一種陣列基板及其制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種陣列基板及其制作方法，其包括：在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極；在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層；在與所述柵極對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出；在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層；對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理形成數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；在所述第二金屬層、未被第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過孔；在所述鈍化層上形成透明電極層。本發(fā)明專利技術(shù)的陣列基板及其制作方法，縮短了生產(chǎn)時(shí)間。

Array substrate and manufacturing method thereof

The invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof, which comprises a first metal layer is formed on a substrate, a first metal layer is patterned to form processing and light shielding gate in the shade; forming a gate insulating layer and the gate light; an active layer formed in the layer corresponding to the gate gate the insulation, the active layer for forming the trench; the light shielding the gate insulating layer is removed, so that the light shielding exposed; the shielding light, is not an active layer covering the gate insulating layer and a second metal layer formed on the active layer; on the second metal layer patterned forms a data line, a source electrode and a drain electrode; on the second metal layer, a second metal layer is not covered by the gate insulating layer and the active layer is formed on the passivation layer; there is connected with the formation of the passivation layer. A drain through hole; a transparent electrode layer is formed on the passivation layer. The array substrate of the present invention and the manufacturing method thereof shorten the production time.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種陣列基板及其制作方法
本專利技術(shù)涉及顯示器
，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法。
技術(shù)介紹
隨著顯示器不斷向高分辨和大尺寸的發(fā)展，使得信號線的長度變長，導(dǎo)致阻容延遲較大，因此解決陣列基板中信號的傳輸問題成為研究的熱點(diǎn)。目前為了降低阻容延遲，第一種方法是將信號線的材料由高阻抗的材料替換為低阻抗的材料，比如將鋁替換為銅。第二種方法是對信號線所在的金屬層進(jìn)行加厚處理。在液晶面板制程中，通常通過磁控濺射沉積方式沉積銅膜，由于這種方式會(huì)增加生產(chǎn)時(shí)間，還會(huì)引起玻璃的形變和翹曲，降低了產(chǎn)品的良率。因此，有必要提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法，能夠提高產(chǎn)品的良率。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供一種陣列基板的制作方法，其包括：在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極；在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層；在與所述柵極對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出；在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層；對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理形成數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；在所述第二金屬層、未被第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過孔；在所述鈍化層上形成透明電極層。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出的步驟包括：在所述有源層以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上形成光阻層，并使用掩膜板對光阻層進(jìn)行曝光、顯影，以使與所述遮光線對應(yīng)的光阻層被去除，其中所述掩膜板包括全透光區(qū)域、部分透光區(qū)域以及不透光區(qū)域，所述全透光區(qū)域的位置與所述遮光線的位置對應(yīng)；將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，其中部分所述不透光區(qū)域位于所述掩膜板的兩側(cè)，其余部分的不透光區(qū)域的位置與所述柵極的位置對應(yīng)，所述部分透光區(qū)域位于所述全透光區(qū)域和所述不透光區(qū)域外；所述在所述遮光線、未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層、所述有源層上形成第二金屬層的步驟包括：將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除；在所述遮光線、未被所述光阻層覆蓋的柵絕緣層以及剩余的光阻層上形成第二金屬層。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除的步驟包括：對所述光阻層進(jìn)行灰化處理，以將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述在所述第二金屬層、未被所述第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層的步驟之前，所述方法還包括：將所述剩余的光阻層以及所述剩余的光阻層上的第二金屬層進(jìn)行去除。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，通過剝離工藝將所述剩余的光阻層剝除，以將所述剩余的光阻層和所述剩余的光阻層上的第二金屬層去除。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料為銅。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述柵絕緣層的厚度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。本專利技術(shù)還提供一種陣列基板，其包括：第一金屬層，位于襯底基板上，包括遮光線和柵極；柵絕緣層，位于所述遮光線以外的第一金屬層上；有源層，部分位于所述柵絕緣層上；所述有源層用于形成溝道；第二金屬層，位于所述遮光線和所述柵絕緣層上；所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；鈍化層，位于所述第二金屬層上；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過孔；透明導(dǎo)電層，位于所述鈍化層上。在本專利技術(shù)的陣列基板中，所述柵絕緣層的厚度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。