保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，所述石英視窗位于發(fā)生干法刻蝕的腔體外的腔壁中，所述石英視窗靠近腔體的一端位于腔壁中并與腔體之間留有一段間隙，石英視窗遠(yuǎn)離腔體的一側(cè)具有一凹槽，終點(diǎn)檢知探頭的前端位于凹槽中。本實(shí)用新型專利技術(shù)的石英視窗安裝位置不變，將終點(diǎn)檢知探頭和石英視窗的接觸由硬性接觸改變成懸空不接觸的連接狀態(tài)，不但可以保證終點(diǎn)檢知探頭的檢知效果，還避免了終點(diǎn)檢知探頭的磨損；同時(shí)由于石英視窗縮短了一定的尺寸，使其避免暴露在等離子體氛圍中，起到保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭和延長自身使用壽命的雙重效果。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體干法刻蝕工藝中的檢測裝置，具體屬于一種保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體加工過程中，干法刻蝕是一種常用的工藝，在干法刻蝕過程中，等離子體(plasma)與硅片表面發(fā)生反應(yīng)，然后去除表面材料。由于干法刻蝕工藝對(duì)下層材料沒有好的刻蝕選擇比，所以在刻蝕過程中需要終點(diǎn)檢知技術(shù)來監(jiān)測刻蝕工藝中硅片表面需要刻蝕的物質(zhì)是否已經(jīng)刻蝕干凈，以減少對(duì)下層材料的過度刻蝕。目前，DPSCentura (等離子刻蝕)設(shè)備中的終點(diǎn)檢知裝置使用狀態(tài)如圖I所示，發(fā)生刻蝕反應(yīng)的腔體P內(nèi)充滿了 plasma，腔壁2'中設(shè)有一石英視窗3'。如圖2所示，該石英視窗3'由一實(shí)體圓柱段和一中空?qǐng)A柱段組成，所述中空?qǐng)A柱段一端伸入腔體I'內(nèi)，實(shí)體圓柱段的外側(cè)面通過螺紋連接一終點(diǎn)檢知探頭4'，該終點(diǎn)檢知探頭4'具有光纖5'。終點(diǎn)檢知探頭4'通過石英視窗3'采集腔體I'內(nèi)的光強(qiáng)信號(hào)(如圖I中的箭頭)，然后采集到的光強(qiáng)信號(hào)通過干涉儀等一系列換算可判斷刻蝕工藝是否完成。在上述結(jié)構(gòu)中，終點(diǎn)檢知探頭4'壓緊在石英視窗3'的表面，兩者是硬性連接，長時(shí)間的摩擦?xí)拱嘿F的終點(diǎn)檢知探頭4'容易損壞，不但影響檢知精度和效果，而且增加了檢測成本。同時(shí)，石英視窗3'部分一直暴露在腔體I'的plasma中，該plasma對(duì)石英視窗3'有刻蝕作用，因此使用一段時(shí)間后石英視窗3'的表面會(huì)被嚴(yán)重刻蝕，因此需要定期更換，從而增加成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)要解決的技術(shù)問題是提供一種保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，可以保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭，同時(shí)減少等離子體對(duì)石英視窗的刻蝕。為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)的保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，所述石英視窗位于發(fā)生干法刻蝕的腔體外的腔壁中，所述石英視窗靠近腔體的一端位于腔壁中并與腔體之間留有一段間隙，石英視窗遠(yuǎn)離腔體的一側(cè)具有一凹槽，終點(diǎn)檢知探頭的前端位于凹槽中。進(jìn)一步的，所述石英視窗包括左、右兩段石英結(jié)構(gòu)。所述右段石英結(jié)構(gòu)為實(shí)體結(jié)構(gòu)，其右端面與腔體之間留有一段間隙，所述左段石英結(jié)構(gòu)中設(shè)有凹槽。優(yōu)選的，所述左段石英結(jié)構(gòu)為中空結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述右段石英結(jié)構(gòu)和左段石英結(jié)構(gòu)均為圓柱結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述右段石英結(jié)構(gòu)的截面積小于左段石英結(jié)構(gòu)的截面積。本技術(shù)的石英視窗安裝位置不變，將終點(diǎn)檢知探頭和石英視窗的接觸由硬性接觸改變成懸空不接觸的連接狀態(tài)，不但可以保證終點(diǎn)檢知探頭的檢知效果，還避免了終點(diǎn)檢知探頭的磨損；同時(shí)由于石英視窗縮短了一定的尺寸，使其避免暴露在等離子體氛圍中，起到保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭和延長自身使用壽命的雙重效果。