一種觸控傳感器及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術提供了一種觸控傳感器及顯示裝置，通過使BM保護層與金屬層具有相同的圖形，使得生產(chǎn)觸控傳感器的工藝流程需要5個掩膜板，并實施5次光刻操作，解決了現(xiàn)有觸控傳感器生產(chǎn)流程中6次光刻工藝使產(chǎn)能低，且需要使用6個掩膜板使成本高的問題。本實用新型專利技術涉及觸控傳感器設計制造領域。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及觸控傳感器設計制造領域，尤其涉及一種觸控傳感器及顯示裝置。
技術介紹
目前，觸摸傳感器(Touch sensor)技術可以分為兩片玻璃(G — G, Glass-Glass)觸控技術類型和單片玻璃觸控技術(OGS，One Glass Solution)類型。G — G類型是將touch sensor制作在普通玻璃上,然后和保護玻璃進行貼合，其優(yōu)點是制造工藝簡單，和陣列(array)產(chǎn)線兼容性好。但是由于是雙層玻璃貼合，具有厚度比較厚，而且透過率偏低的缺點。OGS是將touch sensor直接制作在強化玻璃上，由擋光的黑色矩陣(BM，BlackMatrix)材料、起保護作用的保護膜(0C, Over Coat)材料和金屬布線組成。OGS的優(yōu)點是只有一張玻璃，厚度比較薄，而且OC的透過率要好于G-G的SiNx (SiH4與NH3混合氣體作為反應氣體，輝光放電生成等離子體在襯底上成的膜)絕緣膜材料。現(xiàn)有技術中，OGS產(chǎn)品的生產(chǎn)相應的膜層及工藝流程如下第一層BM層，利用BM形成黑色的邊框；第二層0C0 (over coat IayerO)保護層，用于形成氧化銦錫(ΙΤ0,Indium Tin Oxides)像素電極層和BM層之間的絕緣層；第三層ΙΤ0像素電極層，利用ITO形成像素區(qū)的像素電極圖形(patterned sensor), ITO具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子福射、紫外線及遠紅外線；第四層0C1 (over coat layerl)絕緣層，用于ITO像素電極層和金屬層之間的絕緣；第五層金屬層，形成的金屬橋(metalbridge)用于連接觸控傳感器的一個方向的電極連；第六層0C2 (over coat layer2)保護層(Protection coating)。上述工序也可以第三層為金屬層,第五層為ITO像素電極層,其他層位置不變。現(xiàn)有技術中的上述工藝流程中，每一層都具有不同的圖形，因此每一層都需要不同的掩膜板，一共需要6個掩膜板，6個掩模板使得制作成本高；并且6層不同圖形的形成需要6次光刻工藝，而6次光刻工藝，會導致產(chǎn)能低。
技術實現(xiàn)思路
本技術實施例提供了一種觸控傳感器及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有觸控傳感器生產(chǎn)流程中6次光刻工藝使產(chǎn)能低，且需要使用6個掩膜板使成本高的問題。基于上述問題，本技術實施例提供的一種觸控傳感器，所述觸控傳感器從下到上依次包括透明基板、黑色矩陣BM層、BM保護層和金屬層，所述BM保護層具有與所述金屬層相同的圖形。本技術實施例提供的一種顯示裝置，包括顯示屏和位于所述顯示屏上的上述的觸控傳感器。本技術實施例的有益效果包括本技術實施例提供的一種觸控傳感器及顯示裝置，對于具有6個膜層的觸控傳感器通過一次構圖工藝使BM保護層與金屬層具有相同的圖形，而現(xiàn)有技術觸控傳感器的制造工藝中，6個膜層分別具有不同的圖形，因此每一層都需要不同的掩膜板，一共6個掩膜板，并且6層不同的圖形的形成需要6次光刻工藝，與現(xiàn)有技術相比，本技術實施例提供的一種觸控傳感器及顯示裝置，使得生產(chǎn)觸控傳感器的工藝中從需要6個掩膜板減少到5個掩膜板，并從實施6次光刻操作減少到5次光刻操作，提高了產(chǎn)能，同時解決了現(xiàn)有觸控傳感器生產(chǎn)流程中6次光刻工藝使產(chǎn)能低，且需要使用6個掩膜板使成本高的問題。附圖說明 圖1為本技術實施例提供的觸控傳感器結構的截面圖；圖2為本實施例提供的觸控傳感器中像素電極和金屬走線的示意圖；圖3a-圖3c為圖2中相鄰電極的放大示意圖；圖4為本技術實施例提供的一種觸控傳感器的制備方法流程圖；圖5a_圖5e為本技術實施例提供的一種觸控傳感器的制備流程中，該觸控傳感器處于不同制備階段的結構示意圖。