對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕不良影響的改善方法技術(shù)

一種對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕不良影響的改善方法。凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法包括：第一步驟，用于形成芯片生產(chǎn)過(guò)程中需要的具有凹槽的結(jié)構(gòu)；第二步驟，用于在第一步驟所得到的結(jié)構(gòu)上沉積氧化物；第三步驟，用于以與豎直方向成第一傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第一次注入；第四步驟，用于以與豎直方向成第二傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第二次注入；第五步驟，用于對(duì)執(zhí)行了注入的氧化物進(jìn)行回蝕。根據(jù)本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法能夠?qū)Π疾垌敳颗c凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響進(jìn)行簡(jiǎn)單有效的改善并克服。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專(zhuān)利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本專(zhuān)利技術(shù)涉及一種凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，尤其是自對(duì)準(zhǔn)非揮發(fā)記憶體的制造過(guò)程中，經(jīng)常碰到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)需要形成氧化物側(cè)墻以實(shí)現(xiàn)隔離的情況。例如隔離源線(xiàn)多晶硅條與浮柵的氧化物側(cè)墻就是在氮化硅凹槽內(nèi)沉積氧化物并回蝕以形成側(cè)壁結(jié)構(gòu)。例如，圖I示意性地示出了一種非揮發(fā)記憶體源線(xiàn)形成后的位于隔離區(qū)的截面圖。如圖I所示，非揮發(fā)記憶體源線(xiàn)形成后的結(jié)構(gòu)包括布置在氧化物10上的具有凹槽40的氮化層20，以及布置在凹槽40側(cè)壁上的側(cè)壁氧化物31。 為了形成側(cè)壁氧化物31，如圖3所示，首先形成氮化層20圖形。如圖4在圖3的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上沉積氧化硅層30。如圖7對(duì)氧化物30進(jìn)行刻蝕，而留下半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)30側(cè)部的氧化物側(cè)壁。圖4所示的氧化物30通常由沉積工藝?yán)鐮t管沉積工藝形成，其特點(diǎn)是與位于氮化硅20之上的上氧化物30的頂部相比，氧化物30的側(cè)壁與底部更薄。在將該結(jié)構(gòu)進(jìn)行回蝕以形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)的時(shí)候，要保證把頂部和底部的氧化物30完全回蝕掉，側(cè)壁剩下的就是側(cè)墻。但是，由于頂部氧化物較厚，底部氧化物會(huì)先被刻蝕光，所以會(huì)損失原本隔離槽內(nèi)的氧化物(例如氧化硅)10在該位置的厚度。為了保證該厚度足夠，只能在之前隔離區(qū)域研磨時(shí)少磨一些氧化物。但是，這樣造成了兩種可能結(jié)構(gòu)或者縮小隔離區(qū)域研磨窗口來(lái)保證足夠的隔離區(qū)域氧化物厚度；或者損失隔離區(qū)域的氧化物厚度，由此損失良率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠在不縮小隔離區(qū)域研磨窗口的情況下保證足夠的隔離區(qū)域氧化物厚度的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)，提供了一種凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法，其包括第一步驟，用于形成芯片生產(chǎn)過(guò)程中需要的具有凹槽的結(jié)構(gòu)；第二步驟，用于在第一步驟所得到的結(jié)構(gòu)上沉積氧化物；第三步驟，用于以與豎直方向成第一傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第一次注入；第四步驟，用于以與豎直方向成第二傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第二次注入；第五步驟，用于對(duì)執(zhí)行了注入的氧化物進(jìn)行回蝕。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)，還提供了一種凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法，其特征在于包括第一步驟，用于自對(duì)準(zhǔn)非揮發(fā)記憶體制造過(guò)程中形成的具有凹槽的氮化硅結(jié)構(gòu)；第二步驟，用于在第一步驟所得到的結(jié)構(gòu)上沉積氧化物，以隔離自對(duì)準(zhǔn)非揮發(fā)記憶體的浮柵和源線(xiàn)多晶硅；第三步驟，用于以與豎直方向成第一傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第一次注入；第四步驟，以與豎直方向成第二傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第二次注入；第五步驟，用于對(duì)執(zhí)行了注入的氧化物進(jìn)行回蝕。優(yōu)選地，在所述第三步驟中，根據(jù)凹槽的尺寸、凹槽結(jié)構(gòu)上表面的氧化物的厚度、凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的氧化物的厚度和凹槽底部的氧化物的厚度來(lái)選擇第一傾斜角，以使得中性原子不注入凹槽底部的氧化物。優(yōu)選地，在所述第三步驟中，所述中性原子是較重的原子，例如氬原子。