一種半導體設備用布線基板制造技術

本發明專利技術涉及一種半導體設備用布線基板及其加工工藝，屬于半導體裝置技術領域。該半導體設備用布線基板，包括基板、冷卻液箱、循環泵和散熱裝置，基板自內至外包括基板本體、緩沖層、非晶硅層和保護層，基板本體內設置有散熱管路，散熱管路、循環泵、冷卻液箱和散熱裝置依次通過管路連通形成回路的；散熱裝置包括散熱空腔和至少一片散熱片，散熱片設置在散熱空腔的外壁上。本發明專利技術的半導體設備用布線基板通過散熱管路、循環泵、冷卻液箱和散熱裝置的配合使用，能夠有效對基板進行散熱，防止基板在使用過程中溫度過高導致基板上的線路損壞。

A cabling substrate for semiconductor equipment

The invention relates to a wiring base plate used for semiconductor equipment and its processing technology, which belongs to the technical field of semiconductor devices. The wiring substrate with the semiconductor device includes a substrate, a cooling liquid tank, a circulating pump and a cooling device, from inside to outside the substrate comprises a substrate body, a buffer layer, an amorphous silicon layer and a protective layer, a substrate is arranged in the heat pipe, heat pipe, circulating pump, cooling water tank and a heat dissipating device by pipelines. Connected to form a loop; the heat dissipating device comprises a heat radiating cavity and at least one fins, a radiating fin arranged on the outer wall of the cooling cavity. The wiring substrate of the semiconductor device can effectively dissipate heat on the substrate by heat pipe, circulation pump, cooling box and radiator, and prevent the damage of the substrate on the substrate when the temperature is too high.

