透明導電配線及透明導電配線的制造方法技術(shù)

該透明導電配線(10)具有由Ag或Ag合金構(gòu)成的Ag膜(11)及層疊于該Ag膜(11)上的透明導電氧化物膜(12)，且通過蝕刻處理形成有配線圖案，所述透明導電配線(10)中，Ag膜(11)的膜厚(ta)在15nm以下的范圍內(nèi)，Ag膜(11)相對于透明導電氧化物膜(12)的過蝕刻量(L)為1μm以下。

Transparent conductive wiring and method for manufacturing transparent conductive wiring

The transparent conductive wiring (10) with Ag film composed of Ag or Ag alloy (11) and superimposed on the Ag film (11) transparent conductive oxide films on (12), and by an etching process to form a wiring pattern, the transparent conductive wiring (10), Ag (11) of the film the film thickness (TA) in the range below 15nm, Ag film (11) with respect to the transparent conductive oxide film (12) the amount of over etch (L) to 1 m.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】透明導電配線及透明導電配線的制造方法
本專利技術(shù)涉及一種例如用于顯示器或觸控面板等的透明導電配線及透明導電配線的制造方法。本申請主張基于2015年2月27日于日本申請的專利申請2015-37950號、2015年11月5日于日本申請的專利申請2015-217683號及2016年2月25日于日本申請的專利申請2016-34768號的優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。
技術(shù)介紹
例如，在液晶顯示器、有機EL顯示器、觸控面板等中，作為配線，例如，如專利文獻1～3所示，應用了設為透明導電氧化物膜與金屬膜的層疊結(jié)構(gòu)的透明導電配線。該透明導電配線中，要求可見光區(qū)域的光的透射率(以下，稱為視覺透射率)較高且電阻較低。在此，在透明導電氧化物膜與金屬膜的層疊膜上形成配線圖案而設為透明導電配線時，如專利文獻3～5所示，一般對上述層疊膜進行蝕刻處理。在這些專利文獻3～5中，作為對透明導電氧化物膜與金屬膜的層疊膜進行蝕刻的方式，提出有使用透明導電氧化物膜用蝕刻液和金屬膜用蝕刻液以兩個階段進行蝕刻的方法或使用特定的組成的蝕刻液對透明導電氧化物膜和金屬膜一并進行蝕刻的方法。專利文獻專利文獻1：日本特開2006-216266號公報專利文獻2：日本特開2012-054006號公報專利文獻3：日本特開2008-080743號公報專利文獻4：日本特開2007-007982號公報專利文獻5：日本特開2009-206462號公報然而，近年來，透明導電配線要求進一步提高視覺透射率，因此需要比以往更薄地形成金屬膜。在此，將金屬膜的膜厚設為較薄時，在上述以往的蝕刻方法中存在金屬膜比透明導電氧化物膜優(yōu)先被蝕刻而金屬膜的過蝕刻量變大的問題。尤其，近年來，由于配線的微細化而配線的寬度變小，因此若金屬膜的過蝕刻量大則有可能無法充分確保導電性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)是鑒于前述情況而完成的，其目的在于提供一種透明導電配線及該透明導電配線的制造方法，該透明導電配線具有較高的視覺透射率，并且抑制金屬膜的過蝕刻量，充分確保了導電性。為了解決上述問題，本專利技術(shù)的透明導電配線具有由Ag或Ag合金構(gòu)成的Ag膜及層疊于該Ag膜上的透明導電氧化物膜，并通過蝕刻處理形成有配線圖案，所述透明導電配線的特征在于，所述Ag膜的膜厚為15nm以下，所述Ag膜相對于所述透明導電氧化物膜的過蝕刻量為1μm以下。根據(jù)本專利技術(shù)的透明導電配線，所述Ag膜的膜厚為15nm以下，因此視覺透射率優(yōu)異。并且，在本專利技術(shù)的透明導電配線中，將所述Ag膜的過蝕刻量抑制為1μm以下，因此即使在配線寬度較窄的情況下，也能夠確保金屬膜的寬度并可靠地確保導電性。在此，在本專利技術(shù)的透明導電配線中，優(yōu)選所述Ag膜由如下組成的Ag合金構(gòu)成：以合計為0.05原子％以上且10.0原子％以下的范圍包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一種或兩種以上的元素來作為添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成的透明導電配線，Ag膜由如下Ag合金構(gòu)成：以合計為0.05原子％以上且10.0原子％以下的范圍包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一種或兩種以上的元素來作為添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，因此能夠提高Ag膜相對于基板及氧化物膜的潤濕性。由此，即使在將成膜于基板上或氧化物膜上的Ag膜的膜厚設為15nm以下、比較薄的情況下，也能夠抑制膜的凝聚，并能夠降低電阻且提高視覺透射率。