附圖說明圖I是現(xiàn)有終點(diǎn)檢知裝置的使用狀態(tài)圖；圖2是現(xiàn)有的石英視窗的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本技術(shù)的終點(diǎn)檢知裝置的使用狀態(tài)圖；圖4是本技術(shù)的石英視窗的結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記說明如下I、I'為腔體2、2'為腔壁3、3'為石英視窗4、4'為終點(diǎn)檢知探頭5、5'為光纖6為凹槽31為右段石英結(jié)構(gòu)32為左段石英結(jié)構(gòu)具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本技術(shù)提供的保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭4的石英視窗3，如圖3所示，位于發(fā)生干法刻蝕的腔體I外的腔壁2中，所述石英視窗3靠近腔體I的一端位于腔壁2中并與腔體I之間留有一段間隙，石英視窗3遠(yuǎn)離腔體I的一側(cè)具有一凹槽6，終點(diǎn)檢知探頭4的前端懸空地位于凹槽6中。所述終點(diǎn)檢知探頭4具有采集光強(qiáng)信號(hào)的光纖5。較佳的，如圖4所示，石英視窗3包括左、右兩段石英結(jié)構(gòu)32、31，兩段石英結(jié)構(gòu)均為圓柱結(jié)構(gòu)，并且右段石英結(jié)構(gòu)31的截面積小于左段石英結(jié)構(gòu)32的截面積。其中，右段石英結(jié)構(gòu)31為實(shí)體結(jié)構(gòu)，其右端面與腔體I之間留有一段間隙；左段石英結(jié)構(gòu)32中設(shè)有凹槽6，優(yōu)選的，左段石英結(jié)構(gòu)為中空結(jié)構(gòu)。本技術(shù)的石英視窗安裝位置不變，將終點(diǎn)檢知探頭和石英視窗的接觸由硬性接觸改變成懸空不接觸的連接狀態(tài)，使終點(diǎn)檢知探頭和左段石英結(jié)構(gòu)之間有一定的間隙，不但可以保證終點(diǎn)檢知探頭的檢知效果，還避免了終點(diǎn)檢知探頭的磨損，對(duì)終點(diǎn)檢知探頭實(shí)現(xiàn)了較好的保護(hù)；同時(shí)右段石英結(jié)構(gòu)與腔體存在一段間隙，避免了石英視窗暴露在等離子體氛圍中，防止石英視窗被等離子體腐蝕，延長了石英視窗的使用壽命。以上通過具體實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本技術(shù)的限制。在不脫離本技術(shù)原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可對(duì)石英視窗的結(jié)構(gòu)做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本技術(shù)的保護(hù)范圍。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，所述石英視窗（3）位于發(fā)生干法刻蝕的腔體（1）外的腔壁（2）中，其特征在于：所述石英視窗（3）靠近腔體（1）的一端位于腔壁（2）中并與腔體（1）之間留有一段間隙，石英視窗（3）遠(yuǎn)離腔體（1）的一側(cè)具有一凹槽（6），終點(diǎn)檢知探頭（4）的前端懸空地位于凹槽（6）中。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，所述石英視窗(3)位于發(fā)生干法刻蝕的腔體(I)外的腔壁(2)中，其特征在于所述石英視窗(3)靠近腔體(I)的一端位于腔壁(2)中并與腔體(I)之間留有一段間隙，石英視窗(3)遠(yuǎn)離腔體(I)的一側(cè)具有一凹槽(6)，終點(diǎn)檢知探頭(4)的前端懸空地位于凹槽(6)中。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，其特征在于所述石英視窗(3)包括左、右兩段石英結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)終點(diǎn)檢知探頭的石英視窗，其特征在于所述右段石英結(jié)構(gòu)(31)為實(shí)體結(jié)構(gòu)，其右端面與腔體(I)之...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：湯明浩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：