本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件以及用于測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)。該半導(dǎo)體封裝件包括：有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。在一些實(shí)施方式中，可以更容易地對(duì)底面提供所有或大部分接口觸點(diǎn)，以規(guī)則地操作封裝件。此外，可以對(duì)底面提供額外的接口觸點(diǎn)，從而增強(qiáng)封裝件的功能性。另外，可以減小封裝件的總覆蓋面積或封裝尺寸。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種具有改進(jìn)的可測(cè)試性(testability)的半導(dǎo)體封裝件(半導(dǎo)體封裝)。
技術(shù)介紹
在制造過(guò)程中或制造之后進(jìn)行測(cè)試，以確保半導(dǎo)體封裝件和芯片(裸片，dies)能夠符合某些嚴(yán)格的操作需求和標(biāo)準(zhǔn)。可以在半導(dǎo)體封裝件上執(zhí)行的示例性測(cè)試包括各種對(duì)封裝件內(nèi)的有源芯片的測(cè)試，例如電信號(hào)定時(shí)測(cè)試、電壓和電流水平測(cè)試、全速測(cè)試、直流測(cè)試、老化測(cè)試、室溫/低溫測(cè)試，以及熱分選測(cè)試。半導(dǎo)體封裝件將包括至少一個(gè)有源芯片，具有提供給半導(dǎo)體封裝件的底面的接口觸點(diǎn)(界面接觸)。可以利用接口觸點(diǎn)來(lái)規(guī)則地操作半導(dǎo)體封裝件(即，在場(chǎng)中之外的操作)。除了接口觸點(diǎn)以外，有源芯片可包括也提供給半導(dǎo)體封裝件的底面的專用測(cè)試觸點(diǎn)(接觸)。利用這些專用測(cè)試觸點(diǎn)來(lái)進(jìn)行測(cè)試，但是，并 不是用于規(guī)則地操作半導(dǎo)體封裝件。為了測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，可以將其與測(cè)試設(shè)備或裝置電連接。示例性的測(cè)試設(shè)備或裝置可以包括底部和頂部，其中，底部可以容納半導(dǎo)體封裝件的所有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)，并可以利用頂部將半導(dǎo)體封裝件物理地保持在測(cè)試設(shè)備或裝置的底部上。然后，可以為了嚴(yán)格的操作需求和標(biāo)準(zhǔn)而測(cè)試并篩選半導(dǎo)體封裝件。隨后，可以在場(chǎng)中使用半導(dǎo)體封裝件，對(duì)其進(jìn)行規(guī)則的操作。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本公開(kāi)內(nèi)容涉及一種具有改進(jìn)的可測(cè)試性的半導(dǎo)體封裝件，基本上如至少一張附圖所示和/或結(jié)合至少一張附圖所描述的，并且，如在權(quán)利要求書(shū)中更完全地闡述的。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式，提供了一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件(可測(cè)試性半導(dǎo)體封裝件)，其特征在于，包括有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)；中介片(中介板，中介層，interposer)，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，將所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)耦接至封裝件頂部測(cè)試連接部(封裝頂部測(cè)試連接部)。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述封裝件頂部測(cè)試連接部包括焊球。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電通路(通孔)。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電塊。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，在上中介片中形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)的至少一部分。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個(gè)頂部金屬層部分，所述至少一個(gè)頂部金屬層部分在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，使所述接口觸點(diǎn)與封裝件底部連接部(封裝底部連接部)電連接。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述封裝件底部連接部包括焊球。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件包括包圍所述有源芯片的模具。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式，提供了一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包 括有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的側(cè)壁之間提供電連接。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電塊。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件包括至少一個(gè)頂部金屬層部分，所述至少一個(gè)頂部金屬層部分在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。根據(jù)本技術(shù)的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件包括包圍所述有源芯片的模具。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式，提供了一種用于測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)與所述半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接；頂部測(cè)試插口，通過(guò)所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)與所述至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)連接。根據(jù)本技術(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，將所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)耦接至封裝件頂部測(cè)試連接部。