一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，包括外殼以及真RMS至DC轉換器集成電路，所述的外殼具有雙列引腳，每列10個共20個引腳，所述的真RMS至DC轉換器集成電路的元器件集成設置在厚膜電路上，封裝在外殼內，元器件和外殼引腳連接；所述的真RMS至DC轉換器集成電路包括輸入級運算放大電路、中間運算放大電路和輸出級運算放大電路。可以在175℃的環境下，對各種輸入波形有效值進行高精度轉換直流，并可長期可靠的工作。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

—種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路
[0001 ] 本技術涉及集成電路領域，尤其涉及一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路。
技術介紹
現有的真RMS至DC轉換器通常是單芯片集成電路方案，采取的技術原理主要有對數一反對數技術和Λ Σ技術。對數一反對數技術轉換器的特點是可以對峰值因數(crest factor)很高的輸入波形進行高精度的轉換，所轉換信號的帶寬也較高。△ Σ技術轉換器的特點是應用簡單、轉換精度高、功耗更低。這兩種技術的共有缺陷就是使用溫度最高只能到125°C，不能滿足石油測井行業要求的175°C。
技術實現思路
本技術的目的是提供一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，可以工作在 175°C的環境溫度下，可靠性高。本技術采用下述技術方案一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，包括外殼以及真RMS至DC轉換器集成電路，所述的外殼具有雙列引腳，每列10個共20個引腳， 所述的真RMS至DC轉換器集成電路的元器件集成設置在厚膜電路上，封裝在外殼內，元器件和外殼引腳連接；所述的真RMS至DC轉換器集成電路包括輸入級運算放大電路、中間運算放大電路和輸出級運算放大電路。所述的輸入級運算放大電路包括第一至第四電阻、第一、第二運算放大器、第一、 第二二極管，第一、第二三極管，所述的第一電阻和第二電阻的第一端均連接真RMS至DC轉換器集成電路的輸入信號端，第一電阻的第二端連接測試端，第二電阻的第二端連接第一運算放大器的反相輸入端，同相輸入端接地，第一運算放大器的輸出端與反相輸入端連接有第一二極管，輸出端還連接第二二極管的正極，第二二極管的負極與第一運算放大器的反相輸入端連接有第三電阻；第二二極管的負極通過第四電阻連接第二運算放大器的反相輸入端，反相輸入端還連接測試端，同相輸入端接地，第二運算放大器的輸出端連接第二三極管的發射極，第二三極管的基極與集電極連接，第一三極管的發射極與第二三極管的集電極連接，第一三極管的基極接地，集電極連接測試端。所述的中間運算放大電路包括第三、第四三極管、第三、第四運算放大器、第七、第八電阻，所述的第三三極管的發射極與第二三極管的發射極連接，第三三極管的集電極與第三運放放大器的反相輸入端連接，第三運放放大器的同相輸入端接地，輸出端通過第八電阻與反相輸入端連接，輸出端還連接有Fl反饋端，反相輸入端還連接有外接平均值電容端；第四運算放大器的反相輸入端通過第七電阻連接F2反饋端，同相輸入端接地，輸出端與第三三極管的基極連接，輸出端還與第四三極管的發射極連接，第四三極管的基極接地， 集電極與第四運算放大器的反相輸入端連接。所述的輸出級運算放大電路包括第五、第六運算放大器、第一至第四電容，第九至第十四電阻，所述的第五運算放大器的同相輸入端通過第十電阻、第九電阻與Fl反饋端連 接，第九電阻還通過第四電容連接第五運算放大器的輸出端，同相輸入端還連接第三電容 后接地，反相輸入端和輸出端均連接F3反饋端，輸出端還通過第十一、第十二電阻連接第 六運算放大器的同相輸入端；第六運算放大器的同相輸入端還連接第一電容后接地，反相 輸入端連接第第十三電阻后接地，反相輸入端與輸出端之間連接有第十四電阻，輸出端還 通過第二電容連接第第十二電阻，第六運算放大器的輸出端為真RMS至DC轉換器集成電路 的輸出端所述的引腳和外殼的表面有鍍金層。真RMS至DC轉換器厚膜集成電路采用采用厚膜混合集成電路工藝制作，內置溫度 補償結構，可以在175°C的環境下，進行高精度轉換，并可長期可靠的工作。本專利可以在 175°C的環境下，對各種輸入波形有效值進行高精度轉換直流，并可長期可靠的工作。附圖說明圖1為本技術的電路原理圖圖2為本技術的俯視外形圖圖3為本技術的主視外形圖圖4為本技術的引腳名稱圖。具體實施方式如圖2、圖3所示，本技術真RMS至DC轉換器厚膜集成電路，包括外殼以及真 RMS至DC轉換器集成電路，所述的外殼具有雙列引腳，每列10個共20個引腳，所述的真RMS 至DC轉換器集成電路的元器件集成設置在厚膜電路上，封裝在外殼內，元器件和外殼引腳 連接；產品外形尺寸是長28. 96毫米，寬20. 29毫米，高5. 2毫米。兩排引腳間距15. 24毫 米，相鄰引腳間距2. 54毫米。