一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開的多膜層基板的制備方法包括：在襯底上形成第一膜層，并在第一膜層的對位區域中形成一組特定對位標識；在第一膜層上依次形成多層后續膜層和一頂層膜層。針對每一層后續膜層的構圖工藝：將掩膜板中的對位標識與特定對位標識對位，進行曝光，且在構圖過程中，清除在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形；針對頂層膜層的構圖工藝：將掩膜板中的對位標識與特定對位標識進行對位，進行曝光。本發明專利技術提供的基板制備方法，所有后續膜層使用同一組對位標識進行對位，提高了形成的后續膜層圖形之間的對位精度。本發明專利技術還提供了一種采用上述制備方法制備的陣列基板，和包括上述陣列基板的顯示裝置。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體構圖工藝
，特別涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。
技術介紹
目前，在半導體加工中，一個產品的制作過程往往包括十幾次甚至是幾十次的光刻構圖工藝，其中，除了第一次光刻構圖以外，其余層次的光刻構圖中，在曝光前都要將該層次的圖形與以前層次留下的圖形對準。以液晶顯示裝置中的薄膜晶體管TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)陣列基板的曝光工藝為例，TFT陣列基板包括襯底和依次形成在襯底上的多個膜層，在多個膜層的光刻構圖過程中，其曝光工藝中采用的傳統的對位方法為:首先在直接生成于襯底上的第一膜層的對位區域A內形成多組對位標識(mark)，作為后續膜層與第一膜層形成的圖形對位的基準標尺；以其中一層后續膜層的對位曝光為例，如圖1所示，圖1中所示的一組對位markl為該后續膜層的掩膜板的對位標識，在對第一膜層之上的第二膜層進行曝光對位時，掩膜板的一組對位mark2與第一膜層中的該組對位markl進行對位，以實現對第二膜層形成的圖形與第一膜層中圖形的精確對位，掩膜板中具有的對位mark2如圖2所示。通過上述對位方法進行對位之后，對第二膜層進行曝光顯影，其使用的掩膜板的mark2會在markl中形成mark2的圖形,進而使第一膜層形成的對位區域A中的圖形變為markl和mark2的組合圖形，如圖3所示；因此，在第二膜層光刻構圖完成后，位于第二膜層之后的后續膜層在光刻構圖中無法再次使用markl進行對位，而必須使用其它位置的一組mark進行對位，從而導致第一膜層之后的每一層膜層在光刻構圖時只能使用第一膜層中不同組的mark進行對位，會造成各膜層之間的對位偏移量和對位偏移方向不一致，從而造成層層之間曝光之后形成的圖形之間的對位誤差較大，增加了 TFT陣列基板產品不良的產生。
技術實現思路
本專利技術提供了一種基板制備方法，在多層后續膜層的光刻構圖工藝中，提高多層膜層形成的圖形之間的對準精度，降低產品不良，提高產品質量。本專利技術還提供了一種通過上述基板制備方法制備的陣列基板以及具有上述陣列基板的顯示裝置。為達到上述目的，本專利技術提供以下技術方案:一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底上形成第一膜層，并在第一膜層的對位區域中形成一組特定對位標識；在所述第一膜層上依次形成多層后續膜層和一頂層膜層，其中針對每一層所述后續膜層的構圖工藝:將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對后續膜層上涂覆的光刻膠進行曝光；且在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形；針對所述頂層膜層的構圖工藝:將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對頂層膜層上涂覆的光刻膠進行曝光。優選地，所述針對頂層膜層的構圖工藝的步驟中，還包括:在構圖工藝中，清除在對頂層膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形。優選地，所述在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形，具體包括:對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形。優選地，所述對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形，具體包括:使用曝光機的打標單元對所述第一膜層的對位區域進行單點曝光，并經過顯影將該區域的光刻膠圖形移除。