本實用新型專利技術公開了一種多功能電子鎮流保護電路,其特征在于:由異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2,與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R,與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級諧振保護電路,與異或門集成芯片U1相并聯的振蕩電路。本實用新型專利技術能確保輸入電壓在突變時,能很好的保護電子元器件,防止峰值擊穿,從而延長電子產品的使用壽命。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及電子應用領域,具體是指一種多功能電子鎮流保護電路。技術背景目前,熒光燈和節能燈是人們經常要使用的電器,由于這些電器都是通過燈絲加熱或燈絲電離氣體來發光的,因此在使用時都需要用到電子鎮流器。但目前人們所使用的電子鎮流器內部的電路既不具有良好的反電勢保護功能、濾波整流功能和反接保護功能,因此當輸入的電壓因各種原因出現峰值突變、出現大量一、二次諧波時,該電子整流器便存在較大的安全隱患,不利于人們的廣泛使用和推廣。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術中電子鎮流器內部電路不具有良好的反電勢保護功能、濾波整流功能和反接保護功能缺陷,提供一種多功能電子鎮流保護電路。本技術的目的通過下述技術方案實現多功能電子鎮流保護電路,由異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2,與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R,與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級諧振保護電路,與異或門集成芯片Ul相并聯的振蕩電路,與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護電路,與升壓保護電路輸入端相連接的穩壓濾波電路,與諧振保護電路的輸出端相連接的自激高頻電路,以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的二級諧振保護電路組成。所述穩壓濾波電路由電感LI、電感L2以及二極管D3和電容Cl組成,所述二極管D3的N極和P極分別與電感LI和電感L2的一端相連后形成濾波輸入端,電容Cl的兩端則分別與電感LI和電感L2的另一端相連后形成濾波輸出端,同時在電感LI處并聯有二極管D1,在電感L2處并聯有二極管D2。所述升壓保護電路由相互串接的電阻Rl和電容C2,一端連接在電阻Rl和電容C2之間的雙向觸發二極管DB和二極管D4,以及串接在電阻Rl的輸入端與雙向觸發二極管DB的輸出端之間的一級反接保護電路組成;而該一級反接保護電路由依次串接的熔斷器F、二極管D6和繼電器Kl,以及與繼電器Kl相并聯的二極管D5組成;所述熔斷器F與電阻Rl之間的連接點通過繼電器Kl的常開觸點與電感LI與電容Cl的連接點相連接,而電容C2的另一端則與電容Cl與電感L2的連接點相連接。所述的振蕩電路由場效應晶體管Q1,一端與場效應晶體管Ql的柵極相連接、另一端與異或門集成芯片Ul的輸入端相連接的耦合濾波電路,以及與場效應晶體管Ql相并聯的二極管Dl組成;所述的耦合濾波電路由相互并聯的電感L3和低頻濾波電容CT組成;所述的一級諧振保護電路由場效應晶體管Q2,一端與場效應晶體管Q2的柵極相連接、另一端依次經電容C2、電容C4后與場效應晶體管Q2的漏極相連接的電容Cl,串接在電容Cl與電容C2的連接點與場效應晶體管Q2的漏極之間的電容C3,以及與電容C4相并聯的電感L2組成;所述異或門集成芯片Ul的一個輸入端經電阻R2后與雙向觸發二極管DB的輸出端相連接,另一個輸入端則與升壓保護電路中的二極管D4的N極相連接,其輸出端則與電容Cl和電容C2的連接點相連接;異或門集成芯片U2的一個輸入端與電阻R2與異或門集成芯片Ul的連接點相連接,另一個輸入端與升壓保護電路中的電容C2的另一端相連接,其輸出端則與電容C2與電容C4的連接點相連接。所述的自激聞頻電 路包括場效應晶體管Ql、場效應晶體管Q2,與場效應晶體管Ql和場效應晶體管Q2相并聯的耦合整流電路,以及反接保護電路;其中與場效應晶體管Ql相并聯的耦合整流電路由連接在場效應晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L43,相互串接后再與電感線圈L43兩端相連接的二極管DTl和二極管DT2組成;與場效應晶體管Q2相并聯的耦合整流電路主要由連接在場效應晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L42,以及相互串接后再與電感線圈L42兩端相連接的二極管DT3和二極管DT4組成;所述反接保護電路由順次串接的繼電器K2、二極管DT7、熔斷器F2及電感線圈L41,以及與繼電器K2相并聯的二極管DT8組成;同時,場效應晶體管Ql與場效應晶體管Q2的連接點經繼電器K2的常開觸點后與一級諧振保護電路中的電感L2的一端相連接,電感線圈L41和電感線圈L42的次級端則與一級諧振保護電路中的電感L2的另一端相連接。