【技術實現步驟摘要】
一種半導體設備用布線基板
本專利技術涉及一種半導體設備用布線基板，屬于半導體裝置

技術介紹
半導體（semiconductor），指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。隨著半導體的廣泛應用，布線基板由于是半導體設備中的重要組成部分，也被廣泛應用，由于目前電子產品在使用過程中，常常發生過熱現在，容易造成布線基板上的線路損壞。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是，針對現有技術不足，提出一種具有降溫功能的半導體設備用布線基板及其加工工藝。本專利技術為解決上述技術問題提出的技術方案是：一種半導體設備用布線基板，包括基板、冷卻液箱、循環泵和散熱裝置，基板自內至外包括基板本體、緩沖層、非晶硅層和保護層，基板本體內設置有散熱管路，散熱管路、循環泵、冷卻液箱和散熱裝置依次通過管路連通形成回路的；散熱裝置包括散熱空腔和至少一片散熱片，散熱片設置在散熱空腔的外壁上；其中散熱片的加工工藝包括以下步驟：A、配料：散熱片中各成分的質量百分比為：C：0.01-0.03%，Fe:3.23-4.45%,Zn:2.21-2.67%,Mn：0.67-0.94%，Cr：0.03-0.06%，Ni：0.11-0.17%，Mo：0.11-0.15%，Pd：0.03-0.08%,Ce：0.02-0.08%,Lu:0.13-0.17%，Ga：0.66-0.75%，Y：0.01-0.03%，Sn：0.69-1.27%，Zr：0.02-0.05%，Re：0.01-0.03%，余量為Al；B、制備坯料：以步驟㈠中配料為原料通過熔煉制成正方形坯料；C、鍛打:將步驟B中的正方形坯料在800-900℃的溫度下鍛打，制得散熱片毛胚；D、車加工：將毛胚安裝需要的尺寸進行車加工制得初始散熱片；E、清洗去油：將初始散熱片進行清洗去油；F、將初始散熱片進行熱處理，具體工藝為：加熱：將初始散熱片加熱至800-820℃，并保溫1-2小時；冷卻：采用風冷以6-8℃/s的冷卻速率將初始散熱片加速冷卻至250-300℃后，再空冷至室溫；一次回火：將初始散熱片加熱至550-600℃回火65-75min后，以11-15℃/s的冷卻速率加速冷卻至300℃后，再空冷至室溫；淬火：將初始散熱片加熱到700℃，在淬火油中進行淬火30min，再空冷至室溫；二次回火：將淬火后的初始散熱片加熱至600℃回火40-45min，后空冷至室溫；G、將初始散熱片清洗并烘干，制得散熱片。上述技術方案的改進是：散熱管路和循環泵之間的管路上設置有閥門。上述技術方案的改進是：冷卻液箱內設置有溫度傳感器。上述技術方案的改進是：基板的上表面設置有至少一個第一導電接墊，基板的下表面與第一導電接墊對應位置設置有至少一個第二導電接墊，基板內設置有至少一個導電柱，導電柱與第一導電接墊和第二導電接墊的其中之一抵接。上述技術方案的改進是：導電柱與基板接觸的部分設置有絕緣層。上述技術方案的改進是：散熱片為三片，三片散熱片均勻間隔設置在散熱空腔的下端外壁上。上述技術方案的改進是：散熱片的加工工藝的步驟A中，所述散熱片中各成分的質量百分比為：C：0.01%，Fe:3.25%,Zn:2.27%,Mn：0.69%，Cr：0.04%，Ni：0.12%，Mo：0.13%，Pd：0.04%,Ce：0.03%,Lu:0.14%，Ga：0.69%，Y：0.02%，Sn：0.77%，Zr：0.03%，Re：0.02%，余量為Al。上述技術方案的改進是：散熱片的加工工藝的步驟A中，所述散熱片中各成分的質量百分比為：C：0.02%，Fe:4.34%,Zn:2.55%,Mn：0.88%，Cr：0.05%，Ni：0.17%，Mo：0.15%，Pd：0.08%,Ce：0.05%,Lu:0.16%，Ga：0.69%，Y：0.03%，Sn：1.27%，Zr：0.05%，Re：0.03%，余量為Al。本專利技術采用上述技術方案的有益效果是：（1）本專利技術的半導體設備用布線基板通過散熱管路、循環泵、冷卻液箱和散熱裝置的配合使用，能夠有效對基板進行散熱，防止基板在使用過程中溫度過高導致基板上的線路損壞；（2）本專利技術的半導體設備用布線基板通過在非晶硅層的外表面設置保護層，能夠有效防止非晶硅層被氧化；（3）本專利技術的半導體設備用布線基板通過散熱裝置能夠將冷卻液箱內的冷卻液進行快速降溫，降低了冷卻液送入基板內的散熱管路時的溫度，大大提高了散熱效果；（4）本專利技術的半導體設備用布線基板通過溫度傳感器，方便操作人員實時了解冷卻液箱內的溫度情況，當溫度過高時能夠及時切斷電路，避免基板上的線路損壞；（5）本專利技術的半導體設備用布線基板預留了第一導電接墊、第二導電接墊和導電柱，方便后期的布線，提高生產率；（6）本專利技術的半導體設備用布線基板導電柱與基板接觸的部分設置有絕緣層，提高了基板的穩定性；（7）本專利技術的半導體設備用布線基板的散熱片原料中含有Ni、Zn和Sn，使其具有優良的耐腐蝕性能，延長了使用壽命；（8）本專利技術的半導體設備用布線基板的散熱片的加工過程中，通過鍛打和熱處理的結合，大大提高看散熱片的力學性能，延遲了使用壽命。附圖說明下面結合附圖對本專利技術作進一步說明：圖1是本專利技術實施例半導體設備用布線基板的結構示意圖；其中：1-保護層，2-非晶硅層，3-緩沖層，4-基板本體，5-第一導電接墊，6-散熱管路，7-閥門，8-循環泵，9-導電柱，10-第二導電接墊，11-絕緣層，12-散熱空腔，13-散熱片，14-冷卻液箱，15-溫度傳感器。具體實施方式實施例一本實施例的半導體設備用布線基板，如圖1所示，包括基板、冷卻液箱14、循環泵8和散熱裝置，基板自內至外包括基板本體4、緩沖層3、非晶硅層2和保護層1，基板本體4內設置有散熱管路6，散熱管路6、循環泵8、冷卻液箱14和散熱裝置依次通過管路連通形成回路的；散熱裝置包括散熱空腔12和散熱片13，散熱片13為三片，三片散熱片13均勻間隔設置在散熱空腔12的下端外壁上。散熱管路6和循環泵8之間的管路上設置有閥門7。冷卻液箱14內設置有溫度傳感器15。基板的上表面設置有一個第一導電接墊5，基板的下表面與第一導電接墊5對應位置設置有一個第二導電接墊10，基板內設置有一個導電柱9，導電柱9與第二導電接墊10抵接。導電柱9與基板接觸的部分設置有絕緣層11。其中保護層采用EVA薄膜。其中散熱片的加工工藝包括以下步驟：A、配料：散熱片中各成分的質量百分比為：C：0.01%，Fe:3.25%,Zn:2.27%,Mn：0.69%，Cr：0.04%，Ni：0.12%，Mo：0.13%，Pd：0.04%,Ce：0.03%,Lu:0.14%，Ga：0.69%，Y：0.02%，Sn：0.77%，Zr：0.03%，Re：0.0本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體設備用布線基板，其特征在于：包括基板、冷卻液箱、循環泵和散熱裝置，所述基板自內至外包括基板本體、緩沖層、非晶硅層和保護層，所述基板本體內設置有散熱管路，所述散熱管路、循環泵、冷卻液箱和散熱裝置依次通過管路連通形成回路的；所述散熱裝置包括散熱空腔和至少一片散熱片，所述散熱片設置在所述散熱空腔的外壁上；其中散熱片的加工工藝包括以下步驟：A、配料：所述散熱片中各成分的質量百分比為：C：0.01?0.03%，?Fe:3.23?4.45%,Zn:2.21?2.67%,Mn：0.67?0.94%，Cr：0.03?0.06%，Ni：0.11?0.17%，Mo：0.11?0.15%，Pd：0.03?0.08%,Ce：0.02?0.08%,Lu:0.13?0.17%，Ga：0.66?0.75%，Y：0.01?0.03%，Sn：0.69?1.27%，Zr：0.02?0.05%，Re：0.01?0.03%，余量為Al；B、制備坯料：以步驟㈠中配料為原料通過熔煉制成正方形坯料；C、鍛打:將步驟B中的正方形坯料在800?900℃的溫度下鍛打，制得散熱片毛胚；D、車加工：將毛胚安裝需要的尺寸進行車加工制得初始散熱片；E、清洗去油：將初始散熱片進行清洗去油；F、將初始散熱片進行熱處理，具體工藝為：加熱：將初始散熱片加熱至800?820℃，并保溫1?2小時；冷卻：采用風冷以6?8℃/s的冷卻速率將初始散熱片加速冷卻至250?300℃后，再空冷至室溫；一次回火：將初始散熱片加熱至550?600℃回火65?75min后，以11?15℃/s的冷卻速率加速冷卻至300℃后，再空冷至室溫；淬火：將初始散熱片加熱到700℃，在淬火油中進行淬火30min，再空冷至室溫；二次回火：將淬火后的初始散熱片加熱至600℃回火40?45min，后空冷至室溫；G、將初始散熱片清洗并烘干，制得散熱片。...

