• 
    <ul id="o6k0g"></ul>
    <ul id="o6k0g"></ul>

    一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):15692923 閱讀:121 留言:0更新日期:2017-06-24 07:20
    本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置,通過(guò)將漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線同層設(shè)置,從而避免單獨(dú)設(shè)置觸控走線所在膜層,從而無(wú)需使用單獨(dú)的掩膜版通過(guò)相應(yīng)的構(gòu)圖工藝來(lái)制作觸控走線層;以及,還通過(guò)將像素電極與漏極在不通過(guò)過(guò)孔的情況下直接電性連接,從而無(wú)需通過(guò)掩膜版的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行孔刻;進(jìn)而省去了兩次掩膜版構(gòu)圖工藝。因此,本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例提供的技術(shù)方案能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程,降低工藝流程復(fù)雜程度,減少掩膜版使用數(shù)量,生產(chǎn)成本低。

    Array substrate, preparation method thereof, display panel and display device

    The embodiment of the invention, an array substrate and a preparation method thereof, display panel and display device is provided, through the drain and source, the data line and the touch line with layer, thus avoiding a separate set of touch line where the film, so there is no need to use the composition process corresponding to make the touch line layer the mask alone; and, through the pixel electrode and the drain in through the hole under the condition of direct electrical connection, so there is no need to process through the composition of mask to hole and the two moment; the mask patterning process is omitted. Therefore, the technical proposal provided by the embodiment of the invention can simplify the manufacturing process of the array substrate, reduce the complexity of the process flow, reduce the use number of the mask plate and lower the production cost.

