一種陣列基板的制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)的陣列基板的制作方法包括：基板；在基板上形成緩沖層；在緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線；在源極、第一掃描線以及第二掃描線上形成半導(dǎo)體層；對(duì)位于第一掃描線以及第二掃描線上的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在導(dǎo)體層上形成第二像素電極。本發(fā)明專利技術(shù)中陣列基板的制作方法，其工藝步驟較簡(jiǎn)單，提高了生產(chǎn)效率，減小了生產(chǎn)成本。

Method for manufacturing array substrate

Including the method of making the array substrate of the invention: a substrate; a buffer layer formed on the substrate; forming the source electrode and the data line in the buffer layer, and forming a first gate, the second gate, the first scanning lines and second scan lines in the buffer layer; in the source, the first scanning lines and two scan lines to form a semiconductor located on the first layer; the scanning line and the semiconductor layer second scanning line conductor, the conductor layer is formed; the first pixel electrode is formed on the semiconductor layer, and a second pixel electrode is formed on the conductor layer. The method for making the array substrate of the invention has simple process steps, improves production efficiency and reduces production cost.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種陣列基板的制作方法
本專利技術(shù)涉及液晶面板
，尤其涉及一種陣列基板的制作方法。
技術(shù)介紹
在液晶面板工業(yè)中，通過陣列基板來(lái)控制液晶的排列，從而實(shí)現(xiàn)不同灰度光線的顯示，陣列基板為液晶面板中的重要部分，其生產(chǎn)也屬于液晶面板制造過程中的重要工藝。現(xiàn)有的采用環(huán)形柵極結(jié)構(gòu)的陣列基板，由于其優(yōu)越的性能，越來(lái)越受到人們的重視。然而該環(huán)形柵極結(jié)構(gòu)的陣列基板運(yùn)用于量產(chǎn)時(shí)，其工藝步驟較步驟，成本較高。故，有必要提供一種陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的工藝步驟復(fù)雜，成本較高的問題。本專利技術(shù)提供一種陣列基板的制作方法，包括：基板；在所述基板上形成緩沖層；在所述緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在所述緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線，其中，所述數(shù)據(jù)線與所述源極連接，所述第一柵極與所述第二柵極電性連接且環(huán)繞所述源極，所述第二掃描線線與所述第一柵極以及所述第二柵極連接；在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成半導(dǎo)體層；對(duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在所述導(dǎo)體層上形成第二像素電極，其中，所述第一像素電極通過所述導(dǎo)體層使得所述第一掃描線以及所述第二掃描線連接。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述在所述緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在所述緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線的步驟，包括：在所述緩沖層上形成一光阻層；通過黃光工藝和蝕刻工藝，形成第一柵極區(qū)域、第二柵極區(qū)域、第一掃描線區(qū)域、第二掃描線區(qū)域、源極區(qū)域以及數(shù)據(jù)線區(qū)域；在所述光阻層上形成金屬層，以覆蓋所述第一柵極區(qū)域、所述第二柵極區(qū)域、所述第一掃描線區(qū)域、所述第二掃描線區(qū)域、所述源極區(qū)域以及所述數(shù)據(jù)線區(qū)域；通過剝離工藝，去除所述光阻層以及位于所述光阻層上的所述金屬層。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成半導(dǎo)體層的步驟，包括：在所述緩沖層上形成一絕緣層，以覆蓋所述源極、所述數(shù)據(jù)線、所述第一柵極、所述第二柵極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線；在所述絕緣層上形成光阻層，以使得所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線裸露在外面；在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成所述半導(dǎo)體層。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述在所述絕緣層上形成光阻層，以使得所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線裸露在外面的步驟，包括：在所述絕緣層上形成所述光阻層；通過黃光工藝與蝕刻工藝，使得所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線裸露在外面。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成所述半導(dǎo)體層的步驟，包括：在所述光阻層上形成所述半導(dǎo)體層，以覆蓋所述第一掃描線、所述第二掃描線以及所述源極；通過剝離工藝去除所述光阻層上的所述半導(dǎo)體層。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述對(duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層的步驟，包括：通過黃光工藝，形成光阻層，以使得位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層裸露在外面；對(duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，可使用氬氣、氮?dú)庖约鞍睔鈱?duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述在所述半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在所述導(dǎo)體層上形成第二像素電極的步驟，包括：通過黃光工藝，形成光阻層，以使得所述導(dǎo)體層、所述半導(dǎo)體層以及位于所述第一掃描線與所述第二掃描線之間的區(qū)域裸露在外面；在所述光阻層上形成像素電極層，以覆蓋所述導(dǎo)體層所述半導(dǎo)體層以及位于所述第一掃描線與所述第二掃描線之間的區(qū)域。通過剝離工藝去除所述光阻層以及位于所述光阻層上的所述像素電極層。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。在本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，所述緩沖層為氮化硅層、氧化硅層或氧化鋁層。