本發明專利技術關于一種暫時載體接合及分離的工藝。一半導體晶圓的一第一表面利用一第一黏膠以附著至一第一載體，且一第一隔離涂層位于該第一黏膠及該第一載體之間。接著，一第二載體附著至該半導體晶圓的一第二表面。接著，分離該第一載體。本發明專利技術的方法在該第一載體分離后利用該第二載體以支撐及保護該半導體晶圓。因此，該半導體晶圓不會受到損壞或破裂，藉此可提高該半導體工藝的良率。再者，簡化該第一載體分離方法可改善該半導體工藝的效率。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術關于一種半導體元件的工藝，特別的是，關于工藝中半導體晶圓的處理(Handling)及輸送(Transport)。
技術介紹
在工藝中間狀態的半導體晶圓從一個工作站移到另一個工作站時必須非常小心的處理，以防止該晶圓受到損壞。通常，晶圓吸附器(Wafer Chuck)安裝在晶圓或載體的表面。然而，此種方式會損壞晶圓，尤其是該吸附器從該晶圓拆卸下來時。由于減少該半導體晶圓厚度的努力一直在持續中，改良的半導體晶圓的處理及輸送技術將會變得越來越重要
技術實現思路
本揭露一方面關于一種處理半導體晶圓的方法。在一實施例中，該處理半導體晶圓的方法包括附著一載體至該半導體晶圓；將該半導體晶圓分成一內部及一外部，該載體從該內部移除所需的拉力實質上小于從該外部移除所需的拉力；及從該半導體晶圓的內部移除該載體。將該半導體晶圓分成該內部及該外部的步驟可以經由利用一刀具或一激光切割該半導體晶圓以形成該內部及該外部來實現。在一實施例中，該處理半導體晶圓的方法包括黏附該載體至該半導體晶圓的一主動面，其中一黏膠黏接該半導體晶圓的該主動面至一位于該載體表面的隔離涂層及不具有該隔離涂層的該載體表面的一部分。為了使該內部更容易分離，該半導體晶圓的該主動面與該隔離涂層之間的黏著力大致上小于該半導體晶圓與不具有該隔離涂層的該載體表面的部分之間的黏著力。該方法特別適合于使用娃穿孔(Through Silicon Via, TSV)技術的半導體晶圓。在一實施例中，該處理半導體晶圓的方法更包括在附著該載體至該半導體晶圓的主動面之后，移除該半導體晶圓的一非主動面的一部分以顯露位于該半導體晶圓內的至少一導電柱的一末端；以一保護層覆蓋該顯露的末端；及薄化該保護層以使得該末端突出于該保護層之外。為了更固定該晶圓，該方法更包括附著該半導體晶圓的一非主動面至一切割膠帶的一第一表面。本揭露另一方面關于一種處理半導體晶圓的方法，其包括利用一第一黏膠以附著一載體至該半導體晶圓的一主動面，使得該第一黏膠位于該半導體晶圓的主動面及一位于該載體的一表面的一隔離涂層，及一位于不具有該隔離涂層的該載體表面的一部分的第二黏膠之間；溶解該第二黏膠；及從該半導體晶圓移除該載體。本揭露另一方面關于一種處理半導體晶圓的方法，其包括利用一第一黏膠以附著一第一載體至該半導體晶圓的一主動面，使得該第一載體包含一位于該第一載體及該第一黏膠之間的第一隔離涂層，其中該第一隔離涂層的面積小于該第一黏膠；形成一第二黏膠于該半導體晶圓的一非主動面；形成一第二載體于該第二黏膠上，其中該第二載體為一高分子聚合物層；及從該半導體晶圓分離該第一載體及該第一隔離涂層。附圖說明圖I至圖14顯示本專利技術一實施例的暫時載體接合及分離的工藝；圖15至圖18顯示本專利技術另一實施例的暫時載體接合及分離的工藝；圖19至圖24顯示本專利技術另一實施例的暫時載 體接合及分離的工藝；圖25至圖29顯示本專利技術另一實施例的暫時載體接合及分離的工藝；及圖30至圖32顯示本專利技術另一實施例的暫時載體接合及分離的工藝。具體實施例方式參考圖1，顯示本專利技術一實施例中準備被處理(Handling)及輸送(Transportation)的半導體晶圓20 (以剖視圖呈現)。該半導體晶圓20具有一第一表面201、一第二表面202及數個導電柱(Conductive Pillars) 207o該半導體晶圓20可由娃(Silicon)、鍺(Germanium)、砷化鎵(Gallium Arsenide)等所制成,且該等導電柱207由適當導電金屬，例如銅，所制成。