具體實施方式下面結合說明書附圖，對本技術實施例提供的一種觸控傳感器及顯示裝置的具體實施方式進行說明。本技術實施例提供的一種觸控傳感器結構與現(xiàn)有觸控傳感器結構相似的部分是二者均從下到上依次包括透明基板、BM層、BM保護層和金屬層，本技術實施例對現(xiàn)有觸控傳感器的結構進行了進一步的改進，使得BM保護層具有與金屬層相同的圖形。在BM保護層具有與金屬層相同圖形的情況下，可以使用同一個掩膜板對這兩層進行刻蝕，節(jié)約了掩膜板的成本。進一步地，上述BM保護層的材料可以采用具有如下特點的材料成膜溫度低以至能夠在沉積該BM保護層的時候不會損傷BM層；能在金屬層沉積的時候保護BM層；能夠跟金屬層一起刻蝕；同時不影響透過率。采用這種特性的材料，可以保證BM保護層與金屬層具有相同圖形的前提下，使用同一個掩膜板通過一次光刻工藝完成，進一步降低工藝成本。較佳地，上述BM保護層可以采用ΙΤ0、氧化銦鎵鋅(IGZ0，Indium Gallium ZincOxide)等具有上述特性的材料,在此不再--列舉。進一步地，金屬層上具有多個用于橋接相鄰電極的金屬橋和位于觸控傳感器非像素區(qū)的金屬走線的圖形。進一步地，本技術實施例提供的上述觸控傳感器的金屬層之上，還可以包括絕緣層、氧化銦錫ITO像素電極層和像素保護層。進一步地，絕緣層位于金屬層之上對應于該觸控傳感器像素區(qū)的區(qū)域；并且絕緣層對應于金屬層的每個金屬橋的兩個端點的位置具有過孔。進一步地，ITO像素電極層上具有交叉而置且相互絕緣的觸控感應電極和觸控驅動電極的圖形。為了進一步說明本技術實施例提供的上述一種觸控傳感器的結構，下面以一個具體的實施例進行說明。圖1為該具體的實施例中觸控傳感器結構的截面圖。如圖1所示，該觸控傳感器從下到上依次包括透明基板101，BM層102，BM保護層103，金屬層104，絕緣層105，ITO像素電極層106，像素保護層107。下面分別對各層進行詳細說明BM層102，在透明基板101之上，具有遮擋觸控傳感器面板的周邊的圖形，觸控傳感器周邊被遮擋的區(qū)域為非像素區(qū)，也就是金屬層104形成的金屬走線所在的區(qū)域，中間沒有被遮擋的區(qū)域為像素區(qū)；BM保護層103，沉積在BM層102之上，覆蓋觸控傳感器面板的整個區(qū)域；金屬層104，沉積在BM保護層103之上，覆蓋觸控傳感器面板的整個區(qū)域，BM保護層103和金屬層104具有相同的圖形，即在像素區(qū)具有用于橋接ITO像素電極層106某一方向電極的金屬橋圖形，以及在非像素區(qū)的金屬走線的圖形；較佳地，本技術實施例提供的觸控傳感器可以使用ITO作為BM保護層103的材料，因為ITO成膜的溫度為25度，成膜時不會對底層的BM材料產(chǎn)生破壞，并且ITO較薄，又是金屬氧化物膜，可以和金屬層一起刻蝕，而不會形成較大的坡度角引起金屬層斷線；絕緣層105，沉積在金屬層之上，覆蓋非像素區(qū)和像素區(qū)交界的區(qū)域及像素區(qū)；在對應于金屬層104的每個金屬橋的兩個端點處有過孔。絕緣層105將其下層的金屬層104和其上層的ITO像素電極層106隔離開，通過過孔使得金屬層104上的金屬橋可以將ITO像素電極層106某一方向電極連接；進一步地，絕緣層105的材料可以采用SiNx、二氧化硅(Si02)、有機樹脂(0C，Organic Colophony)等絕緣材料；ITO像素電極層106，沉積在絕緣層105之上，覆蓋像素區(qū)，具有交叉而置且相互絕緣的觸控感應電極和觸控驅動電極的圖形。本實本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種觸控傳感器，所述觸控傳感器從下到上依次包括：透明基板、黑色矩陣BM層、BM保護層和金屬層，其特征在于，所述BM保護層具有與所述金屬層相同的圖形。

【技術特征摘要】
1.一種觸控傳感器，所述觸控傳感器從下到上依次包括透明基板、黑色矩陣BM層、BM保護層和金屬層，其特征在于，所述BM保護層具有與所述金屬層相同的圖形。2.如權利要求1所述的觸控傳感器，其特征在于，所述BM保護層的材料為氧化銦錫ITO或氧化銦鎵鋅IGZ0。3.如權利要求1所述的觸控傳感器，其特征在于，所述金屬層上具有多個用于橋接相鄰電極的金屬橋和位于觸控傳感器非像素區(qū)的金屬走線的圖形。4.如權利要求1-3任一項所述的觸控傳感器，其特征在于，在所述金屬層...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：曲連杰，郭建，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：