并且，本專利技術(shù)的透明導電配線中，可以由如下組成的Ag合金構(gòu)成：還包含0.01原子％以上的Sb及0.1原子％以上的Cu中的任意一種或兩種來作為添加元素，并且所有添加元素的合計為10.0原子％以下，且剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成的透明導電配線，由如下組成的Ag合金構(gòu)成：還包含0.01原子％以上的Sb及0.1原子％以上的Cu中的任意一種或兩種來作為添加元素，并且所有添加元素的合計為10.0原子％以下，且剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，因此通過添加Sb及Cu，能夠進一步抑制膜的凝聚，并能夠降低電阻且提高視覺透射率。而且，在本專利技術(shù)的透明導電配線中，優(yōu)選所述透明導電氧化物膜為非晶膜。根據(jù)該構(gòu)成的透明導電配線，透明導電氧化物膜為非晶膜，因此能夠通過后述的草酸蝕刻液可靠地進行蝕刻，并且能夠減少Ag膜的過蝕刻量。本專利技術(shù)的透明導電配線的制造方法中，所述透明導電配線具有由Ag或Ag合金構(gòu)成的Ag膜及層疊于該Ag膜上的透明導電氧化物膜，且形成有配線圖案，所述透明導電配線的制造方法的特征在于，將所述Ag膜的膜厚設為15nm以下，且具備對具有所述Ag膜和所述透明導電氧化物膜的層疊膜進行蝕刻處理而形成配線圖案的蝕刻處理工序，該蝕刻處理工序中，使用草酸蝕刻液對所述透明導電氧化物膜及所述Ag膜一并進行溶解。根據(jù)本專利技術(shù)的透明導電配線的制造方法，在對具有所述Ag膜和所述透明導電氧化物膜的層疊膜進行蝕刻處理而形成配線圖案的蝕刻處理工序中，使用草酸蝕刻液對所述透明導電氧化物膜及所述Ag膜一并進行溶解。通常，草酸蝕刻液難以進行Ag膜的蝕刻，但本專利技術(shù)中，將所述Ag膜的膜厚形成為15nm以下、比較薄，因此可通過草酸蝕刻液去除Ag膜。并且，該草酸蝕刻液中，與透明導電氧化物膜相比，Ag膜的蝕刻性較差，因此能夠抑制Ag膜的過蝕刻。在此，在本專利技術(shù)的透明導電配線的制造方法中，優(yōu)選所述草酸蝕刻液為草酸濃度在3質(zhì)量％以上且7質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)的草酸水溶液。根據(jù)該構(gòu)成的透明導電配線的制造方法，作為所述草酸蝕刻液，使用草酸濃度在3質(zhì)量％以上且7質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)的草酸水溶液，因此能夠?qū)g膜及透明導電氧化物膜一并進行蝕刻，并且能夠可靠地降低Ag膜的過蝕刻量。根據(jù)本專利技術(shù)，能夠提供一種具有較高的視覺透射率，并且抑制金屬膜的過蝕刻量，充分地確保了導電性的透明導電配線及該透明導電配線的制造方法。附圖說明圖1是本專利技術(shù)的實施方式的透明導電配線的局部放大剖視圖。圖2是本專利技術(shù)的實施方式的透明導電配線的蝕刻端面的放大剖視圖。圖3是表示進行透明導電氧化物膜的X射線衍射測定的例子的圖。圖4是表示本專利技術(shù)的實施方式的透明導電配線的制造方法的流程圖。圖5是本專利技術(shù)的另一實施方式的透明導電配線的局部放大剖視圖。具體實施方式以下，參考附圖對本專利技術(shù)的實施方式的透明導電配線及透明導電配線的制造方法進行說明。本實施方式中的透明導電配線10使用于各種顯示器及觸控面板。如圖1所示，本實施方式的透明導電配線10例如具備Ag膜11和透明導電氧化物膜12，所述Ag膜11成膜于基板30的一面上，所述透明導電氧化物膜12以重疊的方式成膜于該Ag膜11上。另外，作為基板30，可以使用無堿玻璃、硼硅酸玻璃等的玻璃基板或PET薄膜等樹脂薄膜。該透明導電配線10通過對具有Ag膜11和透明導電氧化物膜12的層疊膜進行蝕刻處理來形成配線圖案。并且，該透明導電配線10中，Ag膜11相對于透明導電氧化物膜12的過蝕刻量L為1μm以下。具體而言，如圖2所示，截面觀察經(jīng)蝕刻處理的配線時，透明導電氧化物膜12的端面12e與Ag膜11的端面11e的距離為1μm以下。Ag膜11相對于透明導電氧化物膜12的過蝕刻量L更優(yōu)選為0.8μm以下。并且，該透明導電配線10中，Ag膜11的膜厚ta在3nm以上且15nm以下的范圍。而且，透明導電氧化物膜12的膜厚to在5nm以上且80本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種透明導電配線，其具有由Ag或Ag合金構(gòu)成的Ag膜及層疊于該Ag膜上的透明導電氧化物膜，且通過蝕刻處理形成有配線圖案，所述透明導電配線的特征在于，所述Ag膜的膜厚在15nm以下的范圍內(nèi)，所述Ag膜相對于所述透明導電氧化物膜的過蝕刻量為1μm以下。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2015.02.27 JP 2015-037950;2015.11.05 JP 2015-217681.一種透明導電配線，其具有由Ag或Ag合金構(gòu)成的Ag膜及層疊于該Ag膜上的透明導電氧化物膜，且通過蝕刻處理形成有配線圖案，所述透明導電配線的特征在于，所述Ag膜的膜厚在15nm以下的范圍內(nèi)，所述Ag膜相對于所述透明導電氧化物膜的過蝕刻量為1μm以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電配線，其特征在于，所述Ag膜由如下組成的Ag合金構(gòu)成：以合計為0.05原子％以上且10.0原子％以下的范圍包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一種或兩種以上的元素來作為添加元素，且剩余部分由Ag及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導電配線，其特征在于，所述Ag膜由如下組成的Ag合金構(gòu)成：...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鹽野一郎，歲森悠人，野中莊平，齋藤淳，
申請(專利權(quán))人：三菱綜合材料株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本,JP