一種鍍膜設備制造技術

本實用新型專利技術公開了一種鍍膜設備，用以延長鍍膜設備備件的使用壽命，提高玻璃基板的成膜均勻性，進而提高TFT的產品良率。所述鍍膜設備，包括真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，所述設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
一種鍍膜設備
本技術涉及顯示器
，尤其涉及一種鍍膜設備。
技術介紹
在薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)制造過程中，化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)鍍膜是在玻璃基板上形成TFT的重要工序之一，其中，CVD鍍膜設備是在高溫真空環境下利用高頻電壓使反應氣體生成等離子體最后形成固態半導體沉積在玻璃基板上。為了使玻璃基板上能夠形成均一膜厚的半導體膜層，就需要對反應設備的精密度要求有嚴格的限制，例如:反應腔體兩極的電極板需要足夠的平整度，氣體擴散器的孔徑需要嚴格限制等。但是由于反應設備內的環境為高頻、高溫條件，這樣就加速了設備的老化過程，如電極板變形，氣體擴散器孔徑局部變大等情況，在實際的鍍膜生產過程中，若出現電極板變形，氣體擴散器孔徑局部變大等情況，會導致鍍到玻璃基板上的膜厚不均一，局部膜厚存在缺陷。綜上所述，現有技術中的CVD鍍膜設備在鍍膜的過程中，會導致鍍到玻璃基板上的局部膜厚存在缺陷，設備的老化過程較快。
技術實現思路
本技術實施例提供了一種鍍膜設備，用以延長鍍膜設備備件的使用壽命，提高玻璃基板的成膜均勻性，進而提高TFT的產品良率。本技術實施例提供的一種鍍膜設備，包括:真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，所述設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉。由本技術實施例提供的鍍膜設備，由于該設備包括真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，該設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉，下部電極板的水平旋轉會帶動玻璃基板的水平旋轉，使半導體膜能夠均勻沉積到玻璃基板上，提高了玻璃基板的成膜均勻性，彌補了由于鍍膜設備備件老化導致的半導體膜的局部缺陷不良問題，進而提高了 TFT的產品良率，同時也延長了鍍膜設備備件的使用壽命。較佳地，所述上部電極板的表面為圓形。這樣，當將上部電極板的表面設置為圓形時，當下部電極板旋轉時能夠保證玻璃基板的各個邊緣位置依然能夠被上部電極板覆蓋到，且該設計在實際生產中更加方便、簡單。較佳地，所述下部電極板的表面為圓形。這樣，當將下部電極板的表面設置為圓形時，與上部電極板相匹配形成一個均勻電勢的電場，且該設計在實際生產中更加方便、簡單。較佳地，所述第一電機為步進電機。這樣，當第一電機為步進電機，該電機在控制下部電極板的水平旋轉時更加準確、方便。較佳地，所述設備還包括第二電機，所述第二電機位于所述真空反應腔體外部，與所述下部電極板的支撐柱電連接，用于控制所述下部電極板的垂直升降。這樣，當第二電機控制下部電極板的垂直升降時，能夠更好的控制沉積到待鍍基板上的膜層特性。較佳地，所述設備還包括絕緣組件，所述絕緣組件與真空反應腔體的腔體壁和所述下部電極板的支撐柱相連，用于在所述下部電極板水平旋轉或垂直升降時，密封真空反應腔體的腔體壁和下部電極板的支撐柱之間的間隙。這樣，由于在下部電極板水平旋轉或垂直升降時，會導致下部電極板的支撐柱和真空反應腔體的腔體壁之間有間隙，從而會破壞真空反應腔體的真空度，導致沉積到待鍍基板上的膜層特性發生變化，而這里設置的絕緣組件能夠在下部電極板水平旋轉或垂直升降時，密封真空反應腔體的腔體壁和下部電極板的支撐柱之間的間隙，使得真空反應腔體內的真空度不受影響。較佳地，所述絕緣組件為充氣的氣動密封圈或高分子材料組成的密封圈。這樣，當絕緣組件為充氣的氣動密封圈或高分子材料組成的密封圈時，在實際生產中方便、簡單。較佳地，所述上部電極板包括上部背板和氣體擴散器。這樣，當上部電極板包括上部背板和氣體擴散器時，在實際鍍膜生產中方便、易行。較佳地，所述氣體擴散器包括多個雙錐形圓孔。這樣，多個雙錐形圓孔的氣體擴散器更有利于氣體的擴散?！