一種場發射陰極的處理方法技術

本發明專利技術提供一種場發射陰極的處理方法，包括：通過磁控濺射儀上預留的電極接口引出濺射室;樣品作為磁控濺射的基片，用直流濺射方式在其表面上濺射不同厚度的超薄納米純鎳膜。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于FED領域，特別涉及一種對絲網印刷的多壁碳納米管(MWCNTs)薄膜表面進行改性的方法。
技術介紹
FED顯示器件面臨的主要困難除了真空封裝等問題外，均來自于陰極制作工藝。控制場發射的均勻性和穩定性、降低驅動電路成本等難點都直接受FED陰極材料和結構的制約。Spindt型器件要求在一個像素點大小范圍內制作成百上千的“尖錐加圓孔”陰極陣列。這使光刻工藝和薄膜制備十分復雜，制作成本也非常昂貴。陰極制作工藝的難題也造成了尖錐陣列形狀的均勻性較差，器件整體穩定性不理想，導致Spindt型FED的進一步發展非 常困難。CNTs薄膜陰極雖然擁有比金屬、硅尖陣列、類金剛石薄膜更為優秀的場發射特性，但是目前發展的陰極加工方法和工藝，卻都存在著一定缺陷，發射均勻性、場屏蔽效應等問題沒有得到很好解決。難以真正開發和生產出大規模實用CNTs-FED器件。CNTs場發射陰極制備工藝主要有直接生長和移植兩種方法。直接生長法制備定向碳納米管薄膜場發射性能相當出色，但是工藝復雜，成本較高，不易產業化。在移植方法中，絲網印刷或涂敷法制備無序CNTs薄膜，工藝簡單且成本較低，適合制作大面積FED顯示器陰極和大規模工業應用。但是制作的CNTs相互纏結，表面被制漿材料包圍，尖端不突出，燒結后殘留的有機物仍嚴重影響CNTs薄膜的場發射性能。為解決這些問題，人們嘗試過等離子體轟擊、離子束照射、膠帶粘貼]、機械摩擦和軟膠輥碾壓等方法對絲網印刷的FED陰極進行處理，但由于薄膜受到損害，或者不易精確控制處理過程和效果等問題，導致場發射性能的改善也受到一定限制。絲網印刷法(或涂敷法)制備碳管薄膜FED陰極的方法具有良好的實際應用前景，但場發射性能卻差強人意(主要表現在開啟電壓、發射電流和發射穩定性等方面)。
技術實現思路
本專利技術提供一種對絲網印刷的多壁碳納米管(MWCNTs)薄膜表面進行改性的方法，包括將娃片裁成20mm X 20mm基片，清洗干凈；化學氣相沉積法制備MWCNT ；取純化后的MWCNT粉末在無水乙醇中用超聲波分散，室溫下自然晾干并充分研磨，再與有機載體混合攪拌廣2小時后作為陰極漿料；在玻璃基板上印制一層60rnmX25mm面積的銀衆薄膜電極；銀衆尚未干燥時,及時用涂敷法在其表面制備IOnunxlOmm的MWCNTs薄膜,并用機械壓力反復壓制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并對制好的試樣進行高溫燒結；待爐溫自然冷卻后，在樣品上焊接四根導線，并通過磁控濺射儀上預留的電極接口引出濺射室；樣品作為磁控濺射的基片，用直流濺射方式在其表面上濺射不同厚度的超薄納米純鎳膜。為了在鍍Ni的過程中能夠實時監控樣品電阻的變化，安放基片時一定要注意保持電極與磁控濺射儀之間的絕緣性。附圖說明圖1.濺射Ni膜后MWCNTs樣品表面SEM照片。圖2.濺射Ni膜后MWCNTs樣品場發射V-1曲線。 