本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法包括：基板；在基板上形成緩沖層；在緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線；在源極、第一掃描線以及第二掃描線上形成半導(dǎo)體層；對(duì)位于第一掃描線以及第二掃描線上的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在導(dǎo)體層上形成第二像素電極。本專利技術(shù)中陣列基板的制作方法，其工藝步驟較簡(jiǎn)單，提高了生產(chǎn)效率，減小了生產(chǎn)成本。為讓本專利技術(shù)的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：附圖說(shuō)明下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本專利技術(shù)的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本專利技術(shù)的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。圖1為本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；圖2A-2D為圖1所示陣列基板的制作方法中形成源極、數(shù)據(jù)線、第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線的步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A-3E為圖1所示陣列基板的制作方法中在源極、第一掃描線以及第二掃描線上形成半導(dǎo)體層的步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A-4C為圖1所示陣列基板的制作方法中在源極、第一掃描線以及第二掃描線上形成半導(dǎo)體層對(duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層的步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A-5C為圖1所示陣列基板的制作方法中在所述半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在所述導(dǎo)體層上形成第二像素電極的步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為更進(jìn)一步闡述本專利技術(shù)所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。參閱圖1，圖1為本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖。如圖1所示，本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法，包括：步驟S101，在基板上形成緩沖層；步驟S102，在緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線，其中，數(shù)據(jù)線與源極連接，第一柵極與第二柵極電性連接且環(huán)繞源極，第二掃描線與第一柵極以及第二柵極連接；步驟S103，在源極、第一掃描線以及第二掃描線上形成半導(dǎo)體層；步驟S104，對(duì)位于第一掃描線以及第二掃描線上的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層；步驟S105，在半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在導(dǎo)體層上形成第二像素電極，其中，第一像素電極通過導(dǎo)體層使得第一掃描線以及第二掃描線連接。具體的，在步驟S102中，請(qǐng)參閱圖2A-2D，圖2A-2D為圖1所示陣列基板的制作方法中形成源極、數(shù)據(jù)線、第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線的步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2D中的上圖為陣列基板的俯視圖，下圖為陣列基板A-A方向的剖視圖。如圖2A所示，在一基板11上依次形成緩沖層12和光阻層13；隨后，如圖2B所示，通過黃光工藝和蝕刻工藝，形成第一柵極區(qū)域133、第二柵極區(qū)域1本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成緩沖層；在所述緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在所述緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線，其中，所述數(shù)據(jù)線與所述源極連接，所述第一柵極與所述第二柵極電性連接且環(huán)繞所述源極，所述第二掃描線與所述第一柵極以及所述第二柵極連接；在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成半導(dǎo)體層；對(duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在所述導(dǎo)體層上形成第二像素電極，其中，所述第一像素電極通過所述導(dǎo)體層使得所述第一掃描線以及所述第二掃描線連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成緩沖層；在所述緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在所述緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線，其中，所述數(shù)據(jù)線與所述源極連接，所述第一柵極與所述第二柵極電性連接且環(huán)繞所述源極，所述第二掃描線與所述第一柵極以及所述第二柵極連接；在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成半導(dǎo)體層；對(duì)位于所述第一掃描線以及所述第二掃描線上的所述半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，以形成導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成第一像素電極，同時(shí)在所述導(dǎo)體層上形成第二像素電極，其中，所述第一像素電極通過所述導(dǎo)體層使得所述第一掃描線以及所述第二掃描線連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述緩沖層內(nèi)形成源極和數(shù)據(jù)線，同時(shí)在所述緩沖層上形成第一柵極、第二柵極、第一掃描線以及第二掃描線的步驟，包括：在所述緩沖層上形成一光阻層；通過黃光工藝和蝕刻工藝，形成第一柵極區(qū)域、第二柵極區(qū)域、第一掃描線區(qū)域、第二掃描線區(qū)域、源極區(qū)域以及數(shù)據(jù)線區(qū)域；在所述光阻層上形成金屬層，以覆蓋所述第一柵極區(qū)域、所述第二柵極區(qū)域、所述第一掃描線區(qū)域、所述第二掃描線區(qū)域、所述源極區(qū)域以及所述數(shù)據(jù)線區(qū)域；通過剝離工藝，去除所述光阻層以及位于所述光阻層上的所述金屬層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成半導(dǎo)體層的步驟，包括：在所述緩沖層上形成一絕緣層，以覆蓋所述源極、所述數(shù)據(jù)線、所述第一柵極、所述第二柵極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線；在所述絕緣層上形成光阻層，以使得所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線裸露在外面；在所述源極、所述第一掃描線以及所述第二掃描線上形成所述半導(dǎo)體層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周志超，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東,44