本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，主要由場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2，以及與場效應(yīng)晶體管Q1和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路組成，其特征在于：在場效應(yīng)晶體管Q1的集電極與場效應(yīng)晶體管Q2的源極之間還串接有反接保護(hù)電路。本實(shí)用新型專利技術(shù)通過自激震蕩電路與反接保護(hù)電路的配合，能夠確保自激震蕩電路的結(jié)構(gòu)安全，能有效降低事故發(fā)生的概率。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種高頻變換電路，具體是指一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路。
技術(shù)介紹
目前，熒光燈和節(jié)能燈是人們經(jīng)常要使用的電器，由于這些電器都是通過燈絲加熱或燈絲電離氣體來發(fā)光的，因此在使用時都需要用到電子鎮(zhèn)流器。但目前人們所使用的電子鎮(zhèn)流器內(nèi)部的自激震蕩高頻變換電路都不具有反接保護(hù)功能，因此在當(dāng)電源出現(xiàn)反接時，這些電壓的峰值反電勢便會損壞該自激震蕩高頻變換電路，進(jìn)而擊穿電子鎮(zhèn)流器，損壞 電器設(shè)備
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中自激震蕩高頻變換電路不具有反接保護(hù)功能的缺陷，提供一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路。本技術(shù)的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，主要由場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2，以及與場效應(yīng)晶體管Ql和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路組成，且在場效應(yīng)晶體管Ql的集電極與場效應(yīng)晶體管Q2的源極之間還串接有反接保護(hù)電路。進(jìn)一步地，與場效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L3，以及相互串接后再與電感線圈L3兩端相連接的二極管DTl和二極管DT2組成。與場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L2，以及相互串接后再與電感線圈L2兩端相連接的二極管DT3和二極管DT4組成。所述反接保護(hù)電路由順次串接的繼電器K、二極管DT7、熔斷器F及電感線圈LI，以及與繼電器K相并聯(lián)的二極管DT8組成；同時，在場效應(yīng)晶體管Ql與場效應(yīng)晶體管Q2的連接點(diǎn)之間還串接有繼電器K的常開觸點(diǎn)。本技術(shù)較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果( I)本技術(shù)整體結(jié)構(gòu)非常簡單，便于推廣和應(yīng)用。(2)本技術(shù)的電路中具有反接保護(hù)電路，因此即便在電源接反時，電源的峰值電壓也不會擊穿電器設(shè)備，從而延長電器設(shè)備的使用壽命。(3)本技術(shù)通過自激震蕩電路與反接保護(hù)電路的配合,能夠確保自激震蕩電路的結(jié)構(gòu)安全，能有效降低事故發(fā)生的概率。附圖說明圖I為本技術(shù)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對本技術(shù)作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本技術(shù)的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例如圖I所不，本技術(shù)的電路包括場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2、兩個f禹合整流電路以及一個反接保護(hù)電路。其中，場效應(yīng)晶體管Ql的源極與場效應(yīng)晶體管Q2的集電極相連接。所述的兩個耦合整流電路分別與場效應(yīng) 晶體管Ql和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)；所述的反接保護(hù)電路則串接在場效應(yīng)晶體管Ql的集電極與場效應(yīng)晶體管Q2的源極之間。如圖所示，與場效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L3，以及相互串接后再與電感線圈L3兩端相連接的二極管DTl和二極管DT2組成；而與場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L2，以及相互串接后再與電感線圈L2兩端相連接的二極管DT3和二極管DT4組成。所述反接保護(hù)電路則由順次串接的繼電器K、二極管DT7、熔斷器F及電感線圈LI，以及與繼電器K相并聯(lián)的二極管DT8組成。同時，在場效應(yīng)晶體管Ql與場效應(yīng)晶體管Q2的連接點(diǎn)之間還串接有繼電器K的常開觸點(diǎn)。如上所述，便可以很好的實(shí)現(xiàn)本技術(shù)。權(quán)利要求1.一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，主要由場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2，以及與場效應(yīng)晶體管Ql和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路組成，其特征在于在場效應(yīng)晶體管Ql的集電極與場效應(yīng)晶體管Q2的源極之間還串接有反接保護(hù)電路。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，其特征在于與場效應(yīng)晶體管Ql相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Ql的柵極與漏極之間的電感線圈L3，以及相互串接后再與電感線圈L3兩端相連接的二極管DTl和二極管DT2組成。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，其特征在于與場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路主要由連接在場效應(yīng)晶體管Q2的柵極與漏極之間的電感線圈L2，以及相互串接后再與電感線圈L2兩端相連接的二極管DT3和二極管DT4組成。4.根據(jù)權(quán)利要求I 3任一項(xiàng)所述的一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，其特征在于所述反接保護(hù)電路由順次串接的繼電器K、二極管DT7、熔斷器F及電感線圈LI，以及與·繼電器K相并聯(lián)的二極管DT8組成；同時，在場效應(yīng)晶體管Ql與場效應(yīng)晶體管Q2的連接點(diǎn)之間還串接有繼電器K的常開觸點(diǎn)。專利摘要本技術(shù)公開了一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，主要由場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2，以及與場效應(yīng)晶體管Q1和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路組成，其特征在于在場效應(yīng)晶體管Q1的集電極與場效應(yīng)晶體管Q2的源極之間還串接有反接保護(hù)電路。本技術(shù)通過自激震蕩電路與反接保護(hù)電路的配合，能夠確保自激震蕩電路的結(jié)構(gòu)安全，能有效降低事故發(fā)生的概率。文檔編號H05B41/285GK202799346SQ20122039604公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月12日專利技術(shù)者王艷 申請人:成都方拓科技有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種反接保護(hù)自激震蕩高頻變換電路，主要由場效應(yīng)晶體管Q1、場效應(yīng)晶體管Q2，以及與場效應(yīng)晶體管Q1和場效應(yīng)晶體管Q2相并聯(lián)的耦合整流電路組成，其特征在于：在場效應(yīng)晶體管Q1的集電極與場效應(yīng)晶體管Q2的源極之間還串接有反接保護(hù)電路。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王艷，
申請(專利權(quán))人：成都方拓科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：
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