本發(fā)明專利技術(shù)提供一種層疊封裝結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的封裝和功能測試。本發(fā)明專利技術(shù)提供一種方法，包括在夾具上放置多個(gè)底部單元，其中多個(gè)底部單元沒有切割開并且形成集成組件。多個(gè)底部單元中的每個(gè)都包括封裝基板和接合到該封裝基板的管芯。將多個(gè)上部組件疊層放置在多個(gè)底部單元上，其中，焊球位于多個(gè)上層組件和多個(gè)底部單元之間。實(shí)施回流，從而通過焊球連接多個(gè)上部組件疊層和多個(gè)底部單元中的相應(yīng)一個(gè)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種集成電路，更具體地說，涉及一種層疊封裝結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的封裝和功能測試。
技術(shù)介紹
在集成電路的封裝中，可以將管芯封裝到一個(gè)封裝基板(有時(shí)稱為層壓基板)上，該層壓基板包括金屬連接件，該金屬連接件可以在層壓基板的相對兩側(cè)之間傳輸(route)電信號。可以使用倒裝芯片接合將管芯接合到層壓基板的一側(cè)，以及實(shí)施回流焊(reflow)，從而熔化焊料凸塊，該焊料凸塊互連管芯和層壓基板。可以在層疊封裝結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)中使用層壓基板。 在傳統(tǒng)的封裝和測試工藝中，從晶圓分割下多個(gè)已知好的管芯，首先將該多個(gè)已知好的管芯接合到封裝基板條上，該封裝基板條包括多個(gè)封裝基板。連接可以是倒裝芯片接合。然后，在已知好的管芯和封裝基板之間間隙散布底部填充劑。還將焊球置于封裝基板條上方以及進(jìn)行回流。然后，將封裝基板條分成多個(gè)單元，其中每個(gè)生成的單元都包括已知好的管芯和單個(gè)封裝基板。對于多個(gè)單元實(shí)施第一功能測試，從而找出不合格的單元。接下來，將通過第一功能測試的多個(gè)單元中的每個(gè)置于夾具上，該夾具具有符合一個(gè)單元的尺寸。然后，將上部組件疊層置于該單元上。上部組件疊層可以是包括附加管芯和附加封裝基板的封裝件。接下來，夾具、單元、以及上部組件疊層進(jìn)行回流焊工藝，使得上部組件疊層與單元接合，從而形成封裝件。然后，對生成的封裝件可以實(shí)施第二功能測試以確定生成的封裝件的質(zhì)量。隨著集成電路尺寸越來越小，包括封裝件和上層管芯的多個(gè)單元也變得越來越小。這需要對應(yīng)夾具的尺寸也變小。在將上部組件疊層接合到多個(gè)單元的步驟期間，較小的夾具很難處理。這會導(dǎo)致較低的生產(chǎn)率和可能較低的成品率。專利
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
根據(jù)本專利技術(shù)的一方面，提供一種一種方法，包括將多個(gè)底部單元放置在夾具上，其中，沒有將所述多個(gè)底部單元切割開，并且形成集成組件，以及其中，所述多個(gè)底部單元中的每個(gè)包括封裝基板和接合到所述封裝基板的管芯；在所述多個(gè)底部單元上放置多個(gè)上部組件疊層，其中焊球位于所述多個(gè)上層組件和所述多個(gè)底部單元之間；以及實(shí)施回流，從而通過所述焊球連接所述多個(gè)上部組件疊層和所述多個(gè)底部單元中的相應(yīng)的一些。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在將所述多個(gè)上部組件疊層放置在所述多個(gè)底部單元上之前，對于所述多個(gè)底部單元實(shí)施第一功能測試。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括，在實(shí)施所述回流的步驟之后，將所述多個(gè)底部單元和所述多個(gè)上部組件疊層分成多個(gè)封裝件，其中所述多個(gè)封裝件中的每個(gè)包括所述多個(gè)底部單元中的一個(gè)和所述多個(gè)上部組件疊層中的一個(gè)。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括，在所述切割步驟之后，實(shí)施第二功能測試來測試所述多個(gè)封裝件。優(yōu)選地，所述集成組件包括封裝基板條，所述封裝基板條包括多個(gè)封裝基板，以及其中，所述多個(gè)封裝基板形成陣列。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括，在將所述多個(gè)底部單元放置在所述夾具上之前，將多個(gè)管芯接合到所述封裝基板條，其中所述集成組件包括與所述封裝基板條相同數(shù)量的封裝基板。優(yōu)選地，所述多個(gè)底部單元中的每個(gè)均包括焊球，以及其中將所述多個(gè)底部單元放置在所述夾具上時(shí)，將焊球設(shè)置為面對所述夾具。根據(jù)本專利技術(shù)的另一方面，提供一種方法，包括將多個(gè)管芯接合到封裝基板條上， 以形成包括多個(gè)底部單元的底部封裝組件，其中所述封裝基板條包括其中的多個(gè)封裝基板，以及其中所述多個(gè)底部單元中的每個(gè)都包括所述多個(gè)封裝基板中的一個(gè)以及多個(gè)管芯中的一個(gè)；對于所述底部封裝組件實(shí)施第一功能測試；在實(shí)施所述第一功能測試的步驟之后，在夾具上放置所述底部封裝組件；將多個(gè)上部組件疊層放置在所述底部封裝組件上，其中將所述多個(gè)上部組件疊層中的每個(gè)都放置在所述多個(gè)底部單元中的一個(gè)上，以及實(shí)施回流以連接所述多個(gè)上部組件疊層和所述多個(gè)底部單元。優(yōu)選地，在所述第一功能測試的步驟中識別所述多個(gè)底部單元中不合格的底部單元，以及其中每次都進(jìn)行所述回流，所述多個(gè)底部單元中不合格的底部單元沒有放置在其上的上部組件疊層。