本專利技術(shù)的陣列基板及其制作方法，通過遮光線對數(shù)據(jù)線所在的金屬層進(jìn)行累積加厚處理，縮短了生產(chǎn)時(shí)間，同時(shí)也避免了陣列基板發(fā)生形變和翹曲的風(fēng)險(xiǎn)。【附圖說明】圖1為本專利技術(shù)的陣列基板的第一步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本專利技術(shù)的陣列基板的第二步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本專利技術(shù)的陣列基板的第三步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本專利技術(shù)的陣列基板的第四步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本專利技術(shù)的陣列基板的第五步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本專利技術(shù)的陣列基板的第六步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為本專利技術(shù)的陣列基板的第七步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為本專利技術(shù)的陣列基板的第八步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為本專利技術(shù)的陣列基板的第九步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖10為本專利技術(shù)的陣列基板的第十步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實(shí)施方式】以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本專利技術(shù)可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本專利技術(shù)所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術(shù)，而非用以限制本專利技術(shù)。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。請參照圖1-10，圖1為本專利技術(shù)的陣列基板的第一步制程工藝的結(jié)構(gòu)示意圖。本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法包括以下步驟：S101、在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極。如圖1所示，通過物理氣相沉積(PVD，PhysicalVaporDeposition)法在襯底基板11上沉積第一金屬層12，之后對第一金屬層12進(jìn)行曝光、顯影，再經(jīng)過刻蝕后形成遮光線121、柵極122，同時(shí)還形成掃描線(圖中未示出)。S102、在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層。如圖2所示，在所述遮光線121、柵極122、掃描線以及未被遮光線121、柵極122以及掃描線覆蓋的襯底基板11上形成柵絕緣層13。為了使得數(shù)據(jù)線的沉積厚度達(dá)到預(yù)設(shè)厚度，所述柵絕緣層13的厚度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，以便更好地降低阻容延遲。S103、在與所述柵極對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道。如圖3所示，在柵極122對應(yīng)的柵絕緣層13上先通過化學(xué)氣相沉積工藝沉積一層有源層14，之后再對有源層14進(jìn)行曝光、顯影，然后經(jīng)過干燥后形成溝道。S104、將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出。該步驟具體可包括以下步驟：S201、在所述有源層以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上形成光阻層，并使用掩膜板對光阻層進(jìn)行曝光、顯影，以使與所述遮光線對應(yīng)的光阻層被去除。如圖4所示，在所述有源層14以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層13上形成光阻層15，并使用掩膜板21對光阻層15進(jìn)行曝光、顯影，使所述遮光線121對應(yīng)的柵絕緣層13上的光阻層15被去除。其中所述掩膜板21包括全透光區(qū)域211、部分透光區(qū)域212以及不透光區(qū)域213，所述全透光區(qū)域211的位置與所述遮光線121的位置對應(yīng)。其中部分所述不透光區(qū)域213位于所述掩膜板21的兩側(cè)，其余部分的不透光區(qū)域213的位置與柵極122的位置對應(yīng)。所述部分透光區(qū)域212的位置與所述柵極122兩側(cè)的位置對應(yīng)，且位于所述全透光區(qū)域和所述不透光區(qū)域外。由于與遮光線121對應(yīng)的光阻層受到較多的光照，因此在顯影過程中，被全部去除。S202、將所述遮光線121對應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉。之后，如圖5所示，再通過干法刻蝕工藝將遮光線121對應(yīng)的柵絕緣層去除，從而將遮光線121暴露在外。S105、在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層。該步驟具體可包括以下步驟：S203、本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極；在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層；在與所述柵極對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出；在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層；對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理形成數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；在所述第二金屬層、未被第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過孔；在所述鈍化層上形成透明電極層。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成第一金屬層，對第一金屬層進(jìn)行圖案化處理形成遮光線和柵極；在所述遮光線和所述柵極上形成柵絕緣層；在與所述柵極對應(yīng)的柵絕緣層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出；在所述遮光線、未被有源層覆蓋的柵絕緣層以及所述有源層上形成第二金屬層；對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理形成數(shù)據(jù)線、源極以及漏極；在所述第二金屬層、未被第二金屬層覆蓋的柵絕緣層上以及所述有源層上形成鈍化層；所述鈍化層上形成有連接所述漏極的過孔；在所述鈍化層上形成透明電極層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層去除，以使所述遮光線露出的步驟包括：在所述有源層以及未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層上形成光阻層，并使用掩膜板對光阻層進(jìn)行曝光、顯影，以使與所述遮光線對應(yīng)的光阻層被去除，其中所述掩膜板包括全透光區(qū)域、部分透光區(qū)域以及不透光區(qū)域，所述全透光區(qū)域的位置與所述遮光線的位置對應(yīng)；將所述遮光線對應(yīng)的柵絕緣層刻蝕掉。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，其中部分所述不透光區(qū)域位于所述掩膜板的兩側(cè)，其余部分的不透光區(qū)域的位置與所述柵極的位置對應(yīng)，所述部分透光區(qū)域位于所述全透光區(qū)域和所述不透光區(qū)域外；所述在所述遮光線、未被所述有源層覆蓋的柵絕緣層、所述有源層上形成第二金屬層的步驟包括：將所述部分透光區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層去除；在所...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周志超，
申請(專利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44