一種EUV光源污染物收集裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種EUV光源污染物收集裝置，應用于X射線或者EUV發光裝置，其中，所述EUV發光裝置包括：一激光源，一真空腔，一集光鏡，一噴嘴，其中，EUV光源污染物收集裝置包括：一收集罩，收集罩位于真空腔內，用于在激光束打擊靶材后收集靶材碎片，減少對EUV光源及其相連光刻機的污染；一儲存裝置，儲存裝置位于真空腔的下方，儲存裝置用于收集靶材和/或污染物。本發明專利技術的EUV光源污染物收集裝置能夠減少靶材碎片等污染物對EUV光源及其相連光刻機的污染，提高其使用壽命，同時降低污染物對EUV光的吸收，大幅度提高EUV光源的效率。本發明專利技術能夠回收并循環利用靶材，因此能夠大幅度提高靶材的利用效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體
，尤其涉及一種EUV光源污染物收集裝置。
技術介紹
由于半導體行業對集成電路(IC, Integrated Circuits)的集成度要求越來越高，傳統的可見光或者紫外光刻機已無法滿足行業發展需求，市場需求性能更為優良的光刻設備來維持整個產業的高速發展勢頭。眾所周知，光刻分辨率與投影物鏡的數值孔徑成反比，與曝光波長成正比。因此，為了提高光刻分辨率，下一代光刻機將采用波長更短的EUV光(也稱為軟X射線，其中包括波長在13.5nm附近的光)來取代現有的可見光及紫外光，以進一步提高光刻分辨率和IC的集成度。產生X射線或EUV (Extreme Ultra Violet極紫外)光的主要途徑是將材料轉換為含有至少一種元素的等離子態，從而獲得EUV光。目前的轉換方法主要有兩種，“激光產生等離子體”(LPP, Laser Produced Plasma)和“放電產生等離子體”(DPP, DischargeProduced Plasma)。LPP技術主要通過高功率的激光器轟擊靶材產生EUV光，該技術已較為成熟，最為人們所看好。本申請專利技術人在實現本申請實施例中專利技術技術方案的過程中，發現上述技術至少存在如下技術問題:目前，光刻用大功率LPP-EUV光源采用二氧化碳激光器轟擊液體金屬(如，錫)靶產生等離子體，從而形成EUV光。激光脈沖轟擊液體金屬(如，錫)靶時會產生大量金屬碎片或蒸汽，污染EUV光源和光刻機中的光學鏡面，減少光學鏡面的使用壽命。因此金屬碎片或蒸汽所造成的污染已成為制約LPP-EUV光源發展的關鍵技術難題之一。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種EUV光源污染物收集裝置，解決了現有技術中金屬(如，錫)碎片或蒸汽對于EUV光源和光刻機中光學鏡面污染的技術問題，降低了金屬(如，錫)碎片或蒸汽對EUV光的吸收，實現了提高EUV光源的收集效率和使用壽命的技術效果。為了達到上述目的，本專利技術采用的技術方案如下:一種EUV光源污染物收集裝置，應用于EUV發光裝置，其中，所述EUV發光裝置包括:一激光源，所述激光源用于發生激光束，打擊靶材，產生激光等離子體，發出X射線或EUV光；一真空腔,所述真空腔用于保持真空環境,提供EUV光的存在環境；一集光鏡,所述集光鏡位于所述真空腔內，用于聚集所述EUV光；一噴嘴，所述噴嘴位于所述真空腔的上部，用于提供靶材；其中，所述EUV光源污染物收集裝置包括:一收集罩，所述收集罩位于所述真空腔內，用于在所述激光束沖擊所述靶材后收集金屬碎片等污染物；一儲存裝置，所述儲存裝置位于所述真空腔的下方，所述儲存裝置用于收集所述靶材和/或所述污染物。進一步的，所述收集罩還包括:第一收集罩和第二收集罩，其中所述第一收集罩位于所述第二收集罩的上方，所述第一收集罩的下沿與所述集光鏡之間為第一距離，所述第二收集罩的上沿與所述集光鏡之間為第二距離，其中，所述第一距離小于所述第二距離。進一步的，所述EUV光源污染物收集裝置還包括:一控溫裝置，所述控溫裝置覆蓋于所述收集罩上，用于將所述收集罩上的金屬碎片液化以利于所述污染物的收集。進一步的，所述EUV光源污染物收集裝置還包括:一 EUV光源輸出孔，所述EUV光源輸出孔用于將所述EUV光源輸出給光刻機；一 EUV光源真空閥門，所述EUV光源真空閥門用于控制EUV光是否進入光刻機；一動態氣體鎖裝置，所述動態氣體鎖裝置位于EUV光源與光刻機之間，且動態氣體流動方向垂直于所述EUV光源的發射方向，其中，所述動態氣體鎖裝置包括:動態氣體進氣裝置，用于發射所述動態氣體；動態氣體排氣裝置，用于排出所述動態氣體。其中，通過所述動態氣體進氣、排氣裝置的配合將所述金屬(如，錫)碎片或蒸汽阻擋在所述EUV光源的內部，防止污染物進入光刻機。