一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，可保護有源層免受光照影響，減少器件V

Array substrate, preparation method thereof and display device

The embodiment of the invention provides an array substrate, a preparation method thereof and a display device, relating to the display technology field, and can protect the active layer from the influence of illumination and reduce the device V

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
技術介紹
如圖1所示，頂柵型(TopGate，簡稱為TPG)薄膜晶體管由于柵極與源極、漏極交疊面積較少，產(chǎn)生的寄生電容也相對較小而廣泛應用于有源矩陣顯示產(chǎn)品中的陣列基板上。在TPG型薄膜晶體管中，由于有源層位于柵極下方，來自于襯底基板背離薄膜晶體管一側的光線穿過襯底基板會照射到有源層上后會使得有源層的NBIS(全稱為NegativeBiasIlluminationStability，即負偏壓光照穩(wěn)定性)和PBIS(全稱為PositiveBiasIlluminationStability，即正偏壓光照穩(wěn)定性)降低，導致器件的閾值電壓(Vth)產(chǎn)生非常嚴重的漂移。因此，針對TPG型薄膜晶體管，現(xiàn)有技術在形成有源層之前先在襯底基板上方依次沉積了遮擋層(即Shield層)和緩沖層(即Buffer層)，利用遮擋層使得來自于襯底基板背離薄膜晶體管一側的光線不會穿過襯底基板照射到有源層上，以提高器件的可靠性。在TPG型薄膜晶體管的結構中，為了隔離包括有源極和漏極的源漏金屬層與包括有柵極的柵金屬層，需要在這兩層之間沉積層間絕緣層(InterlayerDielectric，簡稱為ILD)，常用的ILD材料有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等絕緣介質(zhì)。由于這些絕緣材料都是透明的，從設置在TPG型薄膜晶體管上方的OLED器件(全稱為OrganicLight-EmittingDisplay，即有機電致發(fā)光顯示)發(fā)出的光或是背光源經(jīng)薄膜晶體管下方的緩沖層透過的光在陣列基板各層中經(jīng)過一系列反射和/或折射，最終仍然會有光線照射到TPG型薄膜晶體管中的有源層上，導致薄膜晶體管的Vth仍然會產(chǎn)生漂移，影響器件的開關特性。
技術實現(xiàn)思路
鑒于此，為解決現(xiàn)有技術的問題，本專利技術的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可保護有源層免受光照影響，減少薄膜晶體管出現(xiàn)Vth漂移現(xiàn)象，保證器件良好的開關特性。為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：第一方面、本專利技術實施例提供了一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括，在襯底基板上形成依次遠離所述襯底基板的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；所述制備方法還包括，采用濺射法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為靶材，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；或者，采用蒸鍍法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為蒸發(fā)源，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成至少位于所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔；在所述第一層間絕緣層上方形成通過所述通孔分別與所述源極接觸區(qū)相連的源極、與所述漏極接觸區(qū)相連的漏極。可選的，在所述對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成第一層間絕緣層的步驟之前，所述制備方法還包括，形成覆蓋所述非晶硅薄膜的絕緣材料薄膜；所述對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成第一層間絕緣層的步驟包括，采用同一構圖工藝對所述非晶硅薄膜與所述絕緣材料薄膜進行處理，形成至少位于所述有源層上方的圖案相同的第一層間絕緣層與第二層間絕緣層；其中，露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔貫穿所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層。可選的，所述陣列基板劃分有多個像素區(qū)域；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的所述通孔的同時，還形成有位于所述像素區(qū)域的鏤空部分。優(yōu)選的，所述制備方法還包括，形成覆蓋所述襯底基板的鈍化層；在所述鈍化層覆蓋所述鏤空區(qū)域的上方形成彩色濾光層。可選的，構成所述柵極的材料包括銅；形成的所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。可選的，所述有源層為氧化物半導體有源層，且所述有源層上的所述源極接觸區(qū)與所述漏極接觸區(qū)均為摻雜形成的導體化區(qū)域；形成的所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。可選的，形成的所述第一層間絕緣層還位于所述有源層的四周。第二方面、本專利技術實施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板，依次遠離所述襯底基板設置的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；所述陣列基板還包括，設置在所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層由絕緣且不透光的非晶硅材料構成；所述第一層間絕緣層具有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔；設置在所述第一層間絕緣層上方的通過所述通孔分別與所述源極接觸區(qū)相連的源極、與所述漏極接觸區(qū)相連的漏極。可選的，所述陣列基板還包括，設置在所述第一層間絕緣層上方的、且與所述第一層間絕緣層圖案相同的第二層間絕緣層；其中，露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔貫穿所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層。可選的，所述陣列基板劃分有多個像素區(qū)域；所述第一層間絕緣層上還具有位于所述像素區(qū)域的鏤空部分。優(yōu)選的，所述陣列基板還包括，覆蓋襯底基板的鈍化層；設置在所述鈍化層覆蓋所述鏤空區(qū)域的上方的彩色濾光層。優(yōu)選的，構成所述柵極的材料包括銅；所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。優(yōu)選的，所述有源層為氧化物半導體有源層，且所述有源層上的所述源極接觸區(qū)與所述漏極接觸區(qū)均為摻雜的導體化區(qū)域；所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。優(yōu)選的，所述第一層間絕緣層還位于所述有源層的四周。第三專利技術、本專利技術實施例進一步還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述所述的陣列基板。基于此，通過本專利技術實施例提供的上述制備方法，形成一種絕緣且不透光的非晶硅材料作為位于有源層上方的第一層間絕緣層，以起到保護有源層免受光照影響的作用，減少薄膜晶體管出現(xiàn)Vth漂移現(xiàn)象，保證器件良好的開關特性。該第一層間絕緣層的制備材料來源廣泛，制備工藝簡單，僅需在較低溫度下，采用濺射法在真空或惰性氣體環(huán)境下，或者采用蒸鍍法在真空或惰性氣體環(huán)境下即可沉積形成電阻率非常大可作為絕緣材料且致密不透光的非晶硅a-Si，工藝上易于實現(xiàn)。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術提供的陣列基板中頂柵型薄膜晶體管的結構示意圖；圖2為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程示意圖；圖3為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖一；圖4為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖二；圖5為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖三；圖6為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖四；圖7為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖五；圖8為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖六；圖9為本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制備方法分步流程示意圖七。附圖標記：10-襯底基板；20-遮光圖案層；30-緩沖層；41-有源層；41s本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括，在襯底基板上形成依次遠離所述襯底基板的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；其特征在于，所述制備方法還包括，采用濺射法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為靶材，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；或者，采用蒸鍍法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為蒸發(fā)源，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成至少位于所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔；在所述第一層間絕緣層上方形成通過所述通孔分別與所述源極接觸區(qū)相連的源極、與所述漏極接觸區(qū)相連的漏極。

