逆向熱鍵合技術(shù)制作尺寸可控的微納米流體系統(tǒng)技術(shù)方案

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種逆向熱鍵合技術(shù)制作尺寸可控的微納米流體系統(tǒng)的方法，首先在預(yù)處理過(guò)的光柵模板上涂覆一層SU-8光刻膠，通過(guò)逆向壓印技術(shù)將圖形復(fù)制到SU-8光刻膠上，然后根據(jù)各向界面間的粘附能不同的原理，使用UV膠帶將固化的SU-8光刻膠揭下來(lái)，圖形成功轉(zhuǎn)移到柔性UV膠帶上。另取一Si片旋涂一層薄SU-8光刻膠形成封裝層Si基底，將上述制得的SU-8膠圖形結(jié)構(gòu)層覆蓋在Si基底上，經(jīng)逆向熱鍵合技術(shù)制得微納米流體系統(tǒng)。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)將壓印技術(shù)與鍵合技術(shù)融合在一起，工藝操作簡(jiǎn)單，無(wú)需高溫高壓，且通道尺寸可控，不易出現(xiàn)堵塞。制造成本低，利于大面積生產(chǎn)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種逆向熱鍵合技術(shù)制作尺寸可控的微納米流體系統(tǒng)的方法，其特征是首先在預(yù)處理過(guò)的光柵模板上涂覆一層SU?8光刻膠，通過(guò)逆向壓印技術(shù)將圖形復(fù)制到SU?8光刻膠上，然后根據(jù)各界面間的粘附能不同的原理，使用UV膠帶將固化的SU?8光刻膠揭下來(lái)，圖形成功轉(zhuǎn)移到柔性UV膠帶上。另取一Si片旋涂一層薄SU?8光刻膠形成封裝層Si基底，將上述制得的SU?8膠圖形結(jié)構(gòu)層覆蓋在Si基底上，經(jīng)逆向熱鍵合技術(shù)制得微納米流體系統(tǒng)。

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王旭迪，涂呂星，劉玉東，陶偉，王時(shí)飛，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：合肥工業(yè)大學(xué)，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：