優(yōu)選地，所述底部封裝組件中的所述多個(gè)封裝基板形成陣列。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在實(shí)施所述回流的步驟之后，將所述底部封裝組件和接合在其上的所述多個(gè)上部組件疊層分成多個(gè)封裝件，其中所述多個(gè)封裝件中的每個(gè)都包括所述多個(gè)封裝基板中的一個(gè)、所述多個(gè)管芯中的一個(gè)以及所述多個(gè)上部組件疊層中的一個(gè)。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在所述切割步驟以后，實(shí)施第二功能測試，從而測試所述多個(gè)封裝件中的一個(gè)。優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在所述第一功能測試之前，在所述封裝基板條上放置多個(gè)焊球，其中，將所述多個(gè)焊球放置在所述封裝基板條的與所述多個(gè)管芯相反的面上，以及其中在實(shí)施所述回流的步驟期間，將所述多個(gè)焊球靠著所述夾具放置。根據(jù)本專利技術(shù)的再一方面，提供一種器件，包括封裝基板條，包括多個(gè)封裝基板，其中，每個(gè)所述封裝基板都包括在相對面上的金屬部件；以及金屬連接件，電連接相對面上的所述金屬部件；多個(gè)管芯，位于并接合到所述多個(gè)封裝基板上方，其中，將所述多個(gè)管芯中的每個(gè)都接合到所述多個(gè)封裝基板中的一個(gè)上；以及多個(gè)上部組件疊層，位于并接合到所述多個(gè)封裝基板上方，其中，將所述多個(gè)上部組件疊層中的每個(gè)接合到所述多個(gè)封裝基板中的相應(yīng)的下層的一個(gè)上。優(yōu)選地，所述多個(gè)封裝基板中的一個(gè)沒有上層接合的上部組件疊層。優(yōu)選地，所述封裝基板條中的所述多個(gè)封裝基板形成多個(gè)組，以及其中所述多個(gè)組中的一個(gè)組的組內(nèi)間距小于所述組中的兩組之間的組間距。優(yōu)選地，該器件進(jìn)一步包括夾具，位于所述封裝基板條下方并支撐所述封裝基板條，其中，所述夾具的側(cè)面尺寸與所述封裝基板條的對應(yīng)側(cè)面尺寸接近。優(yōu)選地，所述多個(gè)上部組件疊層中的每個(gè)都包括器件管芯和接合到所述器件管芯的封裝基板。優(yōu)選地，該器件進(jìn)一步包括多個(gè)焊球，將所述多個(gè)上部組件疊層接合到所述多個(gè)封裝基板，以及其中所述多個(gè)上部組件疊層中的每個(gè)都覆蓋在接合的所述多個(gè)管芯中的相應(yīng)的一個(gè)上。優(yōu)選地，所述封裝基板條包括層壓介電層。附圖說明為了更全面地理解實(shí)施例及其優(yōu)勢，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中 圖IA至圖7示出根據(jù)不同實(shí)施例，在包括封裝基板的封裝件的制造和測試的中間步驟中的橫截面圖和俯視圖。具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本專利技術(shù)各實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，各實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的創(chuàng)造性的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅是說明性的，而不用于限制本專利技術(shù)的范圍。根據(jù)不同實(shí)施例提供了用于封裝和實(shí)施功能測試的方法。示出了形成封裝件和對應(yīng)的功能測試的中間步驟。討論各個(gè)實(shí)施例的變型例。在整個(gè)附圖和所描述的實(shí)施例中，將相同的參考標(biāo)號用于指定相同的元件圖IA示出了包括多個(gè)封裝基板22的封裝基板條20的俯視圖。圖IB示出了封裝基板條20的一部分的橫截面圖，其中橫截面圖由圖IA中的平面交線1B-1B截取獲得。參照圖1B，在實(shí)施例中，封裝基板條20和每個(gè)封裝基板22都包括介電層24，以及在該介電層24內(nèi)部所建立的金屬線和通孔26。封裝基板條可以是層壓基板，其中，介電層24是通過層壓接合在一起的層壓薄膜。在每個(gè)封裝基板22的一面上形成多個(gè)凸塊/焊盤28，該多個(gè)凸塊/焊盤可以是焊料凸塊或非可回流金屬凸塊/焊盤。將金屬凸塊/焊盤28與相應(yīng)封裝基板22的相對面上的金屬部件(例如接合焊盤30)電連接。再次參考圖1A，封裝基板22的結(jié)構(gòu)可以彼此相同。可以將封裝基板22設(shè)置為多個(gè)組32本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種方法，包括：將多個(gè)底部單元放置在夾具上，其中，沒有將所述多個(gè)底部單元切割開，并且形成集成組件，以及其中，所述多個(gè)底部單元中的每個(gè)包括：封裝基板和接合到所述封裝基板的管芯；在所述多個(gè)底部單元上放置多個(gè)上部組件疊層，其中焊球位于所述多個(gè)上層組件和所述多個(gè)底部單元之間；以及實(shí)施回流，從而通過所述焊球連接所述多個(gè)上部組件疊層和所述多個(gè)底部單元中的相應(yīng)的一些。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉浩君，莊其達(dá)，蕭景文，陳承先，郭正錚，陳志華，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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