一種具有高深寬比梳齒間隙硅微慣性器件的制備方法技術

一種具有高深寬比梳齒間隙硅微慣性器件的制備方法，涉及微慣性器件。提供簡單、可保證電學特性且成本低的一種具有高深寬比梳齒間隙硅微慣性器件的制備方法。加工梳狀結構的硅微慣性器件半成品主體結構；加工與硅微慣性器件半成品主體結構配合的帶凹槽的封裝蓋；制備高深寬比的梳齒間隙；制備硅微慣性器件成品。先將原本的固定梁制備成懸浮梁，然后通過施加反向電壓，在靜電吸合的作用下，使懸浮梁移動定位，自熱形成高深寬比梳齒間隙。簡單易操作，而且加工中所需的刻蝕、鍵合等工藝已非常成熟，不需要高精密的刻蝕儀器或者繁雜的沉積方法就可以獲得高深寬比的梳齒間隙，而且因為不需要重復刻蝕等步驟，梳齒間隙的均勻性可以很好地保證。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種具有高深寬比梳齒間隙硅微慣性器件的制備方法，其特征在于包括以下步驟：1）加工梳狀結構的硅微慣性器件半成品主體結構利用硅加工工藝在SOI片上加工梳狀結構的硅微慣性器件半成品主體結構；硅微慣性器件主體結構包括底座、懸浮梁、彈性懸浮梁連接梁、活動梁、彈性活動梁連接梁、卡勾和吸引電極；懸浮梁端部設有彈性懸浮梁連接梁，活動梁端部設有彈性活動梁連接梁，所述彈性懸浮梁連接梁、彈性活動梁連接梁、卡勾和吸引電極均與底座制為一體，懸浮梁和活動梁均設有梳齒，懸浮梁梳齒與活動梁梳齒相互交替相嵌，相鄰的懸浮梁梳齒與活動梁梳齒之間具有梳齒間隙；懸浮梁一端設有卡齒，卡齒面對卡勾，吸引電極位于懸浮梁的卡齒前方；2）加工與硅微慣性器件半成品主體結構配合的帶凹槽的封裝蓋；3）制備高深寬比的梳齒間隙在吸引電極和懸浮梁上施加相反電壓，在靜電吸合的作用下，懸浮梁通過彈性懸浮梁連接梁的變形向吸引電極的方向移動，直至被卡勾卡住，然后去除電壓，懸浮梁被卡勾卡住定位不能彈回，在沿懸浮梁移動方向一側的梳齒間隙被減小，從而形成高深寬比的梳齒間隙；4）制備硅微慣性器件成品利用鍵合或粘接工藝，使被卡勾卡住定位的懸浮梁與步驟2）所制備的封裝蓋的邊緣固接，從而使懸浮梁成為固定梁，而活動梁不與封裝蓋固接，活動梁仍可通過彈性活動梁連接梁的變形而實現微慣性動作；至此，則制備出具有高深寬比梳齒間隙硅微慣性器件。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：孫道恒，杜曉輝，占瞻，何杰，周如海，蔡建法，王凌云，
申請(專利權)人：廈門大學，
類型：發明
國別省市：