用于防止氣體混合的大面積沉積裝置制造方法及圖紙

公開了一種用于防止氣體混合的大面積沉積裝置。本發明專利技術涉及的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置使用了多重管結構的噴嘴，將每種氣體供給到不同的噴嘴，因此氣體從腔室噴出時，均勻混合之后，向腔室內部均勻噴出。即，能夠利用簡單結構來防止氣體在流入腔室內部之前混合，而且使氣體均勻混合之后向腔室內部均勻噴射，從而具有降低成本的效果。此外，噴嘴左右振動的同時噴射氣體，因此氣體更加均勻地混合之后向腔室內部的基板更加均勻地噴出，從而提高在基板上沉積的膜的品質。而且，可以分別拆卸各噴嘴進行維修或清洗，從而具有易于進行維護作業的效果。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種用于防止氣體混合的大面積沉積裝置，具體涉及一種防止氣體在流入腔室內部之前彼此混合的同時，在氣體彼此均勻混合之后向腔室內部均勻噴射的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置。
技術介紹
通過化學氣相沉積法(CVD Chemical Vapor Deposition)的薄膜沉積技術在半導體元件的絕緣層和有源層、液晶顯示元件的透明電極、發光顯示元件的發光層和保護層等各種應用領域非常重要。一般，通過CVD沉積的薄膜的物理特性很容易受到沉積壓力、沉積溫度、沉積時間等工藝條件。例如，隨著沉積壓力的變化，被沉積薄膜的組成、密度、粘合強度和沉積速度等 有可能改變。化學氣相沉積法可以分為低壓化學氣相沉積法(LPCVD :Low Pressure ChemicalVapor Deposition)、常壓化學氣相沉積 S(APCVD Atmospheric Pressure ChemicalVapor Deposition)、低溫化學氣相沉積法(LTCVD :Low Temperature Chemical VaporDeposition)、等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)、金屬有機化學氣相沉積法(M0CVD Metal Organic Chemical VaporDeposition)等。其中，MOCVD是作為前驅體(Precursor)利用金屬有機化合物(Metal OrganicCompound),向在腔室內被加熱的基板表面送入高蒸汽壓的金屬有機化合物蒸汽,從而使所需薄膜生長的技術。MOCVD步階覆蓋(St印Coverage)效果優異，也不損傷基板或晶體表面，因此能夠生長出高純度和高品質的薄膜。此外，沉積速度較快，從而能夠縮短工藝時間，因此生產率也聞。
技術實現思路
現有的MOCVD裝置，為了噴射出均勻的氣體需要形成有很多微細孔的噴頭，因此存在成本上升的問題。特別是，現有的MOCVD裝置，為了防止沉積薄膜時使用的兩種以上的氣體在噴射之前混合而導致在不必要的位置形成沉積，需要將噴頭加工成更加復雜的形狀。因此存在MOCVD裝置的成本進一步上升的問題。此外，現有的MOCVD裝置，由于噴頭的氣體噴射孔被堵塞而需要維修或清洗時，需要拆卸整個噴頭，因此存在不方便維護的問題。本專利技術是為了解決所述現有技術的問題而提出的，本專利技術的目的在于，提供一種能夠以簡單結構來防止氣體在流入腔室之前彼此混合的同時，氣體均勻混合之后均勻噴射到腔室內部，從而能夠降低成本的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置。本專利技術的另一目的在于，提供一種便于維護的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置。為了實現所述目的，本專利技術涉及的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置，其特征在于，包括腔室，提供用于向基板沉積規定物質的沉積空間；多個供給口，設在所述腔室的一側，并向所述腔室內部供給氣體；多個供給管，配置在所述腔室內部，并連接于各所述供給口 ；以及多個噴嘴，配置在投放于所述腔室的所述基板的上方，并沿所述各供給管連接，且彼此交替配置，從而向所述基板的上表面交替噴射不同的氣體。