一種制備Si3N4納米線的方法技術

本發明專利技術公開了一種制備Si3N4納米線的方法，步驟如下：（1）制備濺有Pt薄膜的硅襯底：使用磁控濺射儀在硅片上制備厚度為10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅納米線的合成：將上述濺射好的附有Pt薄膜的硅襯底放在石英管式爐中進行氮化硅納米線的合成，實驗條件為：爐溫為900～1200℃，工作氣體為硅烷和氮氣，硅烷和氮氣的氣體流量比為1:1～1:5，流量為300ml/min～1000ml/min，反應時間為30～120分鐘；反應結束后，即得氮化硅納米線。本發明專利技術所得到的β-Si3N4納米線具有純度高、結晶性好、表面光滑等特點，納米線直徑在50～100nm之間，線的長度達到1μm。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種制備Si3N4納米線的方法，其特征在于：步驟如下：（1）制備濺有Pt薄膜的硅襯底：使用磁控濺射儀在硅片上制備厚度為10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅納米線的合成：將上述濺射好的附有Pt薄膜的硅襯底放在石英管式爐中進行氮化硅納米線的合成，實驗條件為：爐溫為900～1200℃，工作氣體為硅烷和氮氣，硅烷和氮氣的氣體流量比為1:1～1:5，流量為300ml/min～1000ml/min，反應時間為30～120分鐘；反應結束后，即得氮化硅納米線。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李玉國，王宇，方香，卓博世，彭瑞芹，張曉森，
申請(專利權)人：山東師范大學，
類型：發明
國別省市：