進一步的，所述EUV光源污染物收集裝置還包括:一收集槽，所述收集槽位于所述真空腔內，連接于所述儲存裝置，且位于所述儲存裝置上方。進一步的，所述儲存裝置還包括:一儲存槽，所述儲存槽用于儲存所述靶材和/或所述污染物；一防逆流裝置，所述防逆流裝置位于所述儲存槽與所述收集槽的連接處，用于防止儲存槽內的蒸汽倒流入所述真空腔中。進一步的，所述EUV光源污染物收集裝置還包括:一循環利用裝置，所述循環利用裝置的一端連接所述儲存裝置，另一端連接所述噴嘴，用于將所述儲存裝置中的金屬靶材經過處理后輸送至所述噴嘴，實現所述靶材的循環利用。進一步的，所述循環利用裝置還包括:一動力裝置，所述動力裝置位于所述循環利用裝置的管路上，用于提供動力使所述儲存裝置中的靶材遷移至所述噴嘴實現所述靶材的循環利用。進一步的，所述循環利用裝置還包括:一處理裝置，所述處理裝置位于所述循環利用裝置的管路上，用于將靶材進行處理，提升靶材的純凈度。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是:本專利技術的EUV光源污染物收集裝置能夠減少靶材碎片等污染物對EUV光源及其相連光刻機的污染，提高其使用壽命，同時降低污染物對EUV光的吸收，大幅度提高EUV光源的效率。同時，本專利技術能夠回收并循環利用靶材，因此能夠大幅度提高靶材的利用效率。附圖說明圖1為本專利技術實施例中EUV光源污染物收集裝置的結構示意圖；圖2為本專利技術實施例中收集罩的結構示意圖；圖3為本專利技術實施例中的收集罩控溫裝置的結構示意圖；圖4為另外一實施例中的收集罩、噴嘴和收集槽相對位置不意具體實施例方式本專利技術實施例通過提供一種EUV光源污染物收集裝置，解決了現有技術中金屬(如，錫)碎片或蒸汽對EUV光源及其相連光刻機的污染，提高其使用壽命，同時降低污染物對EUV光的吸收，大幅度提高EUV光源的效率。為了更好的理解上述技術方案，下面將結合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術方案進行詳細的說明。如圖1所示，本專利技術實施例公開了一種EUV光源污染物收集裝置，應用于EUV發光裝置，所述EUV發光裝置包括:激光源1、真空腔2、集光鏡3、噴嘴4，其中，激光源I用于發生激光束，打擊靶材，產生等離子體，發出X射線或EUV光。其中，激光器I采用二氧化碳激光器，當然本專利技術并不限定為二氧化碳激光器，也可以選用YAG激光器或者一氧化碳激光器等；功率選擇在使EUV轉化效率最高即可。激光器I的數量也不限定，可以是一個，也可以是兩個以上。真空腔2用于保持E UV發光裝置 的內部為真空環境，提供EUV光的存在環境。集光鏡3位于所述真空腔2內，用于聚集所述EUV光，并將該EUV的光導入照明光學系統。該集光鏡3表面涂有Mo/Si多層膜，提高集光鏡的反射效率。噴嘴4，位于所述真空腔2的上部，用于提供靶材。噴嘴4中加入液體金屬(如，錫)，從噴嘴4噴出時形成金屬(如，錫)液滴。當然靶材不限于金屬，靶材還可以包含氙(Xe)、鋰(Li)等的氣體或團簇。進一步的，本專利技術實施例提供的EUV光源污染物收集裝置包括收集罩5、儲存裝置6，其中:收集罩5位于所述真空腔2內，用于在所述激光束沖擊所述靶材后收集污染物。進一步的，如圖2所示，圖2左側的為側視圖，右側的為正視圖，從圖2可以看出，收集罩5為凹形、中間有通孔56的圓餅形狀，收集罩形狀不限于圓形，也可以為方形或者六邊形等適合EUV光源的形狀。為了使收集罩5能夠更好的收集錫碎片污染物，中間通孔56的上半圓可以相對于下半圓凹陷一點，也即是說，收集罩5本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種EUV光源污染物收集裝置，應用于EUV發光裝置，其特征在于，其中，所述EUV發光裝置包括：一激光源，所述激光源用于發生激光束，打擊靶材，產生等離子體，發出X射線或EUV光；一真空腔，所述真空腔用于保持真空環境，提供EUV光的存在環境；一集光鏡，所述集光鏡位于所述真空腔內，用于聚集所述EUV光；一噴嘴，所述噴嘴位于所述真空腔的上部，用于提供激光等離子體的靶材；其中，所述EUV光源污染物收集裝置包括：一收集罩，所述收集罩位于所述真空腔內，用于在所述激光束沖擊所述靶材后收集污染物；一儲存裝置，所述儲存裝置位于所述真空腔的下方，用于收集所述靶材和/或所述污染物。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：宗明成，孫裕文，李世光，黃有為，
申請(專利權)人：中國科學院微電子研究所，
類型：發明
國別省市：北京;11