本專利技術涉及的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置，使用了多重管結構的噴嘴，將每種氣體供給到彼此不同的噴嘴，因此氣體從腔室噴出時，均勻混合而向腔室內部均勻噴出。即，能夠利用簡單結構來防止氣體在流入腔室內部之前混合，而且使氣體均勻混合之后向腔室內部均勻噴射，從而具有降低成本的效果。此外，噴嘴在左右振動的同時噴出氣體，因此氣體更加均勻地混合，更加均勻地向腔室內部的基板噴射，從而具有提高沉積膜質量的效果。·此外，可以分別拆卸各噴嘴進行維修或清洗，從而具有易于進行維護作業的效果。附圖說明圖I是本專利技術的一實施例涉及的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置的俯視圖。圖2是圖I的“ I - I ”線剖視圖。圖3是圖2的“X”部放大圖。圖4是圖2的“Y”部放大圖。圖5是本專利技術的一實施例涉及的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置的供給管的立體圖。圖6是圖5所示的一個供給管和噴嘴的立體圖。圖7是圖I的“ II - II ”線剖視圖。圖8是圖6所示的噴嘴的剖視圖。圖9是圖8所示的連接器部位的局部剖開立體圖。圖10是圖5的俯視圖。具體實施例方式下面，參照附圖和能夠實施本專利技術的具體實施例詳細說明本專利技術。為了使本領域的技術人員能夠充分實施，詳細說明這些實施例。應理解為，本專利技術的各種實施例彼此不同，但相互并不排斥。例如，這里所記載的一實施例的具體形狀、具體結構和特性，在不脫離本專利技術精神和范圍的情況下，也可以由其他實施例來實現。另外，應理解為，各自公開的實施例中的個別構成要素的位置或配置，在不脫離本專利技術精神和范圍的情況下也可進行變更。因此，后述的詳細說明并無限定之意，準確地說明，本專利技術的保護范圍僅以權利要求書所記載的內容為準，包含與其權利要求所主張的內容等同的所有范圍。為方便起見，也有可能夸張地表現出附圖所示的實施例的長度、面積、厚度及形態。下面，參照附圖詳細說明本專利技術的構成。參照圖I和圖2，本專利技術的一實施例涉及的用于防止氣體混合的大面積沉積裝置包括腔室C ;基座(Susceptor)S,設在腔室C內部，具有加熱基板A的加熱器的功能；閘閥G，設在腔室C的一側，允許基板A出入；真空泵(未圖示)，配置在腔室C的外側，用于排出腔室C內部的空氣。除了為了使基板A出入而打開閘閥G之外，腔室C提供用于在基板A上沉積規定物質的密閉空間。基板A被放置在多個銷P上進行沉積。在腔室C內部的上側部位設有多個供給氣體的供給口 100，而在腔室C內部配置有多個供給管110，該多個供給管110與各供給口 100連接并接收沉積氣體。供給管110是供氣體或蒸汽等流過的管道。在供給管110的下方設有多個噴嘴120。噴嘴120是形成有孔的管道，以能夠使在供給管110內部移動的氣體向外部噴出。噴嘴120配置在腔室C內部的基板A的上方，并沿著各供給管110交替配置，從而向基板A的上表面交替供給不同的氣體。 噴嘴120在基板A的上方成排地密集配置，從而向大面積的基板A均勻噴射沉積氣體。從噴嘴120噴射的彼此不同的氣體在噴出的同時噴射區域相互重疊，因此彼此被混合。而且，在大面積的基板A上以均勻的厚度沉積。參照圖I至圖4，在腔室C的上面部具有振動氣缸130，該振動氣缸130用于使噴嘴120在大面積的基板A上以一定速率振動，從而提高不同氣體混合并沉積在基板A上的效率。為了能夠使噴嘴120振動，氣缸130與噴嘴120機械連接。S卩，氣缸130上連接有軸桿135和噴嘴支架140，該軸桿135與氣缸130的行程相對應地進行線性移動，該噴嘴支架140與軸桿135交叉結合，并將軸桿135的振動位移傳遞給噴嘴120。氣缸130可以用具有能夠電振動的軸的振動電機來代替。此外，氣缸130可以用能夠將電機的旋轉運動變換為機械的往復運動的往復機構來代替。即，氣缸130是提供使噴嘴振動的往復運動的驅動器。此時，可以在腔室C上設置多個軸桿135。如圖所示，可以在腔室C的上面設置三個軸桿135。在三個軸桿135中，左側的兩個連接在氣缸130以及下方的噴嘴支架140上，而右側的另一個僅與位于下方的噴嘴支架140連接。可對軸桿135和本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李慶鎬，
申請(專利權)人：泰拉半導體株式會社，
類型：
國別省市：