可見光穿透率高的透明導電玻璃及其制作方法技術

本發明專利技術是有關于一種可見光穿透率高的透明導電玻璃，包含：一玻璃基板、一形成于該玻璃基板上的緩沖層，及一形成于該緩沖層上的金屬基膜層結構。該金屬基膜層結構自該緩沖層朝遠離該玻璃基板的方向依序具有一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層。該第一金屬層是由Ag所制成，且厚度是介于6nm-10nm之間。該第二金屬層是由一選自下列所構成的群組的第二金屬所制成：Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金，及SnNi合金。該第三金屬層是一保護層。本發明專利技術也提供一種前述透明導電玻璃的制作方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種透明導電玻璃(transparent conductive glass,TCG),特別是涉及一種可見光(visible light)穿透率(transmittance)高的透明導電玻璃及其制作方法。
技術介紹
平面顯示器(flat panel display,FPD)、觸控面板(touch panel)及薄膜太陽能電池(thin film solar cell)等電子產品的需求量于近年來不斷地攀升，在此等電子產品中，不可缺少的組件則非透明導電玻璃莫屬。目前最常見的透明導電層，無非是在透明玻璃基板上派鍍(sputtering) —金屬氧化物(metal oxide)的透明導電層。如，氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦(In2O3),或摻雜氟的氧化銦錫(fluorine-doped tin oxide, FT0)。然而，熟悉此
者皆知，以該金屬氧化物透明導電層所構成的透明導電玻璃的特性，其必須在導電率(conductivity)與穿透率兩必要特性之間做取舍；也就是說，當該金屬氧化物透明導電層的厚度越大，則其阻值(resistivity)越小，但是相對地，其可見光的穿透率也將被犧牲掉。此處需進一步說明的是，以目前常見的氧化銦錫(ITO)透明導電層來說，由于銦(In)的產量稀少且價格有日漸高漲的趨勢；此外，要使得ITO透明導電層具備有良好的導電性，其所需的厚度則必須超過100nm。因此，ITO透明導電層的制造成本非常高。又，雖然FTO透明導電層所需使用的錫(Sn)的產量較為豐富。然而，要使得FTO透明導電層的導電性達到上述電子產品的要求，其厚度則須相對ITO透明導電層高出許多。舉例來說，片電阻(sheet resistance)為16 Ω/square的FTO透明導電層所需厚度約300nm左右，而片電阻為8 Ω /square的FTO透明導電層所需厚度更須增加到500nm左右。因此，用于制造FTO透明導電層的材料成本也相當地高。經上述說明可知，找出可替代ITO與FTO等透明導電層以提升透明導電玻璃的可見光穿透率，同時也使其電氣特性(electricity)得以符合平面顯示器、觸控面板及薄膜太陽能電池等電子產品的要求，是此
者所需改進的課題。由此可見，上述現有的透明導電層產品結構、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。因此如何能創設一種新的，亦成為當前業界極需改進的目標。有鑒于上述現有的透明導電層存在的缺陷，本專利技術人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新的，能夠改進一般現有的透明導電層，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經過反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本專利技術
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于，克服現有的透明導電層存在的缺陷，而提供一種新的可見光穿透率高的透明導電玻璃，所要解決的技術問題是使其提供一種可見光穿透率高的透明導電玻璃，非常適于實用。本專利技術的另一目的在于，克服現有的透明導電層存在的缺陷，而提供一種新的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，所要解決的技術問題是使其在提供一種可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，從而更加適于實用。本專利技術的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本專利技術提出的一種可見光穿透率高的透明導電玻璃，其中，其包含一個玻璃基板；一層形成于該玻璃基板上的緩沖層(buffer layer);及一層形成于該緩沖層上的金屬基(metal-based)膜層結構，自該緩沖層朝遠離該玻璃基板的方向依序具有一層第一金屬層、一層第二金屬層及一層第三金屬層；其中，該第一金屬層是由Ag所制成,且厚度是介于6nm-10nm之間；其中，該第二金屬層是由一選自下列所構成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金；及其中，該第三金屬層是一保護層。本專利技術的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃，其中所述的該第三金屬層是由一選自下列所構成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金；該緩沖層是由一選自下列所構成的群組的材料所制成Zn、ZnO、SnO2,及Ti02。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃，其中所述的該第二金屬層的厚度是介于15nm-25nm之間；該緩沖層的厚度是介于15nm_25nm之間。本專利技術的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現。依據本專利技術提出的一種可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中，其包含以下步驟在一個玻璃基板上形成一層緩沖層；在該緩沖層上形成一層金屬基膜層結構，該金屬基膜層結構自該緩·沖層朝遠離該玻璃基板的方向依序具有一層第一金屬層、一層第二金屬層及一層第三金屬層；及在該步驟(b)后，將該形成有該緩沖層及該金屬基膜層結構的玻璃基板設置于一個真空腔體(vacuum chamber)的一個基底上，以對該緩沖層及該金屬基膜層結構施予微波等離子體處理，并提升該緩沖層及該金屬基膜層結構的附著性；其中，該第一金屬層是由Ag所制成，且厚度是介于6nm-10nm之間；其中，該第二金屬層是由一選自下列所構成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金；其中，該第三金屬層是一保護層；及其中，該步驟(c)的基底是由一選自下列所構成的群組的材料所制成碳纖維(carbon fiber)、石墨(graphite)及半導體(semiconductor)材料。本專利技術的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中所述的該基底的面積是大于等于該玻璃基板上的緩沖層的面積，并大于等于該金屬基膜層結構的面積，且該基底的面積與該玻璃基板上的緩沖層的面積相互重疊，并與該金屬基膜層結構的面積相互重疊。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中所述的實施該步驟(C)時，該真空腔體的工作壓力是小于等于O. 5Torr。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中所述的該步驟(C)的微波等離子體處理是經由一個電源供應器提供一介于750W-2000W之間的輸出功率。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中所述的該半導體材料是硅。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中所述的該第三金屬層是由一選自下列所構成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金，及AlZn合金，且該第三金屬層的一表面與微波等離子體處理后的一預定時間后是呈疏水性(hydrophobicproperty);該緩沖層是由一選自下列所構成的群組的材料所制成Zn、ZnO、SnO2 ,及TiO2。前述的可見光穿透率高的透明導電玻璃的制作方法，其中所述的該第二金屬層的厚度是介于15nm-25nm之間；該緩沖層的厚度是介于15nm_25nm之間。本專利技術與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，本發 明的主要
技術實現思路
如下可見光穿透率高的透明導電玻璃，包含一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種可見光穿透率高的透明導電玻璃，其特征在于，該包含：一個玻璃基板；一層形成于該玻璃基板上的緩沖層；及一層形成于該緩沖層上的金屬基膜層結構，自該緩沖層朝遠離該玻璃基板的方向依序具有一層第一金屬層、一層第二金屬層及一層第三金屬層；其中，該第一金屬層是由Ag所制成，且厚度是介于6nm？10nm之間；其中，該第二金屬層是由一選自下列所構成的群組的第二金屬所制成：Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金，及SnNi合金；及其中，該第三金屬層是一保護層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：林寬鋸，許純淵，
申請(專利權)人：林寬鋸，
類型：發明
國別省市：