述通氣管道的出氣口與所述排氣孔對應，所述通氣管道的入氣口通向外部，與所述支撐板垂直。3.如權利要求1所述的適用于大直徑硅片表面處理的提籃，其特征在于，所述支撐架包括交叉設置的支撐條。4.如權利要求1所述的適用于大直徑硅片表面處理的提籃...

【專利技術屬性】
技術研發人員：秦朗，李昀珺，何翠翠，
申請(專利權)人：錦州神工半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：遼寧,21