具體實施例方式本專利技術提供一種對絲網印刷的多壁碳納米管(MWCNTs)薄膜表面進行改性的方法，包括將硅片裁成20mmX 20mm基片，清洗干凈；化學氣相沉積法制備MWCNT ;取純化后的MWCNT粉末在無水乙醇中用超聲波分散，室溫下自然晾干并充分研磨，再與有機載體混合攪拌廣2小時后作為陰極衆料；在玻璃基板上印制一層60rnmX25mm面積的銀衆薄膜電極；銀衆尚未干燥時，及時用涂敷法在其表面制備IOnunxlOmm的MWCNTs薄膜,并用機械壓力反復壓制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并對制好的試樣進行高溫燒結；待爐溫自然冷卻后，在樣品上焊接四根導線，并通過磁控濺射儀上預留的電極接口引出濺射室；樣品作為磁控濺射的基片，用直流濺射方式在其表面上濺射不同厚度的超薄納米純鎳膜。為了在鍍Ni的過程中能夠實時監控樣品電阻的變化，安放基片時一定要注意保持電極與磁控濺射儀之間的絕緣性。圖1是濺射Ni膜后MWCNTs樣品表面SEM照片(儀器型號JSM-6700F，日本電子株式會社)。濺射時間分別為205和605(反映不同的Ni厚度)。其中，(a)和(b)是濺射205的同一樣品不同位置和放大倍數的圖片，(c)和(d)是濺射605的同一樣品。可以看至IJ，濺射205后，碳管表面覆有顆粒狀Ni團簇，碳管形態比較清晰完整，濺射605后樣品表面已經被Ni膜包裹但是碳管的尖端仍能分辨。圖2是N1-MWCNTs樣品的場發射特性(V-1)曲線。根據實驗數據，雖然純碳管樣品首先測到發射電流，但電流卻增加的比較慢，開啟電壓反而大于濺射了 Ni的樣品(濺射205和605后開啟電壓分別降低10. 9%和5. 2%)。這是由于涂敷法制備的純MWCNTs樣品會有個別特別突出的發射點優先發射，而N1-MWCNTs樣品由于Ni結合或吸附改善了樣品的導電性，雖然起始發射較晚，但當電壓超過開啟電壓后，發射電流急劇上升，而純碳管樣品發射電流卻增加較慢。1800V產生的發射電流出現了數量級差異(三組電流值分別為274μΑ、140μΑ和13μΑ)，N1-MWCNTs樣品的場發射性能明顯得到了改善。根據圖2的F-N線性擬合曲線可以看出，N1-MWCNTs樣品之間F-N擬合直線的斜率變化不大，但卻均比純碳管要小。發射電流的穩定性得到了顯著提升。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種場發射陰極的處理方法，包括：將硅片裁成20mm×20mm基片，清洗干凈；化學氣相沉積法制備MWCNT；取純化后的MWCNT粉末在無水乙醇中用超聲波分散，室溫下自然晾干并充分研磨，再與有機載體混合攪拌1~2小時后作為陰極漿料；在玻璃基板上印制一層60rnm×25mm面積的銀漿薄膜電極；銀漿尚未干燥時，及時用涂敷法在其表面制備10nunx10mm的MWCNTs薄膜，并用機械壓力反復壓制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并對制好的試樣進行高溫燒結；待爐溫自然冷卻后，在樣品上焊接四根導線，并通過磁控濺射儀上預留的電極接口引出濺射室;樣品作為磁控濺射的基片，用直流濺射方式在其表面上濺射不同厚度的超薄納米純鎳膜。

【技術特征摘要】
1.一種場發射陰極的處理方法，包括 將娃片裁成20mm X 20mm基片,清洗干凈； 化學氣相沉積法制備MWCNT ； 取純化后的MWCNT粉末在無水乙醇中用超聲波分散，室溫下自然晾干并充分研磨，再與有機載體混合攪拌廣2小時后作為陰極漿料； 在玻璃基板上印制一層60rnmX25mm面積的銀衆薄膜電極； 銀衆尚未干燥...

【專利技術屬性】
技術研發人員：于正友，肖太升，劉雷，
申請(專利權)人：青島盛嘉信息科技有限公司，
類型：發明
國別省市：