本發(fā)明專利技術(shù)提供一種劃分高填充率冗余圖形的方法，包括以下順序步驟：首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線；之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。本發(fā)明專利技術(shù)提供的劃分高填充率冗余圖形的方法能形成具有高填充率冗余圖形，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及集成電路設(shè)計(jì)制造
，尤其涉及。
技術(shù)介紹
在集成電路制造工藝中，為了提高化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕工藝的均一性，通常會(huì)在需要化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的層中，加入冗余圖形，而傳統(tǒng)的冗余圖形是固定尺寸的矩形或多邊形。中國(guó)專利CN102468134A披露了一種利用冗余圖形填充來(lái)調(diào)整芯片圖形密度的方法，包括如下步驟得到芯片制備中某個(gè)圖層的可填充區(qū)域；預(yù)設(shè)一組圖形密度不等的填充圖形；等分為多個(gè)小塊區(qū)域，設(shè)定在填充后圖層的圖形密度，小塊區(qū)域的最小圖形密度 值、最大圖形密度值和相鄰兩個(gè)小塊區(qū)域間的最大圖形密度差值；計(jì)算上述各小塊區(qū)域初始的圖形密度值；計(jì)算填入的圖形密度最大的填充圖形后的小塊區(qū)域的圖形密度值；采用虛擬圖形填充的方法調(diào)整每個(gè)小塊區(qū)域的圖形密度；對(duì)各小塊區(qū)域中的可填充區(qū)域進(jìn)行填充，使填充后小塊區(qū)域的圖形密度值與步驟(6)所調(diào)整出的圖形密度值最接近。這種冗余圖形在較小尺寸的空白區(qū)域填充率很低或無(wú)法填充，從而導(dǎo)致版圖局部區(qū)域的圖形密度或梯度達(dá)不到設(shè)定目標(biāo)，最終導(dǎo)致硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性受到影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，提供，通過該方法確定的冗余圖形具有相對(duì)較高的填充率，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供，包括以下順序步驟 首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線；之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。本專利技術(shù)提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中冗余圖形中相對(duì)側(cè)邊之間定義為a，所述a的數(shù)值范圍為I 20000 nm。本專利技術(shù)提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中所述d的數(shù)值范圍為f50000nm。本專利技術(shù)提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中所述a的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形尺寸。本專利技術(shù)提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中所述d的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形間距。本專利技術(shù)提供的劃分高填充率冗余圖形的方法能形成具有高填充率冗余圖形，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。附圖說明圖I是本專利技術(shù)劃分高填充率冗余圖形的示意圖。圖2是本專利技術(shù)中冗余圖形填充效果圖。具體實(shí)施例方式本專利技術(shù)提供劃分高填充率冗余圖形的方法，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。·以下通過實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)提供的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明，以便更好理解本專利技術(shù)創(chuàng)造的內(nèi)容，但實(shí)施例的內(nèi)容并不限制專利技術(shù)創(chuàng)造保護(hù)的范圍。劃分高填充率冗余圖形的方法包括以下順序步驟 如圖I所示，首先在主圖形21、22層上劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，并確定空白區(qū)域的邊線。之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形5的邊線，其中所述冗余圖形5各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，所述d的數(shù)值范圍為f50000nm。一般，所述d的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形間距。優(yōu)選的d的數(shù)值為500、1000、1500等。最后，將由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形，即確定為冗余圖形。冗余圖形中相對(duì)側(cè)邊之間定義為a，所述a的數(shù)值范圍為f20000 nm。所述a的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形尺寸。如圖2所示冗余圖形填充效果圖，圖中黑色部分為主圖形、斜線框部分為冗余圖形。填充后局部圖形密度達(dá)54%，相比傳統(tǒng)的冗余圖形填充效果有很大的提高。這種高填充率的冗余圖形提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。以上對(duì)本專利技術(shù)的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本專利技術(shù)并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行的等同修改和替代也都在本專利技術(shù)的范疇之中。因此，在不脫離本專利技術(shù)的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本專利技術(shù)的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.，其特征在于，包括以下順序步驟 首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線； 之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離， 最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，冗余圖形中相對(duì)側(cè)邊之間定義為a，所述a的數(shù)值范圍為f20000 nm。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，所述d的數(shù)值范圍為f50000nm。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，所述a的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形尺寸。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，所述d的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形間距。全文摘要本專利技術(shù)提供，包括以下順序步驟首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線；之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。本專利技術(shù)提供的劃分高填充率冗余圖形的方法能形成具有高填充率冗余圖形，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。文檔編號(hào)H01L27/02GK102945302SQ20121043240公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月2日專利技術(shù)者闞歡, 張旭昇, 魏芳 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種劃分高填充率冗余圖形的方法，其特征在于，包括以下順序步驟：首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線；之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：闞歡，張旭昇，魏芳，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海華力微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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