內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置制造方法及圖紙

一種內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置。方法包括以下步驟：對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作(S101)；對(duì)進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行回讀檢測(cè)，以確定寫入數(shù)值與回讀數(shù)值不同的基本單元(S102)。本內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置，通過對(duì)內(nèi)存物理單元上的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作，在對(duì)執(zhí)行寫入操作后的基本單元進(jìn)行回讀時(shí)，能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)存在故障而互相影響的相鄰基本單元，從而提高了內(nèi)存檢測(cè)的準(zhǔn)確性，提高了內(nèi)存和設(shè)備的可靠性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置
本專利技術(shù)涉及信息
，特別涉及一種內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置。
技術(shù)介紹
隨著存儲(chǔ)芯片集成度的不斷提高，芯片內(nèi)部存儲(chǔ)單元間相互干擾問題變得越來越突出，而內(nèi)存是否可靠對(duì)設(shè)備的可靠性起到至關(guān)重要的作用。現(xiàn)有的內(nèi)存檢測(cè)方法，按照邏輯地址依次遞增或依次遞減的順序，對(duì)內(nèi)存進(jìn)行寫入和回讀檢測(cè)，然而，邏輯地址依次遞增或依次遞減進(jìn)行寫入和回讀的過程中，在物理結(jié)構(gòu)上相鄰的單元可能寫入相同的數(shù)據(jù)，而當(dāng)物理結(jié)構(gòu)上相鄰的單元數(shù)據(jù)相同(即電荷相同)時(shí)，通常不會(huì)相互影響進(jìn)而產(chǎn)生數(shù)據(jù)變化，因此無法檢測(cè)到其中的失效單元，導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確，進(jìn)而影響到內(nèi)存和設(shè)備的可靠性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)無法及時(shí)發(fā)現(xiàn)失效的存儲(chǔ)單元，進(jìn)而影響到內(nèi)存和設(shè)備可靠性的問題。本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種內(nèi)存檢測(cè)方法，包括：對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作；對(duì)進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行回讀檢測(cè)，以確定寫入數(shù)值與回讀數(shù)值不同的基本單元。本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種內(nèi)存檢測(cè)裝置，包括：寫入模塊，用于對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作；回讀檢測(cè)模塊，用于對(duì)進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行回讀檢測(cè)，以確定寫入數(shù)值與回讀數(shù)值不同的基本單元。本專利技術(shù)實(shí)施例提供的內(nèi)存檢測(cè)方法和內(nèi)存檢測(cè)裝置，通過對(duì)內(nèi)存物理單元上的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作，在對(duì)執(zhí)行寫入操作后的基本單元進(jìn)行回讀時(shí)，能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)存在故障而互相影響的相鄰基本單元，從而提高了內(nèi)存檢測(cè)的準(zhǔn)確性，提高了內(nèi)存和設(shè)備的可靠性。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術(shù)提供的內(nèi)存檢測(cè)方法第一實(shí)施例的流程圖；圖2a為本專利技術(shù)提供的間隔2列進(jìn)行逐行寫入操作的執(zhí)行順序示意圖；圖2b為本專利技術(shù)提供的間隔2列進(jìn)行逐行寫入操作內(nèi)存物理單元的數(shù)據(jù)變化示意圖；圖3a為本專利技術(shù)提供的間隔4列進(jìn)行逐行寫入操作的執(zhí)行順序示意圖；圖3b為本專利技術(shù)提供的間隔4列進(jìn)行逐行寫入操作內(nèi)存物理單元的數(shù)據(jù)變化示意圖；圖4a為本專利技術(shù)提供的間隔3列進(jìn)行逐行寫入操作的執(zhí)行順序示意圖；圖4b為本專利技術(shù)提供的間隔3列進(jìn)行逐行寫入操作內(nèi)存物理單元的數(shù)據(jù)變化示意圖；圖5為本專利技術(shù)提供的內(nèi)存檢測(cè)裝置第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖6為本專利技術(shù)提供的內(nèi)存檢測(cè)裝置第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式為使本專利技術(shù)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦＠夹g(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。