基板掩膜對位方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)屬于對位方法技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基板掩膜對位方法，首先在一掩膜版上形成多組對位標(biāo)記圖案，并選取若干個大尺寸基板作為樣本基板，通過該掩膜版分別在每塊樣本基板上形成多組對位標(biāo)記圖案，將樣本基板分為多個子基板區(qū)域，然后對樣本基板實施掩膜工藝，通過樣本基板上的多組對位標(biāo)記圖案可實現(xiàn)對每個子基板區(qū)域的對位，且至少通過兩組對位標(biāo)記圖案可對位一個子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲每組對位標(biāo)記圖案的位置，根據(jù)存儲的多組對位標(biāo)記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝，保證了非樣本基板上同層圖案間的縫合度和不同層圖案間的重合度，能夠?qū)崿F(xiàn)良好品質(zhì)大尺寸基板的大量生產(chǎn)。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及對位方法
，特別是涉及一種。
技術(shù)介紹
光刻是薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor LiquidCrystal Display,簡稱為“TFT-IXD”)生產(chǎn)中的必須環(huán)節(jié)，曝光機進(jìn)行曝光時為了實現(xiàn)各層之間圖形的重合度符合要求，必須保證對位精確，但大尺寸(即基板的尺寸大于掩膜版的尺寸)的基板內(nèi)部是像素區(qū)域，不能設(shè)置對位標(biāo)記，如果曝光直接采用基板周邊的對位標(biāo)記(如圖I所示)，就大大降低了對位的精度，很難保證曝光的縫合度和各層之間圖形的重合度符合要求，導(dǎo)致制作的基板次品率很高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
(一)要解決的技術(shù)問題本專利技術(shù)提供一種，用以解決如何在大尺寸基板掩膜工藝中實現(xiàn)曝光精確對位的問題。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供一種，包括SI、在一掩膜版上形成至少一組對位標(biāo)記圖案；S2、選取一定數(shù)量的基板作為樣本基板，利用所述掩膜版，分別在每塊所述樣本基板上形成多組對位標(biāo)記圖案，所述多組對位標(biāo)記圖案將所述樣本基板分為多個子基板區(qū)域；S3、對多個所述樣本基板實施掩膜工藝，通過所述樣本基板上的多組對位標(biāo)記圖案可實現(xiàn)對每個子基板區(qū)域的對位，且至少通過兩組所述對位標(biāo)記圖案可對位一個所述子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲所述樣本基板上每組對位標(biāo)記圖案的位置，然后根據(jù)存儲的多組對位標(biāo)記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝。如上所述的，優(yōu)選的是，步驟SI具體為在所述非樣本基板掩膜工藝中使用的掩膜版上形成至少一組對位標(biāo)記圖案。如上所述的，優(yōu)選的是，步驟SI具體為每組所述對位標(biāo)記圖案位于所述非樣本基板掩膜工藝中使用的掩膜版上的圖案區(qū)域間形成。如上所述的，優(yōu)選的是，所述基板的尺寸大于其掩膜工藝中掩膜版的尺寸。如上所述的，優(yōu)選的是，選取3個所述基板作為樣本基板。