靖綀D說明】圖1為本技術實施例提供的一種鍍膜設備剖面結構示意圖；圖2為本技術實施例提供的一種鍍膜設備的俯視結構圖；圖3為本技術實施例提供的一種鍍膜設備的上部電極板中的氣體擴散器結構俯視圖；圖4為本技術實施例提供的一種鍍膜設備的上部電極板中的氣體擴散器以及絕緣墊和密封圈的放大結構示意圖；圖5為本技術實施例提供的一種鍍膜設備的絕緣密封組件示意圖?！揪唧w實施方式】本技術實施例提供了一種鍍膜設備，用以延長鍍膜設備備件的使用壽命，提高玻璃基板的成膜均勻性，進而提高TFT的產品良率。如圖1所示，本技術具體實施例提供了一種鍍膜設備，包括真空反應腔體11，以及位于真空反應腔體11內的上部電極板和下部電極板12，該設備還包括與下部電極板12的支撐柱電連接的第一電機13,所述第一電機13位于真空反應腔體11外部,用于控制所述下部電極板12的水平旋轉，其中，上部背板111與氣體擴散器112構成真空反應腔體的上部電極板，上部背板111與氣體擴散器112之間通過薄的金屬片連接在一起，由于圖1為鍍膜設備的剖面圖，故連接上部背板111與氣體擴散器112的金屬片在圖中未示出。如圖2所示，本技術具體實施例提供的一種鍍膜設備中的上部電極板的表面為圓形，同時，為了與上部電極板相匹配，本技術具體實施例中的下部電極板的表面也設置為圓形，實際生產中待鍍基板的形狀為方形，本技術具體實施例中的待鍍基板為玻璃基板，由于本技術具體實施例中的下部電極板的支撐柱與控制該下部電極板水平旋轉的第一電機連接，而下部電極板的旋轉會帶動玻璃基板17的旋轉，因此在實際的鍍膜生產過程中，待鍍反應物會均勻的沉積到玻璃基板17上，改善了玻璃基板成膜的均勻性。圖1中本技術具體實施例中提供的一種鍍膜設備還包括第二電機14，其中，第二電機14同樣位于真空反應腔體11外部，與下部電極板12的支撐柱電連接，用于控制下部電極板12的垂直升降，玻璃基板鍍膜結束后，機械手臂還需將鍍膜后的玻璃基板取走，這時當下部電極板下降時會有支撐玻璃基板的支撐桿露出，使得玻璃基板與下部電極板之間有縫隙，可以讓機械手臂伸進縫隙取走鍍膜后的玻璃基板。其中，本技術具體實施例中的第一電機和第二電機均為步進電機。步進電機是將電脈沖信號轉變為角位移或線位移的開環控制元步進電機件。在非超載的情況下，電機的轉速、停止的位置只取決于脈沖信號的頻率和脈沖數，而不受負載變化的影響，當步進驅動器接收到一個脈沖信號，它就驅動步進電機按設定的方向旋轉一個固定的角度，稱為“步距角”，它的旋轉是以固定的角度一步一步運行的，可以通過控制脈沖個數來控制角位移量，從而達到準確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制步進電機轉動的速度和加速度，從而達到調速的目的。步進電機是一種感應電機，它的工作原理是利用電子電路，將直流電變成分時供電的多相時序控制電流，用這種電流為步進電機供電，步進電機才能正常工作，驅動器就是為步進電機分時供電的多相時序控制器。步進電機并不像普通的直流電機、交流電機在常規下使用，它必須由雙環形脈沖信號、功率驅動電路等組成控制系統方可使用。步進電機相對于普通電本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種鍍膜設備，其特征在于，包括：真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，所述設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉。

【技術特征摘要】
1.一種鍍膜設備，其特征在于，包括:真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，所述設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉。2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述上部電極板的表面為圓形。3.根據權利要求1或2所述的設備，其特征在于，所述下部電極板的表面為圓形。4.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一電機為步進電機。5.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述設備還包括第二電機，所述第二電機位于所述真空反應腔體外部，與所述下部...

【專利技術屬性】
技術研發人員：艾青南，劉東，潘夢霄，周賀，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，京東方科技集團股份有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11