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置
    本專利技術(shù)涉及觸控
    ,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。
    技術(shù)介紹
    隨著觸控
    的發(fā)展,具有觸控功能的顯示面板已經(jīng)越來(lái)越成為主流顯示產(chǎn)品。現(xiàn)有的顯示面板和觸控面板的集成方式一般分為in-cell(內(nèi)嵌式)和on-cell(盒外式)兩種方式,in-cell觸摸屏相較于on-cell觸摸屏來(lái)說(shuō)更為輕薄。目前,現(xiàn)有技術(shù)的in-cell觸摸屏的陣列基板至少包括柵極金屬層、半導(dǎo)體層、源漏極金屬層、第一氮化硅層、像素電極、觸控金屬層、第二氮化硅層和公共電極。專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題:現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制備過(guò)程中,在形成上述柵極金屬層、半導(dǎo)體層、源漏極金屬層、第一絕緣層、像素電極、觸控金屬層、第二絕緣層和公共電極時(shí),每層均需要使用單獨(dú)的掩膜版通過(guò)相應(yīng)的構(gòu)圖工藝來(lái)制作,工藝流程較為復(fù)雜,需要使用數(shù)量較多的掩膜版,生產(chǎn)成本高。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    有鑒于此,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置,能夠減少掩膜版的使用數(shù)量,簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程。一方面,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種陣列基板,包括:襯底基板;位于所述襯底基板上的第一金屬層,所述第一金屬層包括柵極和柵線;位于所述第一金屬層上的有源層;位于所述柵極和柵線所在膜層上的像素電極;位于所述有源層和所述像素電極上的第二金屬層,所述第二金屬層包括漏極、源極和數(shù)據(jù)線,其中,所述漏極與所述像素電極電性連接;位于所述第二金屬層上的公共電極層,所述公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊,所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極;所述陣列基板還包括:觸控走線,位于所述第二金屬層;所述觸控走線與所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和像素電極電性絕緣,且通過(guò)過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。具體地,所述陣列基板還包括:第一絕緣層,位于所述第一金屬層和所述有源層之間。具體地,所述陣列基板還包括:第二絕緣層,位于所述公共電極層和所述第二金屬層之間;所述第二絕緣層上設(shè)有過(guò)孔。具體地,所述漏極與所述像素電極直接電性連接。具體地,所述觸控走線與所述數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,且所述觸控走線與所述數(shù)據(jù)線平行。另一方面,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示面板,包括:上述的陣列基板。另一方面,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種顯示裝置,包括:上述的顯示面板。另一方面,本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法,包括:在襯底基板形成第一金屬層,所述第一金屬層包括柵極和柵線;在所述第一金屬層上形成有源層;在所述柵極和柵線所在膜層上形成像素電極;,在所述有源層和所述像素電極上形成第二金屬層和觸控走線,其中,所述第二金屬層以及包括所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在的第二金屬層,其中,所述漏極與所述像素電極電性連接;形成覆蓋第二金屬層的第二絕緣層,在所述第二絕緣層上形成過(guò)孔;在所述第二金屬層上形成公共電極層,其中,所述公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊,所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極,所述公共電極塊通過(guò)所述過(guò)孔與所述觸控走線電性連接。具體地,所述方法還包括:在所述第一金屬層和所述有源層之間形成第一絕緣層。具體地,所述方法還包括:在所述公共電極層和所述第二金屬層之間形成第二絕緣層,并在所述第二絕緣層上形成過(guò)孔。具體地,所述漏極與所述像素電極直接電性連接。具體地,所述觸控走線與所述數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,且所述觸控走線與所述數(shù)據(jù)線平行。上述技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)方案具有如下有益效果:本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置,通過(guò)將漏極、源極、數(shù)據(jù)線和觸控走線同層設(shè)置,避免單獨(dú)設(shè)置觸控走線所在膜層,故無(wú)需使用單獨(dú)的掩膜版并通過(guò)相應(yīng)的構(gòu)圖工藝來(lái)制作觸控走線層,能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作過(guò)程,降低工藝流程復(fù)雜程度,減少掩膜版使用數(shù)量,生產(chǎn)成本低。【附圖說(shuō)明】為了更清楚地說(shuō)明本專利技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板上一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖1中AA’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板上另一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板的制備方法的步驟示意圖;圖5為本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板的制備方法的步驟示意圖;圖6為本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實(shí)施方式】為了更好的理解本專利技術(shù)的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確,所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。在本專利技術(shù)實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的,而非旨在限制本專利技術(shù)。在本專利技術(shù)實(shí)施例和所附權(quán)利要求書(shū)中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式,除非上下文清楚地表示其他含義。應(yīng)當(dāng)理解,盡管在本專利技術(shù)實(shí)施例中可能采用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述絕緣層,但這些絕緣層不應(yīng)限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將絕緣層彼此區(qū)分開(kāi)。例如,在不脫離本專利技術(shù)實(shí)施例范圍的情況下,第一絕緣層也可以被稱為第二絕緣層,類似地,第二絕緣層也可以被稱為第一絕緣層。如圖1和圖2所示,圖1為本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板上一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖、圖2為圖1中AA’向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖、圖3為專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種陣列基板上另一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖,本專利技術(shù)提供一種陣列基板,包括:襯底基板1;位于襯底基板1上的第一金屬層2,第一金屬層包括柵極21和柵線22;位于第一金屬層2上的有源層3;位于柵極21和柵線22所在膜層上的像素電極4;位于有源層3和像素電極4上的第二金屬層5,第二金屬層5包括漏極51、源極52和數(shù)據(jù)線53,其中,漏極51與像素電極4電性連接;位于第二金屬層5上的公共電極層6,公共電極層6包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊,公共電極塊復(fù)用為觸控電極;觸控走線7,位于第二金屬層5;觸控走線7與漏極51、源極52、數(shù)據(jù)線53和像素電極4電性絕緣,且通過(guò)過(guò)孔91與公共電極層6的公共電極塊電性連接。其中,陣列基板包括由多行柵線和多列數(shù)據(jù)線交叉限定的多個(gè)子像素單元,在每個(gè)子像素單元中,源極和漏極分別位于有源層的兩側(cè),柵極與有源層的溝道區(qū)域相對(duì)設(shè)置,源極、漏極、有源層和柵極形成陣列基板中的薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)。需要說(shuō)明的是,圖1和圖3中每個(gè)公共電極分別對(duì)應(yīng)一條觸控走線,在實(shí)際過(guò)程中,對(duì)于觸控精度的要求是遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于顯示精度的,故一個(gè)公共電極會(huì)對(duì)應(yīng)有多個(gè)子像素,每個(gè)公共電極通過(guò)過(guò)孔與一條觸控走線電連接。圖1所示的實(shí)施例中,相鄰的兩條數(shù)據(jù)線53和相鄰的兩條柵線22交叉圍成一個(gè)子像素。相鄰的多個(gè)不同顏色的子像素單元可以構(gòu)成一個(gè)像素單元,例如,在行方向上相鄰的一個(gè)紅色子像素,一個(gè)綠色子像素和一個(gè)藍(lán)色子像素可以構(gòu)成一個(gè)像素,一個(gè)像素中的多個(gè)子像素根據(jù)灰階的不同,可以進(jìn)行不同顏色的顯示。生本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
    一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種陣列基板,其特征在于,包括:襯底基板;位于所述襯底基板上的第一金屬層,所述第一金屬層包括柵極和柵線;位于所述第一金屬層上的有源層;位于所述柵極和柵線所在膜層上的像素電極;位于所述有源層和所述像素電極上的第二金屬層,所述第二金屬層包括漏極、源極和數(shù)據(jù)線,其中,所述漏極與所述像素電極電性連接;位于所述第二金屬層上的公共電極層,所述公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊,所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極;所述陣列基板還包括:觸控走線,位于所述第二金屬層;所述觸控走線與所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和像素電極電性絕緣,且通過(guò)過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種陣列基板,其特征在于,包括:襯底基板;位于所述襯底基板上的第一金屬層,所述第一金屬層包括柵極和柵線;位于所述第一金屬層上的有源層;位于所述柵極和柵線所在膜層上的像素電極;位于所述有源層和所述像素電極上的第二金屬層,所述第二金屬層包括漏極、源極和數(shù)據(jù)線,其中,所述漏極與所述像素電極電性連接;位于所述第二金屬層上的公共電極層,所述公共電極層包括多個(gè)以陣列方式設(shè)置的公共電極塊,所述公共電極塊復(fù)用為觸控電極;所述陣列基板還包括:觸控走線,位于所述第二金屬層;所述觸控走線與所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和像素電極電性絕緣,且通過(guò)過(guò)孔與所述公共電極層的公共電極塊電性連接。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:第一絕緣層,位于所述第一金屬層和所述有源層之間。3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:第二絕緣層,位于所述公共電極層和所述第二金屬層之間;所述第二絕緣層上設(shè)有過(guò)孔。4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述漏極與所述像素電極直接電性連接。5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述觸控走線與所述數(shù)據(jù)線相鄰設(shè)置,且所述觸控走線與所述數(shù)據(jù)線平行。6.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的陣列基板。7.一種顯...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:金慧俊張敏
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:上海中航光電子有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:上海,31

