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一種對凹槽側墻氧化物回蝕不良影響的改善方法。凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對凹槽側墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法包括：第一步驟，用于形成芯片生產過程中需要的具有凹槽的結構；第二步驟，用于在第一步驟所得到的結構上沉積氧化物；第三步驟，用于...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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一種對凹槽側墻氧化物回蝕不良影響的改善方法。凹槽頂部與凹槽底部沉積厚度不同對凹槽側墻氧化物回蝕造成不良影響的改善方法包括：第一步驟，用于形成芯片生產過程中需要的具有凹槽的結構；第二步驟，用于在第一步驟所得到的結構上沉積氧化物；第三步驟，用于...