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一種內(nèi)存檢測方法和內(nèi)存檢測裝置。方法包括以下步驟：對內(nèi)存物理單元中的基本單元進(jìn)行間隔寫入操作(S101)；對進(jìn)行寫入操作的基本單元進(jìn)行回讀檢測，以確定寫入數(shù)值與回讀數(shù)值不同的基本單元(S102)。本內(nèi)存檢測方法和內(nèi)存檢測裝置，通過對內(nèi)存物理...該專利屬于華為技術(shù)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過華為技術(shù)有限公司授權(quán)不得商用。