在本實施例中，該半導體晶圓20包含一集成電路203位于該第一表面201及該等導電柱207 (如圖所不),因此該第一表面201被定義為一主動面(Active Surface),且該第二表面202被定義為一非主動面(Inactive Surface)。然而，可以理解的是，該半導體晶圓20也可以是一中介基板(Interpose!·)，其僅具有該等導電柱207。為了避免將導電金屬直接置于半導體材料中，一絕緣材料208，例如非導電高分子材料(包含聚亞酰胺(Polymide,PI)、環氧樹脂(Epoxy)或苯環丁烯(Benzocyclobutene, BCB))或無機材料(例如二氧化硅(SiO2)),形成于該半導體材料及該等導電柱207之間。在本實施例中，該集成電路203，例如CMOS電路，形成于該第一表面201且可包含一重布層(Redistribution Layer, RDL),且數個導電元件205形成于該集成電路203上且電性連接至該等導電柱207。—第一黏膠22施加于該半導體晶圓20的第一表面201。在本實施例中，該第一黏膠22位于該集成電路203上，且包含一可溶劑溶解的黏膠(solvent-dissolvingadhesive)。該可溶劑溶解的黏膠例如包含住友化學公司(SUMITOMOCHEMICAL)的X5000及X5300牌子的黏膠。此外，提供一第一載體31，其可以是半導體材料或是絕緣材料例如玻璃。該第一載體31具有一第一隔離涂層(Isolation Coating) 32,位于其一表面311。在本實施例中，該第一隔離涂層32為一疏水性涂層。參考圖2，該半導體晶圓20的第一表面201附著該第一載體31，且利用該第一黏膠22將該半導體晶圓20黏附至該第一載體31。該第一隔離涂層32的特性為該第一隔離涂層32與該第一黏膠22間的黏著力較弱。在本實施例中，該等導電元件205嵌在該第一黏膠22中，且該第一黏膠22的厚度大于該等導電元件205的厚度。該第一隔離涂層32的面積略小于該第一黏膠22的面積。在本實施例中，該第一黏膠22與該第一載體31間的黏著力大于該第一黏膠22與該第一隔離涂層32的黏著力。參考圖3，于該半導體晶圓20的第二表面202進行表面處理。以研磨及/或蝕刻方式薄化該半導體晶圓20的第二表面202，使得該等導電柱207突出于該半導體晶圓20的上表面，且形成數個導電通孔(Conductive Via)204。因此,每一該等導電通孔204的末端2041 (導電通孔204可包含該絕緣材料208及該導電柱207 二個部分)顯露。參考圖4,例如以積層工藝(Laminating Process)或旋轉涂布工藝(SpinCoatingProcess)形成一保護層23于該第二表面202,以覆蓋該等導電通孔204的末端2041。該保護層23可以是非導電高分子材料(例如聚亞酰胺(Polymide，PI))、環氧樹脂(Epoxy)或苯環丁烯(Benzocyclobutene, BCB)。或者，也可使用無機保護層(例如二氧化硅(Si02))。在本實施例中，該保護層23可能是感光性聚合物，例如苯環丁烯(Benzocyclobutene, BCB),且可以利用旋轉涂布或噴射涂布(Spray Coating)而形成。參考圖5，以研磨及/或蝕刻方式薄化該保護層23以使得該等導電通孔204的末端2041突出于該保護層23之外。亦即，部分該保護層23仍留在該半導體晶圓20的第二表面202上，且填滿該等末端2041間的區域或在該等末端2041間的區域交錯。參考圖6,以電鍍方式形成一表面處理層(surface finish l本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種處理半導體晶圓的方法，包括：附著一載體至該半導體晶圓；將該半導體晶圓分成一內部及一外部，該載體從該內部移除所需的拉力實質上小于從該外部移除所需的拉力；及從該半導體晶圓的內部移除該載體。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蕭偉民，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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