【技術特征摘要】
1.一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括，在襯底基板上形成依次遠離所述襯底基板的遮光圖案層、緩沖層、有源層、柵絕緣層和柵極；其特征在于，所述制備方法還包括，采用濺射法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為靶材，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；或者，采用蒸鍍法，在真空或惰性氣體環(huán)境下，以硅作為蒸發(fā)源，在所述襯底基板上方沉積非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉積溫度范圍為15～150℃；對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成至少位于所述有源層上方的第一層間絕緣層；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔；在所述第一層間絕緣層上方形成通過所述通孔分別與所述源極接觸區(qū)相連的源極、與所述漏極接觸區(qū)相連的漏極。2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成第一層間絕緣層的步驟之前，所述制備方法還包括，形成覆蓋所述非晶硅薄膜的絕緣材料薄膜；所述對所述非晶硅薄膜進行構圖工藝處理，形成第一層間絕緣層的步驟包括，采用同一構圖工藝對所述非晶硅薄膜與所述絕緣材料薄膜進行處理，形成至少位于所述有源層上方的圖案相同的第一層間絕緣層與第二層間絕緣層；其中，露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的通孔貫穿所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層。3.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陣列基板劃分有多個像素區(qū)域；所述第一層間絕緣層上形成有露出所述有源層上的源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)的所述通孔的同時，還形成有位于所述像素區(qū)域的鏤空部分。4.根據(jù)權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括，形成覆蓋所述襯底基板的鈍化層；在所述鈍化層覆蓋所述鏤空區(qū)域的上方形成彩色濾光層。5.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，構成所述柵極的材料包括銅；形成的所述第一層間絕緣層與所述柵極、所述有源層直接接觸。6.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：宋振，王國英，劉鳳娟，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京,11