圖1為本專利技術(shù)提供的內(nèi)存檢測(cè)方法第一實(shí)施例的流程圖，如圖1所示，該方法包括：S101、對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作；S102、對(duì)進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行回讀檢測(cè)，以確定寫入數(shù)值與回讀數(shù)值不同的基本單元。本專利技術(shù)實(shí)施例提供的內(nèi)存檢測(cè)方法中涉及的內(nèi)存，可以是基站、無線網(wǎng)絡(luò)控制器、服務(wù)器、核心網(wǎng)設(shè)備等通信設(shè)備上的內(nèi)存，還可以是手機(jī)、計(jì)算機(jī)等終端設(shè)備上的內(nèi)存。本專利技術(shù)實(shí)施例中涉及的內(nèi)存物理單元可以是上述各種設(shè)備中的整個(gè)內(nèi)存，也可以是上述各種設(shè)備的內(nèi)存中的某一塊物理存儲(chǔ)體(物理存儲(chǔ)體的數(shù)量通常以BANK表示)?；締卧脕肀硎緝?nèi)存物理單元中的最小存儲(chǔ)單元，即內(nèi)存物理單元中最基本的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。每個(gè)基本單元中存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)信息0或1(即未充電荷或充滿電荷)，基本單元呈矩陣狀排列。如果內(nèi)存物理單元存在設(shè)計(jì)缺陷，則會(huì)導(dǎo)致某些基本單元失效，而失效的基本單元會(huì)影響或干擾相鄰的基本單元，失效的基本單元及其相鄰的受到影響的基本單元內(nèi)的電荷會(huì)發(fā)生變化，即失效的基本單元及其相鄰的受到影響的基本單元內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可能從1變成0，或者從0變成1，由此引發(fā)內(nèi)存數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。然而，同行或同列的相鄰基本單元，如果其數(shù)值均為0或均為1(即都未充電荷或充滿電荷)時(shí)，通常不會(huì)相互影響而導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)發(fā)生變化。而如果同行或同列相鄰的基本單元一個(gè)數(shù)據(jù)為1，另一個(gè)數(shù)據(jù)為0，則可能會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)為1的基本單元上的電荷流向數(shù)據(jù)為0的基本單元的情況。據(jù)此，本專利技術(shù)提供的內(nèi)存檢測(cè)方法，對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作，以使相鄰的基本單元中的數(shù)據(jù)不同，由于失效的基本單元在與相鄰的基本單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不同的情況下，會(huì)由于失效的基本單元的影響而導(dǎo)致失效的基本單元和相鄰的基本單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)發(fā)生變化，因此，在寫入操作之后再進(jìn)行回讀檢測(cè)操作時(shí)，可以通過回讀的數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)是否不一致來確定失效的基本單元。本專利技術(shù)實(shí)施例提供的內(nèi)存的檢測(cè)方法，如果基本單元的初始值為0，則可以對(duì)基本單元進(jìn)行寫1操作；如果基本單元的初始值為1，則可以對(duì)基本單元進(jìn)行寫0操作。對(duì)基本單元進(jìn)行間隔寫入操作可以逐行進(jìn)行，在每行中間隔一定列數(shù)進(jìn)行寫入操作，所謂逐行進(jìn)行間隔寫入操作可以是指：在對(duì)任一行中的一個(gè)基本單元進(jìn)行寫入操作后，跳過設(shè)定列數(shù)再進(jìn)行寫入操作，直到該行末尾未進(jìn)行寫入操作的基本單元個(gè)數(shù)小于設(shè)定間隔列數(shù)為止，再對(duì)下一行進(jìn)行間隔寫入操作；對(duì)基本單元進(jìn)行間隔寫入操作還可以逐列進(jìn)行，具體可以是：在對(duì)任一列中的一個(gè)基本單元進(jìn)行寫入操作后，跳過設(shè)定行數(shù)再進(jìn)行寫入操作，直到該列末尾未進(jìn)行寫入操作的基本單元個(gè)數(shù)小于設(shè)定間隔行數(shù)為止，再對(duì)下一列進(jìn)行間隔寫入操作。以逐行進(jìn)行寫入操作為例，間隔的列數(shù)可以為n，n大于0，且小于等于每行中基本單元的個(gè)數(shù)。還有另外一種實(shí)現(xiàn)方式：考慮到在實(shí)際進(jìn)行檢測(cè)操作時(shí)，通常需要根據(jù)邏輯地址進(jìn)行尋址獲知基本單元在內(nèi)存中的實(shí)際的物理位置，而邏輯地址通常是二進(jìn)制的，因此，間隔的列數(shù)可以選取，2m為大于0的整數(shù)，且2m小于等于每行中基本單元的個(gè)數(shù)。逐列進(jìn)行寫入操作時(shí)，間隔的行數(shù)也可以為n或2m。仍以逐行進(jìn)行寫入操作為例，由于在每行中進(jìn)行的是間隔寫入操作，因此當(dāng)?shù)谝淮伪闅v所有行之后(一次遍歷是指：從第一行開始進(jìn)行寫入操作直至完成最后一行的寫入操作)，每行中仍有至少一半的基本單元沒有進(jìn)行寫入操作。