一種硅片與玻璃片的低溫超聲陽極鍵合方法技術

一種硅片與玻璃片的低溫超聲陽極鍵合方法，該方法包括以下具體步驟：將玻璃片夾持在一固定工作臺上，將硅片夾持在超聲換能器上，超聲換能器固定在一可動工作臺上，設定工作臺的加熱溫度，設置超聲參數，設置陽極鍵合參數，可動工作臺帶動硅片移動，并按設定的鍵合壓力使硅片與玻璃片相互接觸，使硅片與玻璃相互摩擦，活化鍵合界面；去掉超聲的同時，施加鍵合電壓進行陽極鍵合；鍵合完成后拆下被鍵合件。相對于傳統高溫陽極鍵合方法，本發明專利技術的低溫超聲陽極鍵合方法在同樣鍵合強度下，鍵合溫度，鍵合電壓及鍵合時間均能大大縮減，提高了MEMS器件的鍵合性能。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種硅片與玻璃片的低溫超聲陽極鍵合方法，該方法包括以下具體步驟：（1）設定溫控鍵合爐的加熱溫度；（2）設置超聲參數，超聲參數包括超聲頻率，超聲功率，超聲持續時間；（3）設置陽極鍵合參數，陽極鍵合參數包括鍵合電壓，鍵合壓力和鍵合時間；（4）按照陽極鍵合要求將玻璃片夾持在一手動升降臺上，將硅片夾持在超聲變幅桿上，超聲變幅桿固定在一可動工作臺上；（5）可動工作臺帶動硅片移動，并按設定的鍵合壓力使硅片與玻璃片相互接觸，然后按照設定好的超聲參數在硅片上施加超聲，使硅片與玻璃相互摩擦，活化鍵合界面；（6）去掉超聲的同時，施加鍵合電壓進行陽極鍵合；（7）鍵合完成后拆下被鍵合件。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉曰濤，肖春雷，王偉，楊明坤，魏修亭，
申請(專利權)人：山東理工大學，
類型：發明
國別省市：