【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半自動探針臺探針的防護裝置，尤其涉及一種防止半自動探針臺 探針燒針的裝置。
技術介紹
在晶圓級別可靠性測試中，需要測量介質的擊穿電壓，在介質被擊穿的一瞬間，通 過探針的電流急劇變大，產生大量焦耳熱，導致探針因溫度過高而燒針。如圖1中所示，介質3未被擊穿時，其結構類似于電容，其電阻無窮大。此時源能 量單元I通過探針2的電流很小，小于微安級別(10~-6安培)。如圖2中所示，在擊穿瞬間， 擊穿后的介質4的電阻變小，在10歐姆左右。假設源能量單元I施加的電壓為10V，則擊穿 的瞬間通過探針2的電流為IA。擊穿瞬間的電流相對于擊穿前的電流變化了 100萬倍。而焦耳熱等于電壓、電流、 時間的乘積，產生的焦耳熱相對于擊穿前增加了 100萬倍，從而導致探針2因瞬間產生的過 高溫度而燒針現象，導致探針2的損壞。因此，本領域的技術人員致力于開發一種能防止半自動探針臺探針燒針的裝置。
技術實現思路
鑒于上述的現有技術中的問題，本專利技術所要解決的技術問題是現有的技術中探針 的燒針現象。本專利技術提供的一種防止半自動探針臺探針燒針的裝置，包括源測量單元和探針， 所述源測量單元和探針相互之間形成回路，還包括設于所述源測量單元和探針之間的電阻 元件，所述電阻元件串聯于所述源測量單元和探針的回路中。在本專利技術的一個較佳實施方式中，還包括測試機座，所述測試機座的兩端分別與 所述源測量單元和探針相連，所述電阻元件設于所述測試機座中，所述電阻元件的兩端分 別與所述測試機座的兩端相連。在本專利技術的另一較佳實施方式中，還包括與所述探針相連的介質，所述探針用于 測試所述介質的...
【技術保護點】
一種防止半自動探針臺探針燒針的裝置，包括源測量單元和探針，所述源測量單元和探針相互之間形成回路，其特征在于，還包括設于所述源測量單元和探針之間的電阻元件，所述電阻元件串聯于所述源測量單元和探針的回路中。
【技術特征摘要】
1.一種防止半自動探針臺探針燒針的裝置，包括源測量單元和探針，所述源測量單元和探針相互之間形成回路，其特征在于，還包括設于所述源測量單元和探針之間的電阻元件，所述電阻元件串聯于所述源測量單元和探針的回路中。2.如權利要求1所述的防止半自動探針臺探針燒針的裝置，其特征在于，還包括測試機座，所述測試機座的兩端分別與所述源測量單元和探針相連，所述電阻元件設于所述測試機座中，所述電阻元件的兩端分別與所述測試機座的兩端相連。3.如權利要求2所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李瀚超，尹彬鋒，趙敏，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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