    網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條評(píng)論
    • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。

    1
    主站蜘蛛池模板: 国产成人年无码AV片在线观看| 成在线人免费无码高潮喷水| 国产成人无码精品久久久性色| 久久中文精品无码中文字幕| 国产羞羞的视频在线观看 国产一级无码视频在线 | 久久男人Av资源网站无码软件| 亚洲中文字幕久久无码| 国产午夜无码片在线观看| 无码国产精品一区二区免费模式| 亚洲AV无码成人精品区日韩| 国产午夜鲁丝无码拍拍| 精品人妻无码一区二区三区蜜桃一| 中文无码熟妇人妻AV在线| 亚洲一区AV无码少妇电影| 国产热の有码热の无码视频| 日韩专区无码人妻| 色噜噜综合亚洲av中文无码| 成人无码Av片在线观看| 免费无码一区二区三区| 亚洲无码精品浪潮| 日本精品无码一区二区三区久久久 | 亚洲AV无码精品色午夜果冻不卡| 久久亚洲AV成人无码国产电影 | 综合无码一区二区三区| 永久免费av无码网站大全| 精品无码国产自产在线观看水浒传| 在线观看片免费人成视频无码| 日韩AV无码不卡网站| 老司机无码精品A| 无码日本电影一区二区网站| 精品无码AV无码免费专区| 无码视频一区二区三区在线观看| 精品久久久久久无码国产| 亚洲av无码成人精品区在线播放 | 亚洲熟妇无码另类久久久| 在线播放无码高潮的视频| 国产色爽免费无码视频| 亚洲中文字幕无码不卡电影| 中国少妇无码专区| 亚洲av无码专区国产乱码在线观看 | 中文字幕无码日韩欧毛|