形成MEMS熱電堆探測器空腔結構的體硅微加工方法技術

本發明專利技術提供一種形成MEMS熱電堆探測器空腔結構的體硅微加工方法，包括：提供硅基底，在硅基底上熱氧化生長二氧化硅膜，在二氧化硅膜上形成熱電堆區域和紅外吸收區。熱電堆區域上靠近紅外吸收區的一端為熱結區，遠離紅外吸收區的另一端為冷結區。在熱電堆結構層上淀積氮化硅和二氧化硅復合膜結構，在復合膜上光刻腐蝕開口。通過腐蝕窗口形成熱電堆結構的釋放通道。通過釋放通道，采用各向同性腐蝕方法腐蝕體硅表面淺層，以形成體硅淺層的薄型空腔；采用各向異性腐蝕方法腐蝕薄型空腔下方的體硅深層，形成規則平滑的梯形空腔結構，最終就形成了體硅內的空腔結構。本方法所形成的空腔結構內表面規則光滑，結構對稱性好。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種形成MEMS熱電堆探測器空腔結構的體硅微加工方法，包括：步驟101，提供硅基底(1)，在硅基底(1)的正面熱氧化生長二氧化硅膜(2)；步驟102，在二氧化硅膜(2)上通過淀積、光刻、刻蝕形成熱電堆區域(3)和紅外吸收區(4)；其特征在于，在步驟102之后，還包括下述步驟：步驟103，在二氧化硅膜(2)、熱電堆區域(3)和紅外吸收區(4)上淀積復合膜結構(5)；復合膜結構(5)的上層為Si3N4鈍化層，下層為二氧化硅保護層；步驟104，在Si3N4鈍化層表面旋涂光刻膠，并通過光刻工藝在光刻膠上形成光刻膠開口圖形，即腐蝕開口(6)；然后利用RIE技術刻蝕腐蝕開口(6)下方的材料，直到達到硅基底(1)為止，以形成熱電堆結構的釋放通道(61)；步驟105，通過釋放通道(61)，采用各向同性腐蝕方法腐蝕體硅表面淺層，以形成體硅淺層的薄型空腔(71)；步驟106，通過釋放通道(61)和薄型空腔(71)，采用各向異性腐蝕方法腐蝕薄型空腔(71)下方的體硅深層，形成規則平滑的梯形空腔結構(72)。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：孟如男，王瑋冰，
申請(專利權)人：江蘇物聯網研究發展中心，
類型：發明
國別省市：