優選地，對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形，具體包括:后續膜層中順序相鄰的兩個與曝光機的鏡頭區域對應的曝光區中，前曝光區完成曝光，對后曝光區進行曝光時，曝光機將前曝光區內的對位區域中靠近后曝光區的區域進行曝光；采用曝光機的打標單元對所述第一膜層的對位區域剩余的區域進行單點曝光；對所述第一膜層的對位區域進行顯影，移除對位區域內的光刻膠圖形。優選地，所述對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形過程中:完成對一層后續膜層的曝光步驟之后，再進行所述采用曝光機的打標單元對所述第一膜層的對位區域剩余的區域進行單點曝光的步驟。優選地，對后曝光區進行曝光時，前曝光區的遮光區域靠近后曝光區的一側具有開口，將前曝光區的對位區域靠近后曝光區的對位標識區域露出，在對后曝光區進行曝光時，對前曝光區露出的對位標識區域進行曝光。優選地，所述在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形，具體包括:后續膜層曝光顯影時在對位區域內形成的光刻膠圖形的寬度小于其刻蝕中刻蝕液對光刻膠的刻蝕偏量；后續膜層進行刻蝕時將該后續膜層曝光之后在對位區域形成的光刻膠圖形移除。本專利技術還提供了一種陣列基板，該陣列基板采用上述技術方案中提供的任一種陣列基板制備方法制造。本專利技術還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述技術方案中提供的陣列基板。本專利技術提供的多膜層基板的制備方法，包括:在襯底上形成第一膜層，并在第一膜層的對位區域中形成一組特定對位標識；在所述第一膜層上依次形成多層后續膜層和一頂層膜層，其中針對每一層所述后續膜層的構圖工藝:將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對后續膜層上涂覆的光刻膠進行曝光；且在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形；針對所述頂層膜層的構圖工藝:將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對頂層膜層上涂覆的光刻膠進行曝光。本專利技術提供的基板制備方法，在后續膜層的構圖過程中，每一層后續膜層在構圖時，均將在第一膜層形成的一組特定對位標識中形成的光刻膠圖形清除，從而使每一層后續膜層以及頂層膜層在構圖時均可以采用這一組特定對位標識進行對位；所有后續膜層以及頂層膜層使用上述的一組特定對位標識進行對位，可以使這些后續膜層以及頂層膜層形成的圖形之間的對位偏移量和對位偏移方向一致，提高了后續膜層以及頂層膜層形成的圖形之間的對位精度。因此，本專利技術提供的基板制備方法能夠提高多層膜層形成的圖形之間的對準精度，降低產品不良，提高產品質量。附圖說明圖1為現有技術基板中襯底上生成的第一膜層形成的對位區域中一組對位標識的一種不意圖；圖2為與圖1中所示的一組對位標識對應的掩膜板及其對位標識的示意圖；圖3為使用圖2所示的掩膜板對覆蓋在圖1所示的第一膜層曝光后對位區域內的圖形不意圖；圖4為本專利技術提供的陣列基板基板制備方法的流程圖；圖5為本專利技術提供的基板中襯底上生成的第一膜層中特定對位標識的一種示意圖；圖6為圖5所不的第一膜層中相鄰兩個曝光區中前曝光區曝光后的不意圖；圖7為圖6所不的弟一I旲層中相鄰兩個曝光區中后曝光區曝光后的不意圖。具體實施例方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦＠夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。實施例一在陣列基板制備過程中，需要在襯底上制備第一膜層，且在第一膜層上依次制備多層后續膜層和一層頂層膜層；如圖4所示，本實施例提供的陣列基板的制備方法包括:步驟S401:在襯本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：在襯底上形成第一膜層，并在第一膜層的對位區域中形成一組特定對位標識；在所述第一膜層上依次形成多層后續膜層和一頂層膜層，其中針對每一層所述后續膜層的構圖工藝：將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對后續膜層上涂覆的光刻膠進行曝光；且在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形；針對所述頂層膜層的構圖工藝：將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對頂層膜層上涂覆的光刻膠進行曝光。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭建，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：