一種顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置，顯示面板包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，該制作方法包括：在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；對(duì)位于周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；對(duì)位于顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，第二能量小于第一能量。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供的上述制作方法便于驅(qū)動(dòng)電路及顯示電路集成在同一面板上，能夠得到區(qū)域要求的不同效果，具備不同功能的低溫多晶硅，符合高電子遷移率的需求，以及降低漏電流的需求。

Method for making display panel, display panel and display device

The invention discloses a display panel and display device manufacturing method, display panel, display panel includes a display area and a peripheral circuit region located on both sides of the display, the production method includes: forming an amorphous silicon layer and high temperature treatment on a substrate; an amorphous silicon layer on the peripheral circuit region by the first the energy of the excimer laser annealing, forming a first polysilicon layer; the amorphous silicon layer located in the display area of the second energy excimer laser annealing, forming a polysilicon layer second; among them, second less than the first energy energy. The preparation method of the invention is provided for driving circuit and display circuit are integrated on the same panel, can get different effect of the regional requirements, low temperature polycrystalline silicon with different functions, meet the demand of high electron mobility, and reduce the leakage current demand.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置
本專(zhuān)利技術(shù)涉及顯示
，尤指一種顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置。
技術(shù)介紹
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，簡(jiǎn)稱(chēng)AMOLED)憑據(jù)高畫(huà)質(zhì)、移動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間短、低功耗、寬視角及超輕超薄等優(yōu)點(diǎn)，成為了未來(lái)顯示技術(shù)的最好選擇。目前AMOLED中，背板技術(shù)中制作多晶硅層，包括采用準(zhǔn)分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，簡(jiǎn)稱(chēng)ELA)，固相晶化(SolidPhaseCrystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)SPC)，金屬誘導(dǎo)晶化(metalinducedcrystallization，簡(jiǎn)稱(chēng)MIC)等多種制作方法。而采用ELA工藝得到的背板中晶體管有源層的多晶硅薄膜是唯一已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的方法。在多晶硅層的制作過(guò)程中，晶粒尺寸與均勻性的矛盾性，很難成就多晶硅又大又均勻。通常ELA工藝中，采用一次性完成整個(gè)面板(Panel)的激光退火掃描，只能滿(mǎn)足其中之一的需求。以AMOLED為例，其周邊電路中的低溫多晶硅薄膜晶體管需要具有較高的電子遷移率和開(kāi)啟狀態(tài)的電流；顯示區(qū)則需要具備低漏電流的要求；而目前以ELA工藝所形成的多晶硅無(wú)法同時(shí)符合此二要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置，可以使驅(qū)動(dòng)電路及顯示電路集成在同一面板上，具備不同功能的低溫多晶硅，符合高電子遷移率的需求，以及降低漏電流的需求。因此，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，包括：在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；對(duì)位于所述周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；對(duì)位于所述顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，所述第二能量小于第一能量。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，對(duì)位于所述顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火的同時(shí)，還包括：對(duì)位于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的至少部分所述第一多晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第三多晶硅層。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域分別設(shè)置有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第二多晶硅層和第三多晶硅層分別為所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，所述第二多晶硅層的晶粒尺寸小于所述第三多晶硅層的晶粒尺寸。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，所述第二多晶硅的晶粒尺寸大于200nm且小于300nm；所述第三多晶硅的晶粒尺寸大于400nm。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，所述第一能量的激光能量密度為360mJ/cm2至410mJ/cm2；所述第二能量的激光能量密度為300mJ/cm2至350mJ/cm2。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，所述準(zhǔn)分子激光退火的條件包括：采用氯化氙、氟化氪或氟化氬準(zhǔn)分子激光器，激光脈沖頻率為300Hz，重疊率為92％至98％，激光掃描速率為2mm/s至10mm/s。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，所述周邊電路區(qū)域具有第三多晶硅層；所述顯示區(qū)域具有第二多晶硅層；所述第二多晶硅層與所述第三多晶硅層相鄰，且所述第二多晶硅層的晶粒尺寸小于所述第三多晶硅層的晶粒尺寸。