EUV輻射源和光刻設(shè)備制造技術(shù)

一種EUV輻射源，包括燃料供給裝置，配置成提供燃料至等離子體形成位置。燃料供給裝置包括貯液器，配置成將燃料保持在以將燃料保持為液體狀態(tài)的足夠高的溫度條件下，和壓力容器，配置成容裝貯液器，壓力容器與貯液器至少部分地?zé)岣綦x。EUV輻射源還包括激光輻射源，配置成在等離子體形成位置處照射由燃料供給裝置提供的燃料。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種EUV輻射源和光刻設(shè)備。
技術(shù)介紹
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例 如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標部分被連續(xù)地圖案化。光刻技術(shù)被廣泛地看作制造集成電路和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻技術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻技術(shù)正變成允許縮小將要制造的集成電路或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計可以由分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示0)=々丨*丄(I) 1 NA其中λ是所用輻射的波長，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，ki是隨工藝變化的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種途徑獲得通過縮短曝光波長λ、通過增大數(shù)值孔徑NA或通過減小Ic1的值。為了縮短曝光波長，并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是波長在5-20nm范圍內(nèi)的電磁輻射，例如在13_14nm范圍內(nèi)，或例如在5-10nm范圍內(nèi)，例如6. 7nm或6. 8nm。可用的源包括例如激光產(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或基于通過電子儲存環(huán)提供的同步加速器輻射的源?？梢允褂玫入x子體產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器，和用于包含等離子體的源收集器模塊。例如通過引導(dǎo)激光束到例如合適材料(例如錫)的顆粒、或合適氣體(例如氙氣或鋰蒸汽)的束或蒸汽的燃料上形成等離子體。最終的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其使用輻射收集器收集。輻射收集器可以是反射鏡正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦成束。源收集器模塊可以包括包圍結(jié)構(gòu)或室，包圍結(jié)構(gòu)或室布置成提供真空環(huán)境以支撐等離子體。這種輻射系統(tǒng)通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。通過LPP源產(chǎn)生的EUV輻射的強度遭受不期望的波動。這些不期望的波動對通過光刻設(shè)備將圖案成像到襯底上的精確度產(chǎn)生不利的影響。期望提供EUV輻射源和光刻設(shè)備，其比現(xiàn)有技術(shù)中的EUV輻射源和光刻設(shè)備遭受較小的EUV輻射強度波動。
技術(shù)實現(xiàn)思路
根據(jù)本專利技術(shù)的一方面，提供一種EUV輻射源，其包括燃料供給裝置，其配置成供給燃料至等離子體形成位置。燃料供給裝置包括貯液器，配置成將燃料保持在能夠?qū)⑷剂媳３譃橐后w狀態(tài)的足夠高的溫度條件下，和壓力容器，配置成容裝貯液器，壓力容器與貯液器至少部分地?zé)岣綦x。EUV輻射源還包括激光輻射源，配置成在等離子體形成位置處照射由燃料供給裝置提供的燃料。根據(jù)本專利技術(shù)一方面，提供一種生成EUV輻射的方法，包括步驟將燃料以能夠?qū)⑷剂媳３譃橐后w狀態(tài)的足夠高的溫度保持在貯液器內(nèi)；使用壓力容器施加壓力至所述燃料，所述壓力容器容裝所述貯液器，壓力容器與貯液器至少部分地?zé)岣綦x；從貯液器經(jīng)由噴嘴噴射燃料液滴；和引導(dǎo)激光束到燃料的液滴，使得燃料的液滴蒸發(fā)并產(chǎn)生EUV輻射。。根據(jù)本專利技術(shù)一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括EUV輻射源，配置成產(chǎn)生EUV輻射。所述EUV輻射源包括燃料供給裝置，配置成提供燃料至等離子體形成位置。燃料供給裝置包括貯液器，配置成將燃料保持在能夠?qū)⑷剂媳３譃橐后w狀態(tài)的足夠高的溫度條件下，和壓力容器，配置成容裝貯液器，壓力容器與貯液器至少部分地?zé)岣綦x。EUV輻射源還包括激光輻射源，配置成在等離子體形成位置處照射由燃料供給裝置提供的燃料；支撐結(jié)構(gòu)，配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置成將EUV輻射圖案化以形成圖案化的輻射束；和投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底上。 附圖說明下面將僅以示例的方式、參考所附示意圖描述本專利技術(shù)的不同方面的實施例，其中相應(yīng)的附圖標記表示相應(yīng)的部件，其中圖I示意地示出根據(jù)本專利技術(shù)一個實施例的光刻設(shè)備；圖2更詳細地示出圖I中的設(shè)備，其包括LPP源收集器模塊；和圖3示意地示出圖I和2中的光刻設(shè)備的EUV輻射源的燃料供給裝置。具體實施例方式圖I示意地示出根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施例的光刻設(shè)備100。光刻設(shè)備包括根據(jù)本專利技術(shù)一個實施例的EUV輻射源。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL,配置成調(diào)節(jié)輻射束B (例如EUV輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，構(gòu)造成支撐圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?MA，并與配置用于精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底臺的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如反射投影系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括多種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性的、電磁的、靜電的或其他類型的光學(xué)部件或其組合，用以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底W的目標部分C上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案將與在目標部分C上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩 模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同的方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。與照射系統(tǒng)類似，投影系統(tǒng)可以包括多種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用真空之類的其他因素所適合的。希望將真空環(huán)境用于EUV輻射，因為其他氣體會吸收太多的輻射或電子。因此借助真空壁和真空泵可以在整個束路徑上提供真空環(huán)境。如這里所述，設(shè)備是反射類型(例如采用反射掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從源收集器模塊SO發(fā)出的極紫外EUV輻射束。形成EUV輻射的方法包括但不必限于將材料轉(zhuǎn)化為等離子體狀態(tài)本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2010.01.07 US 61/293,1391.一種EUV輻射源，包括 燃料供給裝置，其配置成提供燃料至等離子體形成位置，所述燃料供給裝置包括 貯液器，其配置成將燃料保持在能夠?qū)⑷剂媳３譃橐后w狀態(tài)的足夠高的溫度條件下，和 壓力容器，其配置成容裝貯液器，所述壓力容器與所述貯液器至少部分地?zé)岣綦x；和 激光輻射源，其配置成在等離子體形成位置處照射由所述燃料供給裝置提供的燃料。2.如權(quán)利要求I所述的EUV輻射源，其中，在所述貯液器和所述壓力容器的壁之間存在間隙3.如權(quán)利要求I或2所述的EUV輻射源，其中，圍繞所述貯液器的至少一部分設(shè)置絕熱熱屏蔽。4.如權(quán)利要求3所述的EUV輻射源，其中，所述絕熱熱屏蔽包括主動冷卻設(shè)備。5.如前述權(quán)利要求任一項所述的EUV輻射源，其中，通過由用作熱隔離器的材料形成的支撐件支撐所述貯液器。6.如前述權(quán)利要求任一項所述的EUV輻射源，其中，所述壓力容器配置成保持超過400bar的壓力。7.如權(quán)利要求6所述的EUV輻射源，其中，所述壓力容器配置成保持IOOObar或更高的壓力。8.如前述權(quán)利要求任一項所述的EUV輻射源，其中，所述燃料是錫。9.一種光刻設(shè)備，其包括如前述權(quán)利...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：E·魯普斯特拉，G·斯溫克爾斯，E·布雷曼，W·梅斯特龍，
申請(專利權(quán))人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：