因此，可以進(jìn)行第二次遍歷，對(duì)每行中沒有進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作，直至對(duì)所有內(nèi)存物理單元中的基本單元完成寫入操作。需要說明的是，遍歷的次數(shù)取決于間隔的列數(shù)，例如：當(dāng)間隔的列數(shù)為2時(shí)，只需經(jīng)過兩次遍歷便可以完成對(duì)內(nèi)存物理單元中的所有基本單元的寫入操作。間隔列數(shù)越大，所需的遍歷操作次數(shù)越多?？梢钥闯?，本專利技術(shù)實(shí)施例提供的內(nèi)存檢測(cè)方法中，在對(duì)任意大小的內(nèi)存物理單元進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，如果逐行進(jìn)行寫入操作，則可以通過至少兩次遍歷實(shí)現(xiàn)對(duì)該內(nèi)存物理單元中的所有基本單元進(jìn)行檢測(cè)，而在每一次遍歷過程中檢測(cè)的基本單元的物理地址都是連續(xù)的。因此，在進(jìn)行內(nèi)存檢測(cè)時(shí)，可以將整個(gè)內(nèi)存按照空間結(jié)構(gòu)劃分為任意塊內(nèi)存物理單元(其中每一塊內(nèi)存物理單元可以是一個(gè)BANK或幾個(gè)BANK)，可以逐塊對(duì)內(nèi)存物理單元進(jìn)行檢測(cè)(對(duì)于每塊內(nèi)存物理單元進(jìn)行至少兩次遍歷以實(shí)現(xiàn)對(duì)該塊內(nèi)存物理單元中所有基本單元進(jìn)行檢測(cè))，從本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】1.一種內(nèi)存檢測(cè)方法，其特征在于，包括：間隔設(shè)定列數(shù)逐行、或者，間隔設(shè)定行數(shù)逐列對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行寫入操作，直至遍歷所述內(nèi)存物理單元中的全部基本單元，所述基本單元用來表示所述內(nèi)存物理單元中的最小存儲(chǔ)單元，即所述內(nèi)存物理單元中最基本的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；對(duì)每個(gè)所述基本單元進(jìn)行寫入操作后，立刻進(jìn)行回讀檢測(cè)操作，或者，對(duì)至少一行或一列基本單元進(jìn)行寫入操作后，對(duì)所述至少一行或一列進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行回讀檢測(cè)操作，以確定寫入數(shù)值與回讀數(shù)值不同的基本單元；所述間隔設(shè)定列數(shù)逐行、或者，間隔設(shè)定行數(shù)逐列對(duì)內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行寫入操作之前，還包括：對(duì)所述內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行初始化操作；對(duì)初始化操作后的基本單元進(jìn)行讀取操作，以確定讀取數(shù)值與初始化數(shù)值不同的基本單元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定列數(shù)為n，n大于0且小于等于每行中基本單元的個(gè)數(shù)，或者，所述設(shè)定列數(shù)為2m，m為大于0的整數(shù)，且2m小于等于每行中基本單元的個(gè)數(shù)；所述設(shè)定行數(shù)為n，n大于0且小于等于每列中基本單元的個(gè)數(shù)，或者，所述設(shè)定行數(shù)為2m，m為大于等于0的整數(shù)，且2m小于等于每列中基本單元的個(gè)數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述間隔設(shè)定列數(shù)逐行對(duì)所述基本單元進(jìn)行寫入操作，直至遍歷所述內(nèi)存物理單元中的全部基本單元，包括：以所述內(nèi)存物理單元中第一行的起始位置為起點(diǎn)，間隔設(shè)定列數(shù)逐行對(duì)所述基本單元進(jìn)行寫入操作；當(dāng)對(duì)所述內(nèi)存物理單元中的最后一行進(jìn)行寫入操作后，返回所述第一行進(jìn)行寫入操作，或者，以所述起始位置的下一個(gè)基本單元為起點(diǎn)，間隔設(shè)定列數(shù)逐行對(duì)所述基本單元進(jìn)行寫入操作。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述間隔設(shè)定行數(shù)逐列對(duì)所述基本單元進(jìn)行寫入操作，直至遍歷所述內(nèi)存物理單元中的全部基本單元，包括：以所述內(nèi)存物理單元中第一列的起始位置為起點(diǎn)，間隔設(shè)定行數(shù)逐列對(duì)所述基本單元進(jìn)行寫入操作；當(dāng)對(duì)所述內(nèi)存物理單元中的最后一列進(jìn)行寫入操作后，返回所述第一列進(jìn)行寫入操作，或者，以所述起始位置的下一個(gè)基本單元為起點(diǎn)，間隔設(shè)定行數(shù)逐列對(duì)所述基本單元進(jìn)行寫入操作。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述寫...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：葉榮標(biāo)，張志龍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華為技術(shù)有限公司，
類型：
國(guó)別省市：