根據(jù)本技術(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述頂部測(cè)試插口通過(guò)焊球與所述至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)連接。根據(jù)本技術(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括與至少一個(gè)封裝件底部連接部連接的底部測(cè)試插口。根據(jù)本技術(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，至少一個(gè)所述接口觸點(diǎn)通過(guò)所述中介片與所述封裝件底部連接部電連接。根據(jù)本技術(shù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括與所述至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)連接的彈簧針。附圖說(shuō)明圖I示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。圖2示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的示例性橫截面圖。圖3示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。圖4A示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的分割(切割，singulation)之前的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。圖4B示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的分割之后的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的示例性截面圖。圖5示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的用于測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)的示例性截面圖。具體實(shí)施方式以下描述包含與本公開(kāi)內(nèi)容中的實(shí)施方式相關(guān)的特定信息。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可以以與這里特別討論的方式不同的方式實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)內(nèi)容。本申請(qǐng)中的附圖及其所附詳細(xì)描述涉及僅示例性的實(shí)施方式。除非另外指出，否則可以用相似或相應(yīng)的參考數(shù)字來(lái)表示圖中相似或相應(yīng)的元件(要素)。此外，本申請(qǐng)中的附圖和示圖通常不是成比例的，并且不旨在與實(shí)際的相對(duì)尺寸相應(yīng)。圖I提供了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施方式的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件100 (也叫做“封裝件100”)。封裝件100包括有源芯片(active die)102，中介片(中介板，插入物，中介層，interposer) 104 (或更一般地叫做“基板104”)，導(dǎo)電介質(zhì)106a和106b,封裝件頂部測(cè)試連接部(連接點(diǎn)，接點(diǎn))108a和108b (也統(tǒng)稱作“封裝件頂部測(cè)試連接部108”)，封裝件底部連接部110a，110b，110c，IlOd和IlOe (也統(tǒng)稱作“封裝件底部連接部110，，)，以及模具(moulding) 132。有源芯片102具有接口觸點(diǎn)112a，112b和112c (也統(tǒng)稱作“接口觸點(diǎn)112”)以及專用測(cè)試觸點(diǎn)114a和114b (也統(tǒng)稱作“專用測(cè)試觸點(diǎn)114”)。有源芯片102可以包括，例如，集成電路(1C)，以及其他與接口觸點(diǎn)112和專用測(cè)試觸點(diǎn)114連接的電氣部件。如圖I所示，在本實(shí)施方式中，至少一些接口觸點(diǎn)112和專用測(cè)試觸點(diǎn)114包括焊球(例如微凸塊)，作為一個(gè)實(shí)例。利用接口觸點(diǎn)112來(lái)規(guī)則地操作封裝件100。換句話說(shuō)，接口觸點(diǎn)112用于場(chǎng)中之外的規(guī)則操作。至少一些接口觸點(diǎn)112可以具有額外的用途，例如用于測(cè)試封裝件100。然而，專用測(cè)試觸點(diǎn)114用于測(cè)試，但是并不用于規(guī)則地操本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)；中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。
【技術(shù)特征摘要】
2012.01.31 US 13/362,3441.一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括 有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)； 中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接； 至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)被耦接至封裝件頂部測(cè)試連接部。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電通路。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，在上中介片中形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)的至少一部分。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件包括至少一個(gè)頂部金屬層部分，所述至少一個(gè)頂部金屬層部分在至少一個(gè)所述專用測(cè)試觸點(diǎn)與所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。6.一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括 有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專用測(cè)試觸點(diǎn)；中介片...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙子群，胡坤忠，桑帕施·K·V·卡里卡蘭，雷佐爾·拉赫曼·卡恩，彼得·沃倫坎普，陳向東，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：美國(guó)博通公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。