優(yōu)選地，在第四步驟中，根據(jù)凹槽的尺寸、凹槽結(jié)構(gòu)上表面的氧化物的厚度、凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的氧化物的厚度和凹槽底部的氧化物的厚度來(lái)選擇第二傾斜角，以使得中性原子不注入凹槽底部的氧化物。優(yōu)選地，在第四步驟中，所述中性原子是較重的原子，例如氬原子。 優(yōu)選地，第一傾斜角的方向與第二傾斜角的方向處于同一平面，并且相對(duì)于垂直方向?qū)ΨQ(chēng)布置。在根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法中，由于凹槽結(jié)構(gòu)上表面的氧化物得到中性原子的注入，由此經(jīng)中性原子注入之后的氧化物的刻蝕速度大于未得到中性原子的注入的凹槽底部的氧化物，所以可以有效地通過(guò)增大凹槽結(jié)構(gòu)上表面的氧化物的刻蝕速度來(lái)補(bǔ)償凹槽底部的氧化物的厚度的不足；由此不會(huì)由于底部氧化物先被刻蝕光而損失原本隔離槽內(nèi)的氧化物的厚度，或者，減少由于底部氧化物先被刻蝕光而損失的原本隔離槽內(nèi)的氧化物的厚度。因此，根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法能夠?qū)Π疾垌敳颗c凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響進(jìn)行簡(jiǎn)單有效的改善并克服。附圖說(shuō)明結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中圖I示意性地示出了一種非揮發(fā)記憶體源線(xiàn)形成后的位于隔離區(qū)的截面圖。圖2示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的流程圖。圖3示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的第一步驟的示意圖。圖4示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的第二步驟的示意圖。圖5示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的第三步驟的示意圖。圖6示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的第四步驟的示意圖。圖7示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的第五步驟的示意圖。需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)，而非限制本專(zhuān)利技術(shù)。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。具體實(shí)施例方式為了使本專(zhuān)利技術(shù)的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。由于在凹槽結(jié)構(gòu)上沉積薄膜時(shí)，必然會(huì)造成凹槽頂部(表面)、側(cè)壁、底部厚度的不同。這種厚度差會(huì)對(duì)該薄膜的回蝕造成不利影響。由此，本專(zhuān)利技術(shù)提供了一種凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善 方法。圖2示意性地示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法的流程圖。具體地說(shuō)，如圖2所示，根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法包括第一步驟SI，用于在形成芯片生產(chǎn)過(guò)程中需要的具有凹槽的結(jié)構(gòu)，例如在硅片(未示出)的隔離區(qū)域10 (例如，隔離區(qū)域10是淺溝槽隔離區(qū)或者其它類(lèi)型的隔離區(qū))上形成具有凹槽40的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20 (例如多晶硅)，由此形成由凹槽40和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20組成的凹槽結(jié)構(gòu)，如圖3所示。第二步驟S2，用于在第一步驟SI所得到的結(jié)構(gòu)上沉積氧化物30 ;通常可以通過(guò)爐管工藝生長(zhǎng)氧化物30 (例如氧化硅)，此時(shí)，與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20上表面的氧化物30相比，凹槽40底部上的氧化物30與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20的側(cè)壁上的氧化物30更薄，如圖4所示。更具體地說(shuō)，例如，在自對(duì)準(zhǔn)非揮發(fā)記憶體等電路的生產(chǎn)過(guò)程中側(cè)墻的回蝕進(jìn)行改善的情況中，氧化物30是用以隔離浮柵和源線(xiàn)多晶硅的氧化層。第三步驟S3，用于以與豎直方向成第一傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第一次注入；例如中性原子可以是較重的原子，例如氬原子；優(yōu)選地，在第三步驟S3中，根據(jù)凹槽40的尺寸、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20上表本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對(duì)凹槽側(cè)墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法，其特征在于包括：第一步驟，用于形成芯片生產(chǎn)過(guò)程中需要的具有凹槽的結(jié)構(gòu)；第二步驟，用于在第一步驟所得到的結(jié)構(gòu)上沉積氧化物；第三步驟，用于以與豎直方向成第一傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第一次注入；第四步驟，以與豎直方向成第二傾斜角的方向利用中性原子進(jìn)行第二次注入；第五步驟，用于對(duì)執(zhí)行了注入的氧化物進(jìn)行回蝕。

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：江紅，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：