在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述顯示面板為低溫多晶硅有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板或低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的有益效果包括：本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的一種顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置，顯示面板包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，該制作方法包括：在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；對(duì)位于周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；對(duì)位于顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，第二能量小于第一能量。本專(zhuān)利技術(shù)提供的上述制作方法便于驅(qū)動(dòng)電路及顯示電路集成在同一面板上，能夠得到區(qū)域要求的不同效果，具備不同功能的低溫多晶硅，符合高電子遷移率的需求，以及降低漏電流的需求。附圖說(shuō)明圖1為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的顯示面板的制作方法流程圖之一；圖2為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的顯示面板的制作方法流程圖之二；圖3為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的顯示面板中的第一多晶硅層和第二多晶硅層的示意圖；圖4為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的準(zhǔn)分子激光退火掃描方法結(jié)合panel的示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖，對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的顯示面板的制作方法、顯示面板及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。其中，附圖中各結(jié)構(gòu)的大小和形狀不反映顯示面板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
。本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示面板的制作方法，顯示面板包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，如圖1所示，包括：S101、在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；S102、對(duì)位于周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；S103、對(duì)位于顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，第二能量小于第一能量。在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，首先在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；然后對(duì)位于周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；之后對(duì)位于顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，第二能量小于第一能量。本專(zhuān)利技術(shù)提供的上述制作方法便于驅(qū)動(dòng)電路及顯示電路集成在同一面板上，能夠得到區(qū)域要求的不同效果，具備不同功能的低溫多晶硅，符合高電子遷移率的需求，以及降低漏電流的需求。在具體實(shí)施時(shí)，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中，如圖2所示，對(duì)位于顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火的同時(shí)，還可以包括以下步驟：S201、同時(shí)對(duì)位于顯示區(qū)域兩側(cè)的至少部分第一多晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第三多晶硅層。如圖3所示，采用第一能量對(duì)位于周邊電路區(qū)域1(虛線標(biāo)注處)的非晶硅層進(jìn)行第一次準(zhǔn)分子激光退火，激光掃描方向?yàn)檠豠到a’方向，形成第一多晶硅層；采用第二能量對(duì)位于顯示區(qū)域的非晶硅層和對(duì)位于顯示區(qū)域兩側(cè)的至少部分第一多晶硅層進(jìn)行第二次準(zhǔn)分子激光退火，激光掃描方向?yàn)檠豣到b’方向，此處進(jìn)行第二次準(zhǔn)分子激光退火的區(qū)域?yàn)閳D3中的區(qū)域2(實(shí)線標(biāo)注處)，此時(shí)形成了第二多晶硅層和第三多晶硅層。上述步驟S103和步驟S201是同時(shí)進(jìn)行的，這樣經(jīng)過(guò)了兩次準(zhǔn)分子激光退火，可以保證了周邊電路區(qū)域的大晶粒存在，也降低了這個(gè)區(qū)域的高能量準(zhǔn)分子激光退火帶來(lái)的大表面粗糙度，達(dá)到了準(zhǔn)分子激光退火工藝非常和諧的調(diào)整。進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的上述顯示面板的制作方法中本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，其特征在于，包括：在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；對(duì)位于所述周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；對(duì)位于所述顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，所述第二能量小于第一能量。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示面板的制作方法，所述顯示面板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的周邊電路區(qū)域，其特征在于，包括：在襯底基板上形成非晶硅層并進(jìn)行高溫處理；對(duì)位于所述周邊電路區(qū)域的非晶硅層采用第一能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第一多晶硅層；對(duì)位于所述顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第二多晶硅層；其中，所述第二能量小于第一能量。2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，對(duì)位于所述顯示區(qū)域的非晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火的同時(shí)，還包括：對(duì)位于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的至少部分所述第一多晶硅層采用第二能量進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成第三多晶硅層。3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域分別設(shè)置有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第二多晶硅層和所述第三多晶硅層分別為所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。4.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二多晶硅層的晶粒尺寸小于所述第三多晶硅層的晶粒尺寸。5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二多晶硅的...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田雪雁，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京,11