(三)有益效果本專利技術(shù)所提供的首先在一掩膜版上形成多組對位標(biāo)記圖案，并選取若干個大尺寸基板作為樣本基板，通過該掩膜版分別在每塊樣本基板上形成多組對位標(biāo)記圖案，多組對位標(biāo)記圖案將樣本基板分為多個子基板區(qū)域，然后對樣本基板實施掩膜工藝，通過樣本基板上的多組對位標(biāo)記圖案可實現(xiàn)對每個子基板區(qū)域的精確對位，且至少通過兩組對位標(biāo)記圖案可精確對位一個子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲每組對位標(biāo)記圖案的位置，根據(jù)存儲的多組對位標(biāo)記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝，保證了非樣本基板上同層圖案間的縫合度和不同層圖案間的重合度，能夠?qū)崿F(xiàn)良好品質(zhì)大尺寸基板的大量生產(chǎn)。其中，選取的樣本基板數(shù)量越多，對位的精度越高。附圖說明圖I為現(xiàn)有技術(shù)中基板上對應(yīng)標(biāo)記分布示意圖；圖2為本專利技術(shù)實施例中在掩膜版上形成對位標(biāo)記的過程示意圖；圖3為本專利技術(shù)實施例中樣本基板上對位標(biāo)記分布示意圖；其中，I :基板；2 :子基板區(qū)域；3 :對位標(biāo)記區(qū)域；4、5 一組對位標(biāo)記圖案。 具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本專利技術(shù)的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本專利技術(shù)，但不用來限制本專利技術(shù)的范圍。對于大尺寸基板I的掩膜工藝，由于基板I的尺寸大于其掩膜工藝中使用的掩膜版的尺寸，所以必須通過多次掩膜工藝才能形成大尺寸基板的每層圖案，如圖I所示，由于大尺寸基板I的對位標(biāo)記圖案所在的對位標(biāo)記區(qū)域3位于其周邊邊緣上，僅通過這些對位標(biāo)記圖案很難實現(xiàn)掩膜工藝的精確對位，尤其是基板I中間部分掩膜工藝的精確對位，保證不了基板I上同層圖案間的良好縫合度和不同層圖案間的良好重合度。為實現(xiàn)大尺寸基板I掩膜工藝的精確對位，本專利技術(shù)實施例中的包括SI、在一掩膜版上形成至少一組對位標(biāo)記圖案；基板I制作工藝中各層圖案的形成是利用掩膜版掩膜工藝來實現(xiàn)的，通常在掩膜版上包括不同區(qū)域的圖案，如圖2中的縱向區(qū)域L區(qū)、M區(qū)和R區(qū)以及各縱向區(qū)域中的橫向區(qū)域A區(qū)、B區(qū)和C區(qū)，可以通過遮光板的遮蔽進(jìn)行不同區(qū)域的掩膜曝光，來形成基板I上各層的圖案。本實施例中優(yōu)選在非樣本基板I掩膜工藝中的掩膜版上形成多組對位標(biāo)記圖案4，不需要單獨的掩膜版，可以節(jié)約大量成本，其中，每組對位標(biāo)記圖案4可以位于掩膜版上的圖案區(qū)域間，如圖2所示。需要說明的是，每組對位標(biāo)記圖案4的組成形狀有很多種方式，如十字交叉狀，并不局限于圖2中的排列狀。而且多組對位標(biāo)記圖案4并不局限于形成在縱向區(qū)域圖案之間，也可以形成在橫向區(qū)域圖案之間，或是既有形成在縱向區(qū)域圖案之間的，也有形成在橫向區(qū)域圖案之間的。S2、選取一定數(shù)量的基板作為樣本基板，利用所述掩膜版，分別在每塊所述樣本基板上形成多組對位標(biāo)記圖案，所述多組對位標(biāo)記圖案將所述樣本基板分為多個子基板區(qū)域；在對基板I進(jìn)行掩膜工藝前，首先選取一定數(shù)量的基板I作為樣本基板，利用步驟SI中制得的掩膜版分別在每塊樣本基板I是形成多組對位標(biāo)記圖案5，其中，多組對位標(biāo)記圖案5將樣本基板I分為多個子基板區(qū)域2，如圖3所示。具體可以為，利用上述掩膜板對每塊樣本基板I進(jìn)行曝光，在曝光工藝中可以利用遮光板遮蔽樣本基板I上的圖案區(qū)域，從而將掩膜版上的圖案區(qū)域錯開對位標(biāo)記區(qū)域3，使上述掩膜板上的對位標(biāo)記圖案4曝光在樣本基板I的周邊邊緣，并在位于樣本基板I中間的子基板區(qū)域2的周邊邊緣上形成至少兩組對位標(biāo)記圖案5，以在掩膜工藝中精確對位該子基板區(qū)域2，如圖2和圖3所示。