【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造工藝的設備離子注入機,離子注入機的一種雙燈絲離子源調節弧流平衡方法。
技術介紹
在半導體制造工藝設備離子注入機中,離子源部件是離子注入機的關鍵部分起到決定性的作用,直接影響到離子注入晶片的劑量大小以及離子束流的純度。間接加熱式離子源由放電室(陽極)、燈絲、陰極、反射極構成、離子源的燈絲座以及外殼、水冷。在高真空條件下,加上一定的電流使燈絲加熱,當加熱溫度達到電子的溢出功,燈絲發射電子,在燈絲與陰極之間加一偏壓,電子在偏壓加速下,以一定的能量打到陰極上,使陰極發熱,同樣當溫度達到電子的溢出功時,陰極表面發射電子,在陰極與陽極(放電室)之間加上弧壓(約-100V),陰極表面溢出的電子在弧壓電場電場作用下,由陰極飛向陽極;在放電室中送入了一定的工藝氣體,放電室由高真空變為低真空,陰極發射的電子與放電室中的氣體發生碰撞而產生電離,形成等離子體。在離子源部件中,為了增加電子在放電室中的飛行路程,以便提高電子與氣體的碰撞幾率從而提高離子源的電離效率,在放電室中加上磁場B(幾十 幾百GS)(所說的源磁場),在磁場中電子作螺旋運動有效地提高了電子的運動路程。同時在陰極的對面加了一個反射電極,其電位與陰極相同,當電子運動到反射極時會被排斥回來,提高電子的壽命。離子源放電形成的等離子體密度與陰極發射的電子量、送氣量(放電室中的氣壓)、弧壓、磁場的大小密切相關。
技術實現思路
本專利技術是針對雙燈絲離子源弧流平衡穩定的一種方法。兩個燈絲在在各個電源的調節下,在相同的弧室中最終達到了弧流平衡。如圖1雙燈絲離子源示意圖。本專利技術通過以下技術方案實現:1.,包 ...
【技術保護點】
一種雙燈絲離子源平衡調節方法,包括:燈絲電源1(1)、燈絲電源2(2)、偏置電源1(3)、偏置電源2(4)、弧壓電源(5)、比較器1(6)、比較器2(7)、兩個霍爾傳感器(8)。其特征在于:其中所述雙燈絲離子源包括:燈絲電源1(1)、燈絲電源2(2)、偏置電源1(3)、偏置電源2(4)、弧壓電源(5)、比較器1(6)、比較器2(7)、兩個霍爾傳感器(8)、兩個反向器(9)。燈絲電源1(1)和2(2)用來給離子源的燈絲加熱,當燈絲加熱溫度達到一定程度時,燈絲就會發射電子,偏置電源1(3)和2(4)加在陰極與燈絲之間,使得電子以一定能量打到陰極上,形成偏流。同樣陰極在持續的轟擊下,陰極表面發射電子,弧壓電源(5)連接在弧室與陰極之間,電子在弧壓電場作用下,向弧室運動,最終吸附到弧室上形成弧流。
【技術特征摘要】
1.一種雙燈絲離子源平衡調節方法,包括:燈絲電源I (I)、燈絲電源2(2)、偏置電源I(3)、偏置電源2 (4)、弧壓電源(5)、比較器I (6)、比較器2 (7)、兩個霍爾傳感器(8)。其特征在于: 其中所述雙燈絲離子源包括:燈絲電源I (I)、燈絲電源2 (2)、偏置電源I (3)、偏置電源2(4)、弧壓電源(5)、比較器I (6)、比較器2 (7)、兩個霍爾傳感器(8)、兩個反向器(9)。燈絲電源I (I)和2 (2)用來給離子源的燈絲加熱,當燈絲加熱溫度達到一定程度時,燈絲就會發射電子,偏置電源1(3)和2(4)加在陰極與燈絲之間,使得...
【專利技術屬性】
技術研發人員:林萍,伍三忠,
申請(專利權)人:北京中科信電子裝備有限公司,
類型:發明
國別省市:
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