一種等離子處理裝置，包括真空腔體和等離子體發生組件，所述等離子體發生組件包括：等離子體發生腔，開設于所述真空腔體腔壁；電極模組，設置于所述等離子體發生腔內，所述電極模組的放電端正對所述真空腔體內部，所述電極模組由多個平行矩陣排列的管狀電極組成；微波等離子激勵源，與所述電極模組電連接；氣體輸送管道，自所述等離子體發生腔側壁連通于所述等離子體發生腔。上述等離子處理裝置，氣流在等離子體發生腔內流動時，側壁阻擋而轉向，進入真空腔體。在該過程中流速減慢，電離更充分；并流形成紊流，使氣流中的等離子體混合均勻。氣體經所述等離子體發生組件，形成均勻的等離子氣體，對產品進行等離子處理，處理效果好。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及表面處理設備領域，特別是涉及一種等離子處理裝置。
技術介紹
等離子體又叫做電漿，是由電子、離子等帶電粒子以及中性粒(原子、分子、微料等)組成的，宏觀上呈現準中性，且具有集體效應的混合氣體。目前，等離子處理設備廣泛應用于等離子清洗、刻蝕、等離子鍍、等離子涂覆、等離子灰化和表面活化、改性等場合。通過其處理,能夠改善材料的潤濕能力，使多種材料能夠進行涂覆、鍍等操作，增強粘合力、鍵合力，同時去除有機污染物、油污或油脂。一般的等離子處理設備當中，氣流在電極之間流動時，產生的等離子氣體不均勻，導致進行等離子體處理時，也會產生不均勻的問題。而且氣體在兩片電極之間只能部分電離，產生等離子體的效率較低，也導致進行等離子體處理的效率降低。
技術實現思路
基于此，有必要提供一種等離子體分布均勻、等離子處理效率高的等離子處理裝置。一種等離子處理裝置，包括真空腔體和等離子體發生組件，所述等離子體發生組件包括:等離子體發生腔，開設于所述真空腔體腔壁；電極模組，設置于所述等離子體發生腔內，所述電極模組的放電端正對所述真空腔體內部，所述電極模組由多個平行矩陣排列的管狀電極組成；微波等離子激勵源，與所述電極模組電連接；氣體輸送管道，自所述等離子體發生腔側壁連通于所述等離子體發生腔。在其中一個實施例中，所述真空腔體腔壁設置有至少兩個等離子體發生組件。在其中一個實施例中，所述真空腔體腔壁設置有兩個等離子體發生組件，分設于所述真空腔體相對的兩腔壁。在其中一個實施例中，所述兩個等離子體發生組件相對交錯分布于所述真空腔體相對的兩腔壁。在其中一個實施例中，所述兩個等離子體發生組件包括設置于真空腔體頂部腔壁的第一等離子體發生組件，以及設置于真空腔體底部腔壁的第二等離子體發生組件，所述第一等離子體發生組件和第二等離子體發生組件交錯分布。在其中一個實施例中，所述微波等離子激勵源的頻率為2.45GHz。在其中一個實施例中，所述真空腔體中部還設有多個輸送輥輪，所述輸送輥輪相互平行。在其中一個實施例中，所述輸送輥輪的兩端至少有一端伸出所述真空腔體。在其中一個實施例中，所述等離子處理裝置還包括抽真空系統，所述抽真空系統與所述真空腔體連通。在其中一個實施例中，所述等離子處理裝置還包括調速裝置，所述調速裝置與所述輸送輥輪連接。上述等離子處理裝置，微波等離子激勵源激勵電極模組產生電磁場，當氣體經氣體輸送管道進入等離子體發生腔，在電極模組的管狀電極作用下被電離，形成等離子體。由于氣體輸送管道自所述等離子體發生腔側壁連通于所述等離子體發生腔，而非正對等離子體發生腔開口處，故而氣流在等離子體發生腔內流動時，先經與連接氣體輸送管道的側壁相對的另一側壁阻擋而轉向，再自等離子體發生腔流出而進入真空腔體。氣流在等離子體發生腔內發生轉向的過程中流速減慢，故而增加了與電極模組的接觸時間，電離更充分；且在轉向過程中氣流形成紊流，從而使氣流中的等離子體混合均勻。且，在外加電壓一定的情況下，由于電極模組由多個平行矩陣排列的管狀電極組成，縮短了各管狀電極之間的距離，各管狀電極之間的氣體更容易電離，且由于是多個管狀電極分布，任一組管狀電極都能使分布其間的氣體發生電離，使等離子體發生腔內氣體多處電離，避免了管狀電極較少時，部分氣體因離管狀電極較遠而電離效果不佳。故而，氣體經所述等離子體發生組件，被高效而充分地電離，形成均勻的等離子氣體，進入與真空腔體內對產品進行等離子處理，處理效果好。附圖說明圖1為一實施方式的等離子處理裝置的結構示意圖；圖2為一實施方式的等離子處理裝置的側面結構視圖；圖3為一實施方式的等離子處理裝置的正面結構視圖；圖4為一實施方式的等離子處理裝置的內部結構示意圖；圖5為一實施方式的等離子處理裝置的等離子體發生組件內部結構示意圖；圖6為一實施方式的等離子處理裝置的電極模組結構示意圖。