【技術特征摘要】
1.一種半導體設備用布線基板，其特征在于：包括基板、冷卻液箱、循環泵和散熱裝置，所述基板自內至外包括基板本體、緩沖層、非晶硅層和保護層，所述基板本體內設置有散熱管路，所述散熱管路、循環泵、冷卻液箱和散熱裝置依次通過管路連通形成回路的；所述散熱裝置包括散熱空腔和至少一片散熱片，所述散熱片設置在所述散熱空腔的外壁上；其中散熱片的加工工藝包括以下步驟：A、配料：所述散熱片中各成分的質量百分比為：C：0.01-0.03%，Fe:3.23-4.45%,Zn:2.21-2.67%,Mn：0.67-0.94%，Cr：0.03-0.06%，Ni：0.11-0.17%，Mo：0.11-0.15%，Pd：0.03-0.08%,Ce：0.02-0.08%,Lu:0.13-0.17%，Ga：0.66-0.75%，Y：0.01-0.03%，Sn：0.69-1.27%，Zr：0.02-0.05%，Re：0.01-0.03%，余量為Al；B、制備坯料：以步驟㈠中配料為原料通過熔煉制成正方形坯料；C、鍛打:將步驟B中的正方形坯料在800-900℃的溫度下鍛打，制得散熱片毛胚；D、車加工：將毛胚安裝需要的尺寸進行車加工制得初始散熱片；E、清洗去油：將初始散熱片進行清洗去油；F、將初始散熱片進行熱處理，具體工藝為：加熱：將初始散熱片加熱至800-820℃，并保溫1-2小時；冷卻：采用風冷以6-8℃/s的冷卻速率將初始散熱片加速冷卻至250-300℃后，再空冷至室溫；一次回火：將初始散熱片加熱至550-600℃回火65-75min后，以11-15℃/s的冷卻速率加速冷卻至300℃后，再空冷至室溫；淬火：將初始散熱片加熱到700℃，在淬火油中進行淬火30min，再空冷至室溫；二次回火：將淬火后的初始散熱片加熱至600℃回火40-45min，后空冷至...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張躍宏，
申請(專利權)人：鎮江佳鑫精工設備有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇,32