一種底部測試方法技術

本發明專利技術涉及一種電子元器件的底部測試方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：發光元件由振動盤篩選引腳向下進入直型軌道；再發光元件由真空和破壞真空的方式轉移到工作轉盤的吸嘴上；再是定位件從上將發光元件定位，探針從下往上，接觸發光元件的引腳，通電使其發光，同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。此種測試方法能夠更適合電子元器件的制造工藝，測試的范圍更廣。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及，進一步涉及一種電子元器件底部測試方法。
技術介紹
一般而言，電子元器件的光學參數主要的幾個方面是，光通量、發光強度、發光效率、波長等。發光效率表征了光源的節能特性，這是衡量現代光源性能的一個重要指標。因此，電子元器件在出廠前都要進行測試。目前，常用的電子元器件的測試方法均為側面測試，由上料裝置將電子元器件從振動盤的最前端吸附到轉盤上的真空吸嘴上，通過水平夾緊的探針，從側面夾緊電子元器件的引腳，通電，檢測。由于發光元件從制作工藝上來說，底部引腳的方式比側面引腳的方式更加容易實現，這就限制了傳統的側面探針夾持點亮測試方式的應用范圍。
技術實現思路
鑒于以上內容，有必要提供一種比較適用于發光元件的制作工藝的測試方法。本專利技術提供了，其中方法步驟包括(I)發光元件由振動盤篩選引腳向下進入直型軌道；(2)發光元件由真空和破壞真空的方式轉移到工作轉盤的吸嘴上；(3)定位件從上將發光元件定位，探針從下往上，接觸發光元件的引腳，通電使其發光，同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。與現有技術相比，本專利技術的優點在于相比傳統的測試方法，底部測試的方法比較適合現有的電子元器件的制作工藝，具有更廣的應用性。附圖說明圖I是本專利技術的流程圖。具體實施方式下面參照附圖結合實施例對本專利技術作進一步的描述。請參閱圖1，本專利技術提供較佳的，該方法步驟包括(I)發光元件由振動盤篩選引腳向下進入直型軌道；(2)發光元件由真空和破壞真空的方式轉移到工作轉盤的吸嘴上；(3)定位件從上將發光元件定位，探針從下往上，接觸發光元件的引腳，通電使其發光，同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。本專利技術主要針對發光元件測試方法所進行的改進，以上所述僅為本專利技術較佳實施例而已，非因此即局限本專利技術的專利范圍，故舉凡用本專利技術說明書及圖式內容所為的簡易變化及等效變換，均應包含于本專利技術的專利范圍內。權利要求1.，其特征在于所述方法步驟包括(1)發光元件由振動盤篩選引腳向下進入直型軌道；(2)發光元件由真空和破壞真空的方式轉移到工作轉盤的吸嘴上；(3)定位件從上將發光元件定位，探針從下往上，接觸發光元件的引腳，通電使其發光， 同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。全文摘要本專利技術涉及一種電子元器件的底部測試方法，其特征在于所述方法包括如下步驟發光元件由振動盤篩選引腳向下進入直型軌道；再發光元件由真空和破壞真空的方式轉移到工作轉盤的吸嘴上；再是定位件從上將發光元件定位，探針從下往上，接觸發光元件的引腳，通電使其發光，同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。此種測試方法能夠更適合電子元器件的制造工藝，測試的范圍更廣。文檔編號G01R31/00GK102914424SQ201210457298公開日2013年2月6日 申請日期2012年11月14日 優先權日2012年11月14日專利技術者卓維煌 申請人:深圳市華騰半導體設備有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種底部測試方法，其特征在于：所述方法步驟包括(1)發光元件由振動盤篩選引腳向下進入直型軌道；(2)發光元件由真空和破壞真空的方式轉移到工作轉盤的吸嘴上；(3)定位件從上將發光元件定位，探針從下往上，接觸發光元件的引腳，通電使其發光，同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：卓維煌，
申請(專利權)人：深圳市華騰半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：