大面積薄型單晶硅的制作技術制造技術

本發明專利技術是有關于一種大面積薄型單晶硅的制作技術，特別是有關一種利用金屬輔助蝕刻技術在硅基板或硅晶圓上制作微米結構或納米結構并脫離硅基板或晶圓的方法。此方法借由金屬催化劑沉積、縱向蝕刻、側向蝕刻、而使微米結構或納米結構剝離或轉移等簡單的工藝，形成薄型單晶硅，并將基板表面處理后，使基板進行回收用于重復制作薄型單晶硅，而對基板做充分的利用，達到降低其制作成本的目的與增加應用的范圍。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種薄型單晶硅制作技術，其特征在于包含:(1)提供單一種材料基板;(2)制作設計過的圖案化金屬阻擋層在該基板上，而定義出該基板上的蝕刻區域;(3)沉積或附著金屬催化劑在該基板上;(4)將該基板浸入第一蝕刻溶液中進行縱向蝕刻而形成微米結構或納米結構;(5)將該基板浸入第二蝕刻溶液中進行側向蝕刻而侵蝕該微米結構或納米結構的底部，使得該微米結構或納米結構的底部與該基板分離;(6)將該微米結構或納米結構由該基板上轉移;以及(7)處理該基板表面使其再制作微米結構或納米結構在其上。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：林清富，林子敬，許書嘉，
申請(專利權)人：林清富，
類型：發明
國別省市：