電路板鉆孔對位方法技術

一種電路板鉆孔對位方法，該電路板包括至少一單元板及輔助邊框，該單元板具有至少一設有目標區(qū)域的內層圖形，該目標區(qū)域需要鉆一目標孔，該目標孔的鉆孔對位方法的步驟包括：在輔助邊框上設置一銷孔進行初步定位，并以銷孔為基準設計相互垂直的X軸及Y軸，在該單元板在目標區(qū)域上設置二標靶，該標靶分布在該目標區(qū)域的周緣外側；以所述二標靶中為對角的矩形涵蓋整個目標區(qū)域；使用圖像傳感器成像技術測量所述各標靶的實際X軸及Y軸的坐標值，從而結合各坐標的理論坐標值計算出該目標區(qū)域的漲縮率，再結合目標孔的理論坐標值計算出需要鉆的目標孔的實際坐標值；根據計算出的目標孔的實際坐標值進行鉆孔。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種電路板制造方法，特別是涉及一種電路板制造過程中的鉆孔對位方法。
技術介紹
隨著科學技術的日新月異，電子元件更加趨向于超小型和超薄型的方向發(fā)展，印制電路板也更加趨向于高精密圖形，對鉆孔與圖形的配合亦趨向嚴格。傳統(tǒng)的電路板加工機械鉆孔使用銷釘(PIN)定位的方法，而且該PIN位于非有效區(qū)域的、整板的外圍。鉆孔時，以此定位為基準，預設原點坐標和包含鉆孔位置的鉆孔程序。 然而，當此方法在僅一次鉆孔時，其鉆孔位置與電路板理論鉆孔位置的精度會受到該銷釘孔精度、已經整板的尺寸縮漲變化的影響；當對多次在同一位置鉆孔時，因PIN孔不同、PIN孔多次插入銷釘造成受損或者半成品板在幾次鉆孔流程之間的尺寸漲縮變化，導致后續(xù)所鉆的孔位置偏移較大，與漲縮變化后圖形上實際需要鉆孔的位置偏差過大，尤其在精度要求高的區(qū)域直接造成廢板。
技術實現思路
有鑒于此，有必要提供一種電路板中高精度的鉆孔對位方法。一種，該電路板包括至少一單元板及設置在該單元板周圍的輔助邊框，該單元板具有至少一內層圖形，該單元板的內層圖形包括一具有高精度要求的目標區(qū)域，該目標區(qū)域需要鉆一目標孔，該目標孔的鉆孔對位方法的步驟包括S1:在所述輔助邊框上設置一銷孔進行初步定位，并以該銷孔為基準設計相互垂直的X軸及Y軸，在該單元板在目標區(qū)域上設置至少二標靶，所述標靶分布在該目標區(qū)域的周緣外側，并記下各標靶相對所述銷孔的X軸及Y軸的理論坐標值；其中各標靶的X軸坐標中至少有一個X-大于所述目標區(qū)域內所有點的X軸坐標中的最大值，同時至少有一個Xmin小于所述目標區(qū)域40內所有點的X軸坐標中的最小值；各標靶的Y軸坐標中至少有一個Ymx大于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最大值，同時有一個Ymin小于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最小值；S2:使用圖像傳感器成像技術測量所述各標靶的實際坐標值，從而結合各坐標的理論坐標值計算出該目標區(qū)域的漲縮率，再結合目標孔的理論坐標值計算出需要鉆的目標孔的實際坐標值；S3 :根據計算出的目標孔的實際坐標值進行鉆孔。進一步地，所述步驟S2中，將所述標靶中的Xmax減去Xmin得出一理論差值W，Ymin的，計算Ymp Ymin的理論差值為L，然后測量Xmajo Xmin、Ymx> Ymin對應的實際值并計算出實際差值，將X軸方向的實際差值除以理論差值W得出該目標區(qū)域的X軸的漲縮率，將Y軸方向的實際差值除以理論差值L得出該目標區(qū)域的Y軸的漲縮率。進一步地，所述步驟S2中，所述目標孔的理論坐標中X軸坐標與Xmin的理論差值為Μ、Y軸坐標與Ymin的理論差值為N，將該理論差值M乘以X軸的漲縮率、將所述理論差值N乘以Y軸的漲縮率，再分別加上所述Xmin及Ymin對應測量出的實際坐標值，從而得出該目標孔的實際坐標。進一步地，所述步驟SI中，所述標靶的數量為二，以該兩標靶為對角的矩形涵蓋整個目標區(qū)域。進一步地，所述單元板還包括一外層圖形，該外層圖形與所述內層圖形層疊，所述各標靶設置在該外層圖形上。進一步地，所述單元板還包括一外層圖形，該外層圖形與所述內層圖形層疊，所述各標靶設置在內層圖形上，所述步驟SI中，各標靶上使用X-RAY鉆靶機在各標靶位置鉆出孔。 