具體實施例方式以下結合附圖和具體實施例對本專利技術做進一步的闡述。如圖1、圖2、圖5、圖6所示，一種等離子處理裝置，包括真空腔體100和等離子體發生組件200，所述等離子體發生組件200包括:等離子體發生腔220，開設于所述真空腔體100腔壁；電極模組240，設置于所述等離子體發生腔220內，所述電極模組240的放電端正對所述真空腔體100內部，所述電極模組240由多個平行矩陣排列的管狀電極242組成；微波等離子激勵源260，與所述電極模組240電連接；氣體輸送管道280，自所述等離子體發生腔220側壁連通于所述等離子體發生腔220。上述等離子處理裝置，微波等離子激勵源260激勵電極模組240產生電磁場，當氣體經氣體輸送管道280進入等離子體發生腔220，在電極模組240的管狀電極242230作用下被電離，形成等離子體。由于氣體輸送管道280自所述等離子體發生腔220側壁連通于所述等離子體發生腔220，而非正對等離子體發生腔220開口處，故而氣流在等離子體發生腔220內流動時，先經與連接氣體輸送管道280的側壁相對的另一側壁阻擋而轉向，再自等離子體發生腔220流出而進入真空腔體100。氣流在等離子體發生腔220內發生轉向的過程中流速減慢，故而增加了與電極模組240的接觸時間，電離更充分；且在轉向過程中氣流形成紊流，從而使氣流中的等離子體混合均勻。且，在外加電壓一定的情況下，由于電極模組240由多個平行矩陣排列的管狀電極242組成，縮短了各管狀電極242之間的距離，各管狀電極242之間的氣體更容易電離，且由于是多個管狀電極242分布，任一組管狀電極242都能使分布其間的氣體發生電離，使等離子體發生腔220內氣體多處電離，避免了管狀電極242較少時，部分氣體因離管狀電極242較遠而電離效果不佳。故而，氣體經所述等離子體發生組件200，被高效而充分地電離，形成均勻的等離子氣體，進入與真空腔體100內對產品進行等離子處理，處理效果好。在其中一個實施例中，所述的微波等離子激勵源260的頻率為2.45GHz。該頻率的微波等離子激勵源260適應性好，可以使所述的電極模組240對氣體電離充分，工作效率聞。在其中一個實施例中，等離子處理裝置設有多個等離子體發生組件200，這些等離子處理裝置可分設于等離子體發生腔220同一腔壁或不同腔壁。設置多個等離子體發生組件200，多股氣流分別經氣體輸送管道280，在等離子體發生腔220電離，產生等離子體進入真空腔體100內，相比單等離子體發生組件200，真空腔體100內的等離子體濃度增大，故而提高了等離子處理裝置清洗產品的能力。具體地，等離子處理裝置可以設有兩個等離子體發生組件200，這兩個等離子體發生組件200分設于所述真空腔體100相對的兩腔壁。相比兩個等離子體發生組件200設置于真空腔體100同一腔壁，兩個等離子體發生組件200相對設置，產生兩股氣流，氣流從相對的兩腔壁進入真空腔體100，形成環流，因此真空腔體100內的等離子體分布的更為均勻，避免出現等離子體濃度較低處清理效果不佳的現象，因此產品整體的清洗效果也會更好。更具體地，等離子處理裝置設有兩個等離子體發生組件200，所述兩個等離子體發生組件200相對交錯分布于所述真空腔體100相對的兩腔壁。兩個等離子體發生組件200產生兩股氣流，由于兩個等離子體發生組件200相對交錯分布，因而真空腔體100的角落更本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種等離子處理裝置，包括真空腔體和等離子體發生組件，其特征在于，所述等離子體發生組件包括：等離子體發生腔，開設于所述真空腔體腔壁；電極模組，設置于所述等離子體發生腔內，所述電極模組的放電端正對所述真空腔體內部，所述電極模組由多個平行矩陣排列的管狀電極組成；微波等離子激勵源，與所述電極模組電連接；氣體輸送管道，自所述等離子體發生腔側壁連通于所述等離子體發生腔。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙芝強，
申請(專利權)人：珠海寶豐堂電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44
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