需要說明的是，圖3所示的只是示例多組對位標(biāo)記圖案5的一種布局方式，并不是一種限定。選取的樣本基板數(shù)量越多，非樣本基板掩膜工藝中的對位精度就越高，但卻會提高產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，本實施例中可以選取3張基板I作為樣本基板，既可以保證足夠的對位精度，又可以節(jié)約生產(chǎn)成本。S3、對多個所述樣本基板實施掩膜工藝，通過所述樣本基板上的多組對位標(biāo)記圖案可實現(xiàn)對每個所述子基板區(qū)域的對位，且至少通過兩組所述對位標(biāo)記圖案可對位一個所述子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲每組對位標(biāo)記圖案的位置，然后根據(jù)存儲的多組 對位標(biāo)記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝。在對樣本基板I各層實施掩膜工藝時，以Nikon FX-86S曝光機為例，首先選用C-EGA曝光模式，將樣本基板I數(shù)量設(shè)置為3，先對步驟2中制得的3個樣本基板I依次進(jìn)行掩膜工藝，其中，3個樣本基板I的曝光模式為EGA，并利用樣本基板I每個子基板區(qū)域2周邊邊緣的至少兩組對位標(biāo)記圖案5實現(xiàn)對該子基板區(qū)域2的精確對位，保證了樣本基板I不同層之間圖案的重合度及同層圖案之間的縫合度。其中，通過多組對位標(biāo)記圖案5可實現(xiàn)對每個子基板區(qū)域2的精確對位，且至少通過兩組對位標(biāo)記圖案5可精確對位一個子基板區(qū)域2。在所有樣本基板I的曝光過程中曝光機會通過記憶功能記錄并存儲各組對位標(biāo)記圖案5的位置，通過各組對位標(biāo)記圖案5的位置參數(shù)曝光機可以對每組對位標(biāo)記圖案5的位置進(jìn)行自動識別，而不需要在非樣本基板I上形成對應(yīng)位置的對位標(biāo)記圖案。之后曝光機就可以在C-EGA曝光模式下對大批量非樣本基板進(jìn)行曝光工藝，而且能保證良好的縫合度和重合度。本領(lǐng)域所屬技術(shù)人員很容易想到只需曝光機具有上述兩種曝光模式，即C-EGA曝光模式和EGA曝光模式，就能夠?qū)崿F(xiàn)本專利技術(shù)實施例中對于大尺寸基板I掩膜工藝中的精確對位，而曝光機的型號并不局限于Nikon FX-86S。由以上實施例可以看出，本專利技術(shù)所提供的首先在一掩膜版上形成多組對位標(biāo)記圖案，并選取若干個大尺寸基板作為樣本基板，通過該掩膜版分別在每塊本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種基板掩膜對位方法，其特征在于，包括：S1、在一掩膜版上形成至少一組對位標(biāo)記圖案；S2、選取一定數(shù)量的基板作為樣本基板，利用所述掩膜版，分別在每塊所述樣本基板上形成多組對位標(biāo)記圖案，所述多組對位標(biāo)記圖案將所述樣本基板分為多個子基板區(qū)域；S3、對多個所述樣本基板實施掩膜工藝，通過所述樣本基板上的多組對位標(biāo)記圖案可實現(xiàn)對每個所述子基板區(qū)域的對位，且至少通過兩組所述對位標(biāo)記圖案可對位一個所述子基板區(qū)域，在對位過程中記錄并存儲所述樣本基板上每組對位標(biāo)記圖案的位置，然后根據(jù)存儲的多組對位標(biāo)記圖案的位置參數(shù)對非樣本基板實施掩膜工藝。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：路光明，許朝欽，金基用，周子卿，贠向南，羅麗平，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方顯示技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：