所述的二級諧振保護電路由場效應晶體管Q3,一端與場效應晶體管Q3的柵極相連接、另一端依次經電容C6、電容C8后與場效應晶體管Q3的漏極相連接的電容C5,串接在電容C5與電容C6的連接點與場效應晶體管Q3的漏極之間的電容C7,以及與電容C8相并聯的電感L4組成。本技術較現有技術相比,具有以下優點及有益效果(I)本技術的整體結構較為簡單,其不僅具有反接保護功能和穩壓濾波功能,而且還具有整流功能,因此即便在電源接反時,電源的峰值電壓也不會擊穿電器設備,從而延長電器設備的使用壽命。(2)本技術通過自激高頻電路與反接保護電路的配合,能夠確保自激高頻電路的結構安全,能有效降低事故發生的概率。附圖說明圖I為本技術的整體結構示意圖。具體實施方式下面結合實施例對本技術作進一步地詳細說明,但本技術的實施方式不限于此。實施例如圖I所示,本技術的電路結構主要由異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2,與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R,與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級諧振保護電路,與異或門集成芯片Ul相并聯的振蕩電路,與異或門集成芯片Ul和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護電路,與升壓保護電路輸入端相連接的穩壓濾波電路,與諧振保護電路的輸出端相連接的自激高頻電路,以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的二級諧振保護電路組成。如圖所示,為了確保實用效果,該穩壓濾波電路由電感LI、電感L2以及二極管D3和電容C1組成,所述二極管D3的N極和P極分別與電感LI和電感L2的一端相連后形成濾波輸入端,電容Cl的兩端則分別與電感LI和電感L2的另一端相連后形成濾波輸出端,同時在電感LI處并聯有二極管D1,在電感L2處并聯有二極管D2。所述升壓保護電路由相互串接的電阻Rl和電容C2,一端連接在電阻Rl和電容C2之間的雙向觸發二極管DB 和二極管D4,以及串接在電阻Rl的輸入端與雙向觸發二極管DB的輸出端之間的一級反接保護電路組成;而該一級反接保護電路由依次串接的熔斷器F、二極管D6和繼電器Kl,以及與繼電器Kl相并聯的二極管D5組成;所述熔斷器F與電阻Rl之間的連接點通過繼電器Kl的常開觸點與電感LI與電容Cl的連接點相連接,而電容C2的另一端則與電容Cl與電感L2的連接點相連接。所述的振蕩電路由場效應晶體管Q1,一端與場效應晶體管Ql的柵極相連接、另一端與異或門集成芯片Ul的輸入端相連接的耦合濾波電路,以及與場效應晶體管Ql相并聯的二極管Dl組成;所述的耦合濾波電路由相互并聯的電感L3和低頻濾波電容CT組成;所述的一級諧振保護電路由場效應晶體管Q2,一端與場效應晶體管Q2的柵極相連接、另一端依次經電容C2、電容C4后與場效應晶體管Q2的漏極相連接的電容Cl,串接在電容Cl與電容C2的連接點與場效應晶體管Q2的漏極之間的電容C3,以及與電容C4相并聯的電感L2組成。所述異或門集成芯片Ul的一個輸入端經電阻R2后與雙向觸發二極管D本文檔來自技高網...
【技術保護點】
多功能電子鎮流保護電路,其特征在于:由異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2,與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R,與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的一級諧振保護電路,與異或門集成芯片U1相并聯的振蕩電路,與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端相連接的升壓保護電路,與升壓保護電路輸入端相連接的穩壓濾波電路,與諧振保護電路的輸出端相連接的自激高頻電路,以及與該自激高頻電路的輸出端相連接的二級諧振保護電路組成。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:王艷,
申請(專利權)人:成都方拓科技有限公司,
類型:實用新型
國別省市:
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