一種，該電路板包括至少一單元板及設置在該單元板周圍的輔助邊框，該單元板具有至少一內層圖形，該單元板的內層圖形包括一具有高精度要求的目標區(qū)域，該目標區(qū)域已經有一目標孔，需要對該目標孔的實際位置上進行再次鉆孔，該目標孔的鉆孔對位方法的步驟包括S1:在所述輔助邊框上設置一銷孔進行初步定位，并以該銷孔為基準設計相互垂直的X軸及Y軸，在該單元板在目標區(qū)域上設置至少二標靶，所述標靶分布在該目標區(qū)域的周緣外側，并記下各標靶相對所述銷孔的X軸及Y軸的理論坐標值；其中各標靶的X軸坐標中至少有一個X-大于所述目標區(qū)域內所有點的X軸坐標中的最大值，同時至少有一個Χμιν小于所述目標區(qū)域40內所有點的X軸坐標中的最小值；各標靶的Y軸坐標中至少有一個Ymx大于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最大值，同時有一個Ymin小于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最小值；S2:使用圖像傳感器成像技術測量所述各標靶的實際坐標值，從而結合各坐標的理論坐標值計算出該目標區(qū)域的漲縮率，再結合目標孔的理論坐標值計算出需要鉆的目標孔的實際坐標值；S3 :根據計算出的目標孔的實際坐標值進行鉆孔。S4 :在同一理論坐標位置進行第η次(η彡2)鉆孔時，重復S2至S3。進一步地，所述步驟S2中，將所述標靶中的Xmax減去Xmin得出一理論差值W，Ymin的，計算Ymp Ymin的理論差值為L，然后測量Xmajo Xmin、Ymx> Ymin對應的實際值并計算出實際差值，將X軸方向的實際差值除以理論差值W得出該目標區(qū)域的X軸的漲縮率，將Y軸方向的實際差值除以理論差值L得出該目標區(qū)域的Y軸的漲縮率。進一步地，所述步驟S2中，所述目標孔的理論坐標中X軸坐標與Xmin的理論差值為M、Y軸坐標與Ymin的理論差值為N，將該理論差值M乘以X軸的漲縮率、將所述理論差值N乘以Y軸的漲縮率，再分別加上所述Xmin及Ymin對應測量出的實際坐標值，從而得出該目標孔的實際坐標。一種，該電路板包括至少一單元板及設置在該單元板周圍的輔助邊框，該單元板具有至少一內層圖形，該單元板的內層圖形包括一具有高精度要求的目標區(qū)域，該目標區(qū)域需要鉆一目標孔，該目標孔的鉆孔對位方法的步驟包括S1:在所述輔助邊框上設置一銷孔進行初步定位，并以該銷孔為基準設計相互垂直的X軸及Y軸，在該單元板在目標區(qū)域上設置二標靶，所述標靶分布在該目標區(qū)域的周緣外側，并記下各標靶相對所述銷孔的X軸及Y軸的理論坐標值；以所述二標靶中為對角的矩形涵蓋整個目標區(qū)域；S2:使用圖像傳感器成像技術測量所述各標靶的實際X軸及Y軸的坐標值，從而結合各坐標的理論坐標值計算出該目標區(qū)域的漲縮率，再結合目標孔的理論坐標值計算出需要鉆的目標孔的實際坐標值；S3 :根據計算出的目標孔的實際坐標值進行鉆孔。與現有技術相比，該采用了圖像傳感器成像技術，在每次鉆孔前對該區(qū)域原設定的標靶位置進行檢測，計算出該區(qū)域的漲縮率以進行補償，從而計算出所需要鉆的孔漲縮的實際位置，有效消除了多次鉆孔造成的電路板的漲縮的影響。附圖說明圖1為本專利技術電路板的平面示意圖。圖2為本專利技術電路板的剖視圖。具體實施例方式為了使本專利技術的技術方案能更清晰地表示出來，下面結合附圖對本專利技術作進一步說明。如圖1及圖2所示，本專利技術的電路板制造方法是對一電路板100的鉆孔對位方法。該電路板100包括一單元板30及在單元板30周圍的輔助邊框20。所述單元板30包括至少一內層圖形31及二外層圖形32。所述內層圖形31被所述外層圖形32上下夾設。該內層圖形31具有一精度要求高的目標區(qū)域40。本專利技術的第一實施例中，需要在這目標區(qū)域40中鉆一個目標孔60。在該目標區(qū)域40鉆目標孔60的方法包括以下步驟S1:當該電路板100的單元板30還未作鉆孔處理時，在該電路板100的輔助邊框20上鉆一銷孔21進行初步定位，同時在單元板30對應所述目標區(qū)域40的邊緣外側上設計二標靶(MARK) 41、42 ;在本實施例中，該標靶41、42設置在外層圖形32上。