本技術采用厚膜混合集成電路工藝生產，采用雙列直插 潛腔金屬外殼封裝，內部充有氮氣保護；所述的外殼和引腳的材質為可伐，夕卜殼和引腳表面 鍍金，防止氧化。圖4是本技術的引腳排列圖，其中I腳為NC空腳，2腳為VEE負電源端，3腳 為TP測試端，4腳為Fl反饋端，5腳為GND接地端，6腳為IN信號輸入端，7腳為NC空腳，8 腳為G增益選擇端，9腳為OUT直流電壓輸出端，10腳為F3反饋端，11腳為外殼連接端，12 腳為NC空腳，13腳為NC空腳，14腳為C外接平均值電容端，15腳為GND接地端，16腳為NC 空腳，17腳為VCC正電源端，18腳為NC空腳，19腳為F2反饋端，20腳為NC空腳。如圖1所示，所述的真RMS至DC轉換器集成電路包括輸入級運算放大電路、中間 運算放大電路和輸出級運算放大電路。所述的輸入級運算放大電路包括第一至第四電阻 R1-R4、第一、第二運算放大器U1A、U1B、第一、第二二極管Dl、D2，第一、第二三極管Ql、Q2， 所述的第一電阻Rl和第二電阻R2的第一端均連接真RMS至DC轉換器集成電路的輸入信 號端，第一電阻Rl的第二端連接測試端TP1，第二電阻R2的第二端連接第一運算放大器 UlA的反相輸入端，同相輸入端接地，第一運算放大器UlA的輸出端與反相輸入端連接有第 一二極管Dl，輸出端還連接第二二極管D2的正極，第二二極管D2的負極與第一運算放大器 UlA的反相輸入端連接有第三電阻R3 ;第二二極管D2的負極通過第四電阻R4連接第二運算放大器UlB的反相輸入端，反相輸入端還連接測試端TP1，同相輸入端接地，第二運算放 大器UlB的輸出端連接第二三極管Q2的發射極，第二三極管的基極與集電極連接，第一三 極管Ql的發射極與第二三極管Q2的集電極連接，第一三極管Ql的基極接地，集電極連接 測試端TPI。所述的中間運算放大電路包括第三、第四三極管Q3、Q4、第三、第四運算放大器 U2A、U2B、第七、第八電阻R7、R8，所述的第三三極管Q3的發射極與第二三極管Q2的發射極 連接，第三三極管Q3的集電極與第三運放放大器U2A的反相輸入端連接，第三運放放大器 U2A的同相輸入端接地，輸出端通過第八電阻R8與反相輸入端連接，輸出端還連接有Fl反 饋端，反相輸入端還連接有外接平均值電容端C ;第四運算放大器U2B的反相輸入端通過第 七電阻R7連接F2反饋端，同相輸入端接地，輸出端與第三三極管Q3的基極連接，輸出端還 與第四三極管Q4的發射極連接，第四三極管Q4的基極接地，集電極與第四運算放大器U2B 的反相輸入端連接。所述的輸出級運算放大電路包括第五、第六運算放大器U3A、U3B、第一至第四電容 C1-C4，第九至第十四電阻R9-R14，所述的第五運算放大器U3A的同相輸入端通過第十電阻 R10、第九電阻R9與Fl反饋端連接，第九電阻R9還通過第四電容C4連接第五運算放大本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，包括外殼以及真RMS至DC轉換器集成電路，其特征在于：所述的外殼具有雙列引腳，每列10個共20個引腳，所述的真RMS至DC轉換器集成電路的元器件集成設置在厚膜電路上，封裝在外殼內，元器件和外殼引腳連接；所述的真RMS至DC轉換器集成電路包括輸入級運算放大電路、中間運算放大電路和輸出級運算放大電路。

【技術特征摘要】
1.一種真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，包括外殼以及真RMS至DC轉換器集成電路，其特征在于所述的外殼具有雙列引腳，每列10個共20個引腳，所述的真RMS至DC轉換器集成電路的元器件集成設置在厚膜電路上，封裝在外殼內，元器件和外殼弓I腳連接；所述的真RMS至DC轉換器集成電路包括輸入級運算放大電路、中間運算放大電路和輸出級運算放大電路。2.根據權利要求1所述的真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，其特征在于所述的輸入級運算放大電路包括第一至第四電阻、第一、第二運算放大器、第一、第二二極管，第一、第二三極管，所述的第一電阻和第二電阻的第一端均連接真RMS至DC轉換器集成電路的輸入信號端，第一電阻的第二端連接測試端，第二電阻的第二端連接第一運算放大器的反相輸入端，同相輸入端接地，第一運算放大器的輸出端與反相輸入端連接有第一二極管，輸出端還連接第二二極管的正極，第二二極管的負極與第一運算放大器的反相輸入端連接有第三電阻；第二二極管的負極通過第四電阻連接第二運算放大器的反相輸入端，反相輸入端還連接測試端，同相輸入端接地，第二運算放大器的輸出端連接第二三極管的發射極，第二三極管的基極與集電極連接，第一三極管的發射極與第二三極管的集電極連接，第一三極管的基極接地，集電極連接測試端。3.根據權利要求2所述的真RMS至DC轉換器高溫厚膜集成電路，其特征在于所述的中間運算放大電路包括第三、第四三極管、...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉軍，
申請(專利權)人：青島漢源微電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：