在其他實施例中，該標靶4本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電路板鉆孔對位方法，該電路板包括至少一單元板及設置在該單元板周圍的輔助邊框，該單元板具有至少一內層圖形，該單元板的內層圖形包括一具有高精度要求的目標區(qū)域，該目標區(qū)域需要鉆一目標孔，該目標孔的鉆孔對位方法的步驟包括：S1：在所述輔助邊框上設置一銷孔進行初步定位，并以該銷孔為基準設計相互垂直的X軸及Y軸，在該單元板在目標區(qū)域上設置至少二標靶，所述標靶分布在該目標區(qū)域的周緣外側，并記下各標靶相對所述銷孔的X軸及Y軸的理論坐標值；其中各標靶的X軸坐標中至少有一個XMAX大于所述目標區(qū)域內所有點的X軸坐標中的最大值，同時至少有一個XMIN小于所述目標區(qū)域40內所有點的X軸坐標中的最小值；各標靶的Y軸坐標中至少有一個YMAX大于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最大值，同時有一個YMIN小于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最小值；S2：使用圖像傳感器成像技術測量所述各標靶的實際坐標值，從而結合各坐標的理論坐標值計算出該目標區(qū)域的漲縮率，再結合目標孔的理論坐標值計算出需要鉆的目標孔的實際坐標值；S3：根據計算出的目標孔的實際坐標值進行鉆孔。

【技術特征摘要】
1.一種電路板鉆孔對位方法，該電路板包括至少一單元板及設置在該單元板周圍的輔助邊框，該單元板具有至少一內層圖形，該單元板的內層圖形包括一具有高精度要求的目標區(qū)域，該目標區(qū)域需要鉆一目標孔，該目標孔的鉆孔對位方法的步驟包括S1:在所述輔助邊框上設置一銷孔進行初步定位，并以該銷孔為基準設計相互垂直的 X軸及Y軸，在該單元板在目標區(qū)域上設置至少二標靶，所述標靶分布在該目標區(qū)域的周緣外側，并記下各標靶相對所述銷孔的X軸及Y軸的理論坐標值；其中各標靶的X軸坐標中至少有一個Xmax大于所述目標區(qū)域內所有點的X軸坐標中的最大值，同時至少有一個XMIN小于所述目標區(qū)域40內所有點的X軸坐標中的最小值；各標靶的Y軸坐標中至少有一個Ymax 大于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最大值，同時有一個Ymin小于所述目標區(qū)域內所有點的Y軸坐標中的最小值；52:使用圖像傳感器成像技術測量所述各標靶的實際坐標值，從而結合各坐標的理論坐標值計算出該目標區(qū)域的漲縮率，再結合目標孔的理論坐標值計算出需要鉆的目標孔的實際坐標值；53:根據計算出的目標孔的實際坐標值進行鉆孔。2.如權利要求1所述的電路板鉆孔對位方法，其特征在于所述步驟S2中，將所述標靶中的Xmax減去Xmin得出一理論差值W，Ymin的，計算YMX、YMIN的理論差值為L，然后測量Xmajo Xmin>Ymax>Ymin對應的實際值并計算出實際差值，將X軸方向的實際差值除以理論差值W得出該目標區(qū)域的X軸的漲縮率，將Y軸方向的實際差值除以理論差值L得出該目標區(qū)域的Y 軸的漲縮率。3.如權利要求2所述的電路板鉆孔對位方法，其特征在于所述步驟S2中，所述目標孔的理論坐標中X軸坐標與Xmin的理論差值為M、Y軸坐標與Ymin的理論差值為N，將該理論差值M乘以X軸的漲縮率、將所述理論差值N乘以Y軸的漲縮率，再分別加上所述Xmin及 Ymin對應測量出的實際坐標值，從而得出該目標孔的實際坐標。4.如權利要求1所述的電路板鉆孔對位方法，其特征在于所述步驟SI中，所述標靶的數量為二，以該兩標靶為對角的矩形涵蓋整個目標區(qū)域。5.如權利要求1所述的電路板鉆孔對位方法，其特征在于所述單元板還包括一外層圖形，該外層圖形與所述內層圖形層疊，所述各標靶設置在該外層圖形上。6.如權利要求1所述的電路板鉆孔對位方法，其特征在于所述單元板還包括一外層圖形，該外層圖形與所述內層圖形層疊，所述各標靶設置在內層圖形上，所述步驟Si中，各標靶上使用X-RAY鉆靶機在各標靶位置鉆出孔。7.一種電路板鉆孔對位方法，該電路板包括至少一單元板及設置在該單元板周圍的輔助邊框，該單元板具有至少一內層圖形，該單元板的內層圖形包括一具有高精度要求的目標區(qū)域，該目標區(qū)域已經...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：唐海波，黃廣新，呂紅剛，曾紅，
申請(專利權)人：東莞生益電子有限公司，
類型：發(fā)明
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